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４Ｇ０５０，４Ｇ０５１，４Ｇ０７７統合（Ｈ１０）
4G077 結晶、結晶のための後処理 無機化学　　　　　　
C30B1/00 -35/00
C30B1/00-35/00 AA AA00
目的・対象とする結晶の形態 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA07 AA08 AA10
・粒状 ・バルク状（例、インゴット） ・薄膜状 ・フィラメント、繊維、ウイスカー状 ・選択方向に配向した多結晶体 ・通常よりも大きな結晶粒よりなる多結晶体 ・その他
AB AB00
結晶自体の特徴（クレーム） 		AB01 AB02 AB03 AB04 AB05 AB06 AB07 AB08 AB09 AB10
・不純物濃度、キャリア濃度、転位濃度の特定 ・成長結晶の方位の特定 ・物性値の特定 ・・光学的物性値の特定 ・・磁気的物性値の特定 ・・電気的物性値の特定 ・・格子定数値、面間隔の特定 ・・Ｘ線、赤外線等のスペクトル値の特定 ・結晶の直径、繊維長、繊維径の特定 ・その他
BA BA00
材料１（元素状、合金） 		BA01 BA02 BA03 BA04 BA05 BA07 BA08 BA09 BA10
・元素状＊ ・・炭素 ・・・ダイヤモンド（ダイヤモンド状炭素を含む） ・・Ｓｉ ・・Ｇｅ ・合金＊ ・・Ｎｉを含む ・・Ｆｅを含む ・・Ｓｉを含む（Ｓｉとの二元合金→ＢＥ０５）
BB BB00
材料２（酸化物） 		BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB06 BB07 BB08 BB09 BB10
・Ａｌの ・Ｍｇの ・Ｓｉの ・Ｔｉの ・Ｆｅの ・Ｔｅの ・Ｚｎの ・Ｖの ・Ｓｎの ・その他＊
BC BC00
材料３（複合酸化物） 		BC01 BC02 BC03 BC05 BC06 BC07 BC08
・Ａｌを含む（他が優先）＊ ・Ｂｉを含む（他が優先）＊ ・・更にアルカリ土類金属またはＰｂを含む ・フェライト ・・Ｂａ、Ｓｒ、またはＰｂを含む ・・Ｚｎを含む ・・・ＺｎとＭｎとを含む
BC11 BC12 BC13 BC15 BC16 BC17
・ＡＭＯ３型（Ａの一部または全部が希土類）＊ ・・ＭがＦｅ ・・ＭがＡｌ ・ＡＭ２Ｏ４型（ＭがＦｅ→ＢＣ０５）＊ ・・ＭｇＡｌ２Ｏ４（スピネル） ・・ＢｅＡｌ２Ｏ４（クリソベリル）
BC21 BC22 BC23 BC24 BC25 BC27 BC28
・Ａ３Ｍ５Ｏ１２（Ａの一部、全部が希土類元素）＊ ・・Ｆｅを含みＧａ、Ａｌを含まない ・・Ｇａを含みＦｅ、Ａｌを含まない ・・Ａｌを含みＦｅ、Ｇａを含まない ・・Ｆｅ、Ｇａ、Ａｌの２種以上を含む ・・Ｂｉを含む（重複付与可） ・・Ｇｄを含む（重複付与可）
BC31 BC32 BC33 BC34 BC36 BC37 BC38 BC40
・ニオブ酸塩＊ ・・ニオブ酸リチウム ・・アルカリ土類を含む ・・Ｐｂを含む ・タンタル酸塩＊ ・・タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３） ・バナジン酸塩＊ ・Ｎｂ、Ｔａ、Ｖの複合酸塩
BC41 BC42 BC43 BC44 BC45 BC46 BC47 BC48 BC50
・チタン酸塩＊ ・・アルカリ土類を含む ・・Ｐｂを含む ・ゲルマニウム酸塩＊ ・・Ｂｉを含む ・モリブデン酸塩＊ ・・Ｐｂを含む ・タングステン酸塩＊ ・銅酸塩（―ＣｕｘＯｙ）ＢＣ５１が優先＊
BC51 BC52 BC53 BC54 BC55 BC56 BC57 BC58 BC60
・超電導酸化物＊ ・・Ｃｕを含む（ＢＣ５７が優先） ・・・ＲＥ―（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）―Ｃｕ―Ｏ ・・・・更にＰｂを含む ・・・・ＲＥ―Ｓｒ―Ｃａ―Ｃｕ―Ｏ ・・・Ｔｌ―（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）―Ｃｕ―Ｏ ・・Ｂｉを含む＊ ・・・Ｂｉ－（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）－Ｃｕ－Ｏ ・その他
BD BD00
材料４（酸素酸塩） 		BD01 BD02 BD03 BD04 BD06 BD07 BD08 BD09 BD10
・りん酸塩＊ ・・Ａｌを含む ・・Ｔｉを含む ・・希土類元素を含む ・ほう酸塩＊ ・・Ｌｉを含む ・・アルカリ土類を含む ・硫酸塩＊ ・炭酸塩＊
