FI(一覧表示)

  • C30B23/00
  • 蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長[3] HB CC 4G077
  • C30B23/02
  • ・エピタキシャル層成長[3] HB CC 4G077
  • C30B23/04
  • ・・パターン成膜,例.マスクを用いるもの[3] HB CC 4G077
  • C30B23/06
  • ・・成膜室,基板または被蒸発物質の加熱[3] HB CC 4G077
  • C30B23/08
  • ・・イオン化蒸気の凝縮によるもの(反応スパッタリングによるものC30B25/06)[3] HB CC 4G077
  • C30B23/08@M
  • 分子線によるもの HB CC 4G077
  • C30B23/08@P
  • プラズマを利用するもの HB CC 4G077
  • C30B23/08@Z
  • その他 HB CC 4G077
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