このページは、メイングループC30B23/00内の「FI」を全て表示しています。 |
HB:ハンドブック | ||||
CC:コンコーダンス |
|
蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長[3] | HB | CC | 4G077 | |
|
・エピタキシャル層成長[3] | HB | CC | 4G077 | |
|
・・パターン成膜,例.マスクを用いるもの[3] | HB | CC | 4G077 | |
|
・・成膜室,基板または被蒸発物質の加熱[3] | HB | CC | 4G077 | |
|
・・イオン化蒸気の凝縮によるもの(反応スパッタリングによるものC30B25/06)[3] | HB | CC | 4G077 | |
|
分子線によるもの | HB | CC | 4G077 | |
|
プラズマを利用するもの | HB | CC | 4G077 | |
|
その他 | HB | CC | 4G077 | |