BD11 BD12 BD13 BD14 BD15 BD16 BD17 BD20
・けい酸塩＊ ・・Ｂｉを含む ・・・更にＧｅを含む ・・アルカリ土類を含む ・・希土類を含む ・・Ａｌを含む ・・・更にＢｅを含む（ベリル、エメラルド） ・その他
BE BE00
材料５（～化物） 		BE01 BE02 BE03 BE04 BE05 BE06 BE07 BE08 BE09
・ハロゲン化物＊ ・・Ｆ＊ ・・Ｃｌ＊ ・・Ｉ＊ ・けい化物＊ ・ほう化物＊ ・炭化物＊ ・・ＳｉＣ ・・ＴｉＣ
BE11 BE12 BE13 BE14 BE15 BE16 BE18 BE19
・窒化物＊ ・・ＢＮ ・・ＡｌＮ ・・Ｓｉ３Ｎ４ ・・ＧａＮ ・・Ｌｉ３Ｎ ・炭窒化物＊ ・酸窒化物、炭窒酸化物＊
BE21 BE22 BE23 BE25 BE26 BE28 BE29 BE30
・Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ化物（ＢＥ２８、３１が優先）＊ ・・Ｓ化物 ・・・ＣｕＳ ・・Ｓｅ化物＊ ・・Ｔｅ化物＊ ・４―６化合物（４族元素はＰｂ、Ｓｎ）＊ ・・ＰｂＴｅ ・・三元以上のもの＊
BE31 BE32 BE33 BE34 BE35 BE36 BE37
・２―６化合物（ＢＥ２１に優先）＊ ・・Ｓ化物＊ ・・・ＣｄＳ ・・Ｓｅ化物＊ ・・Ｔｅ化物 ・・２族元素（Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ）を２以上含む＊ ・・６族元素（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）を２以上含む＊
BE41 BE42 BE43 BE44 BE45 BE46 BE47 BE48 BE50
・３－５化合物（５族元素はＰ、Ａｓ、Ｓｂ）＊ ・・Ｐ化物＊ ・・・ＧａＰ ・・・ＩｎＰ ・・Ａｓ化物＊ ・・・ＧａＡｓ ・・３族元素（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）を２種以上含む＊ ・・５族元素（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ）を２種以上含む＊ ・その他
BF BF00
材料６（有機物） 		BF01 BF02 BF03 BF04 BF05 BF10
・アニリンまたはその誘導体 ・有機酸またはその誘導体 ・・酒石酸、その誘導体 ・高分子化合物 ・・生体高分子（例、タンパク質） ・その他
CA CA00
固相成長 		CA01 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CA07 CA08 CA09 CA10
・反応を伴うもの ・成長条件、その制御 ・・熱処理による ・・・加熱条件に特徴ある（例、多段階加熱） ・・・温度勾配下 ・・・ゾーン加熱下 ・・雰囲気、圧力に特徴ある ・・・雰囲気ガスの選定、雰囲気ガス圧制御 ・種結晶、種基板と接合して成長を行うもの ・その他
CB CB00
液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する） 		CB01 CB02 CB03 CB04 CB05 CB06 CB08 CB10
・非水性溶媒を使用するもの ・水性溶媒を使用するもの ・・高温高圧下での（例、水熱法） ・・・溶媒組成に特徴あるもの ・・電気分解を利用するもの ・溶媒の蒸発による成長 ・基板上に溶液、懸濁液を供給するもの（例、塗布） ・その他
CC CC00
液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先 		CC01 CC02 CC03 CC04 CC05 CC06 CC10
・溶媒の選択 ・・ハロゲン化物溶媒 ・・酸化物溶媒 ・・金属溶媒 ・溶媒の蒸発による成長 ・ＶＬＳ法によるもの ・その他
CD CD00
液相成長３（融液の凝固によるもの） 		CD01 CD02 CD04 CD05 CD07 CD08 CD10
・ブリッジマン法 ・・縦型 ・温度勾配凝固法による ・溶質合成拡散法（ＳＳＤ法） ・ベルヌーイ法 ・鋳型中での凝固 ・その他
CE CE00
液相成長４（ゾーンメルティング） 		CE01 CE02 CE03 CE04 CE05 CE06 CE10
・溶媒を使用するもの ・ルツボ、容器中で行うもの ・フローティングゾーン法によるもの ・溶融ゾーンの加熱法に特徴あるもの ・・光による加熱（例、赤外線集中加熱） ・基板上の膜にゾンメルを施すもの ・その他
