FIサブクラス選択
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C30B
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単結晶成長（超高圧を用いるもの，例．ダイヤモンド生成用Ｂ０１Ｊ３／０６）；共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出；物質のゾーンメルティングによる精製（金属または合金のゾーン精製Ｃ２２Ｂ）；特定構造を有する均質多結晶物質の製造（金属の鋳造，同じ方法と装置による他の物質の鋳造Ｂ２２Ｄ；プラスチックの加工Ｂ２９；金属または合金の物理的構造の改良Ｃ２１Ｄ，Ｃ２２Ｆ）；単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質；単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理（半導体装置またはその部品を製造するためのものＨ０１Ｌ，Ｈ１０）；そのための装置［３］
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