FI(一覧表示)

  • C30B15/00
  • 融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法(保護流体下で行うものC30B27/00)[3] HB CC 4G077
  • C30B15/00@P
  • ペデスタル引上げ法(ペデスタル引上げ法とは固体状の原料の一部を加熱によつて融液化し,その部分に種結晶を浸して,単結晶の引上げを行う単結晶の育成方法である.) HB CC 4G077
  • C30B15/00@Z
  • その他 HB CC 4G077
  • C30B15/02
  • ・融液に結晶化物質またはそれをその場所で生成する反応剤を添加するもの[3] HB CC 4G077
  • C30B15/04
  • ・・ドープ物質を加えるもの,例.PN接合用[3] HB CC 4G077
  • C30B15/06
  • ・非垂直引出し[3] HB CC 4G077
  • C30B15/08
  • ・下方引出し[3] HB CC 4G077
  • C30B15/10
  • ・融液を支持するためのるつぼまたは容器[3] HB CC 4G077
  • C30B15/12
  • ・・二重るつぼ法[3] HB CC 4G077
  • C30B15/14
  • ・融液または結晶化した物質の加熱[3] HB CC 4G077
  • C30B15/16
  • ・・照射または電気放電によるもの[3] HB CC 4G077
  • C30B15/18
  • ・・直接抵抗加熱に加えて他の加熱方法を用いるもの,例.ペルチェ加熱を用いるもの[3] HB CC 4G077
  • C30B15/20
  • ・制御または調整(制御または調整一般G05)[3] HB CC 4G077
  • C30B15/22
  • ・・引出された結晶近傍の溶融ゾーンの安定化または形状の制御;結晶断面の制御[3] HB CC 4G077
  • C30B15/24
  • ・・・機械的手段を用いるもの,例.成形ガイド(縁部限定薄膜供給結晶成長[EFG]用の成形型C30B15/34)[3] HB CC 4G077
  • C30B15/26
  • ・・・テレビジョン検出器を用いるもの;光またはX線検出器を用いるもの[3] HB CC 4G077
  • C30B15/28
  • ・・・結晶または融液の重量変化を用いるもの,例.フローテーション法[3] HB CC 4G077
  • C30B15/30
  • ・融液または結晶を回転または移動させるための機構(フローテーション法C30B15/28)[3] HB CC 4G077
  • C30B15/32
  • ・種結晶保持器,例.チャック[3] HB CC 4G077
  • C30B15/34
  • ・型またはスリットを用いる縁部限定薄膜供給結晶成長(EFG)[3] HB CC 4G077
  • C30B15/36
  • ・種結晶により特徴づけられたもの,例.その結晶方位[3] HB CC 4G077
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