CF CF00
液相成長５（融液からの引き出し） 		CF01 CF02 CF03 CF04 CF05 CF06 CF07 CF08 CF09 CF10
・引き出し方向に特徴ある ・引き出す結晶の形状に特徴ある（円柱状を除く） ・・リボン状 ・・線状 ・るつぼへの原料の供給、充填法に特徴ある ・・成長中の原料供給手段に特徴ある ・・・粉末状の原料の供給 ・・・棒状原料による供給 ・・・液状の原料の供給 ・その他
CG CG00
液相成長６（液相エピタキシャル） 		CG01 CG02 CG03 CG05 CG06 CG07 CG10
・成長法の種類（特定のないものはここに付与） ・・ディッピング法 ・・傾斜法 ・溶媒を用いるもの ・・溶媒の組成、材料に特徴あるもの ・・・溶媒が結晶成分の一成分であるもの ・その他
DA DA00
気相成長１（蒸着、昇華） 		DA01 DA02 DA03 DA04 DA05 DA06 DA07 DA08 DA09
・基板への薄膜の蒸着（封管使用は１９にも付与） ・・蒸発源を加熱蒸発させるもの（ＤＡ０５が優先） ・・・レーザ光によるもの ・・・電子線によるもの ・・分子線照射による成長 ・・・線源部の特徴 ・・・・分子線セルの形状、構造、配置 ・・・・シャッターの形状、操作 ・・・・ガス流を線源とするもの
DA11 DA12 DA13 DA14 DA15 DA16 DA17 DA18 DA19 DA20
・・スパッタリングによるもの ・・・放電、プラズマによるもの ・・・ターゲットにイオンビームを照射するもの ・・・ターゲット材の選択、調製 ・・蒸発した蒸気をイオン化するもの ・・各成分蒸気を基板に交互に供給するもの ・非薄膜状結晶の成長（例、粒状） ・・バルク結晶の成長（封管使用は１９にも付与） ・封管を使用するもの ・その他
DB DB00
気相成長２（ＣＶＤ） 		DB01 DB02 DB03 DB04 DB05 DB06 DB07 DB08 DB09
・基板上に気相成長させるもの ・・反応原料の選択 ・・・一酸化炭素、二酸化炭素 ・・・水素化物（ハロゲン含有はＤＢ０５優先） ・・・ハロゲン化物 ・・・有機化合物 ・・・・炭化水素 ・・・・有機金属化合物（ＭＯＣＶＤ） ・・・・有機珪素化合物
DB11 DB12 DB13 DB15 DB16 DB17 DB18 DB19 DB20
・原料ガスの供給、排出、処理 ・・成長中にガスの供給量、組成比を変化させるもの ・・・各成分ガスを交互に供給するもの ・反応ガスの加熱、熱分解、活性化手段 ・・プラズマによる ・・・直流放電プラズマ ・・・高周波プラズマ ・・・マイクロ波プラズマ ・・・サイクロトロン共鳴プラズマ
DB21 DB22 DB23 DB24 DB25 DB26 DB28 DB29 DB30
・・加熱体（例、熱フィラメント）による ・・・電場加速熱電子照射による（２４に優先） ・・燃焼炎による ・・エネルギー線照射による（２２が優先） ・・・光照射 ・・・イオンビーム照射による ・基板上に成長させないもの ・封管を使用するもの ・その他
EA EA00
結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く 		EA01 EA02 EA03 EA04 EA05 EA06 EA07 EA08 EA10
・温度条件の（例、融液温度） ・・基板、反応ゾーンの ・圧力条件の ・・雰囲気圧力、雰囲気ガス圧の制御　ＥＡ０８優先 ・・・減圧雰囲気 ・雰囲気ガス、キャリアーガスの選択、制御 ・・酸素ガスを雰囲気ガスとするもの ・・揮発性成分の蒸気供給、蒸気圧制御 ・その他
EB EB00
結晶成長共通２（不純物のドーピング） 		EB01 EB02 EB03 EB04 EB05 EB06 EB10
・不純物の選択、特定◎ ・不純物の粒子線を照射してドープするもの ・成長中に不純物を添加するもの（気相成長を除く） ・・ガス状ドープ剤の使用（気相成長を除く） ・原料中の不純物を分散させておくもの ・不可避不純物の制御 ・その他
EC EC00
結晶成長共通３（原料の調製、原料組成） 		EC01 EC02 EC03 EC04 EC05 EC07 EC08 EC09 EC10
・原料の調製 ・・原料粉末、原料塊の調製、合成 ・・・気相反応による合成 ・・・液相反応による合成 ・・原料成形体の調製（例、原料棒の焼結） ・原料組成の調製 ・・融液組成の ・・原料ガス、供給ガス組成の（例、混合比） ・・原料、原料組成物中の不純物濃度の特定、調製
ED ED00
結晶成長共通４（種結晶、基板） 		ED01 ED02 ED04 ED05 ED06
・種結晶に特徴あるもの ・・種結晶の結晶方位の特定 ・基板に特徴ある（例、形状、構造） ・・基板結晶の結晶方位の特定 ・・基板材料の選択○
EE EE00
結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護） 		EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EE06 EE07 EE08 EE09 EE10
・基板の表面処理（ＥＦ０２が優先） ・・清浄化、エッチング ・・・ガスによる ・・・液体による ・・結晶核の形成 ・・被膜の形成（例、保護膜）ＥＦ０２が優先 ・・・マスキング ・・基板へのドーピング ・基板の保護のための操作（ＥＥ０１が優先） ・その他
EF EF00
結晶成長共通６（基板への多層成長） 		EF01 EF02 EF03 EF04 EF05
・基板に膜を多層に形成するもの ・・バッファ層の形成（格子整合のための）● ・・・バッファ層が成長結晶の成分元素を含む● ・・２種以上の膜を交互に多数層積層するもの ・・・超格子
EG EG00
結晶成長共通７（装置、治具） 		EG01 EG02 EG03 EG04 EG05 EG06 EG07 EG08 EG09 EG10
・融液支持、収容手段（例、ルツボ）ＥＧ０５が優先 ・・材質的特徴、多層または被覆構造のもの ・基板支持手段、ＥＧ０５が優先 ・・材質的特徴、多層または被覆構造のもの ・液相エピタキシャルのための融液、基板支持体 ・・多層成長のためのもの ・・融液の基板表面への供給、排出 ・・・残留液除去のための構成 ・・・融液を液溜と基板との間に循環させるもの ・・・基板、融液溜をスライドさせるための構成
EG11 EG12 EG13 EG14 EG15 EG16 EG17 EG18 EG19 EG20
・種結晶の保持、固定手段 ・種結晶の引き上げ（下げ）、回転手段 ・基板、支持体の移送、搬入、搬出のための構成 ・基板、支持体の成長中の運動（回転、振動） ・加熱、冷却、保温装置 ・・基板、基板支持体のための ・・・基板の冷却のための ・・容器、るつぼ、ボートのための ・・保温のための（例、保温板、熱反射・輻射板） ・・成長結晶のための
EG21 EG22 EG23 EG24 EG25 EG26 EG27 EG28 EG29 EG30
・ガスの供給、排出、処理のための装置の構成 ・・ガスの供給のための ・・・ノズル ・・・ガス流れの制御のための（例、邪魔板） ・成長室、炉を構成する部材の形状、構造、材料 ・成長室に付属する室の構成（例、基板前処理室） ・炉、成長室、成長結晶の取扱いのための装置 ・・保守点検（例、洗浄、分解） ・連続成長（製造）のための装置の構成 ・その他
EH EH00
結晶成長共通８（検知、制御） 		EH01 EH02 EH03 EH04 EH05 EH06 EH07 EH08 EH09 EH10
・成長膜厚の検知、制御 ・蒸発源からの蒸発量、分子線量の検知、制御 ・・シャッター、マスクの使用 ・結晶の直径の検知、制御 ・ドープ量の検知、制御 ・制御の方法 ・・融液の温度、温度分布の制御 ・・るつぼ、種結晶の回転数制御 ・・引き上げ速度、成長速度の制御 ・その他
EJ EJ00
結晶成長共通９（特定の成長環境の付加） 		EJ01 EJ02 EJ03 EJ04 EJ05 EJ06 EJ07 EJ08 EJ09 EJ10
・電場 ・磁場 ・エネルギー線の照射 ・・光 ・振動を付加するもの ・結晶材料を浮遊させるもの（例、無重力下） ・封止剤（蒸発防止等のためのシール剤）の使用 ・・封止剤の選択 ・成長、反応促進剤（例、触媒）の添加 ・その他
FA FA00
後処理１（拡散源、その配置） 		FA01 FA02 FA03 FA04 FA05 FA06 FA07 FA08 FA09 FA10
・拡散源の組成、形状に特徴ある ・・液体状、懸濁状の拡散源、その組成 ・・固体状、その組成 ・・・成形体、板状体、焼結体、その組成 ・・・・基体上に拡散源を付着させたもの ・固体拡散源と基板を接触させる（ＦＢ０１を優先） ・・固体拡散源の粉末中に基板を埋めるもの ・液体拡散源と基板とを接触させるもの ・板状固体拡散源と基板とを並列に配置するもの ・その他
FB FB00
後処理２（後処理のための基板表面の前処理） 		FB01 FB02 FB03 FB04 FB05 FB06 FB07 FB10
・基板表面への拡散物質層の形成（ＦＣ０４が優先） ・・液体、懸濁液の塗布 ・・不純物をドープした層を形成するもの ・・拡散物質の層を局所的に形成するもの ・清浄化、エッチング、研磨（ＦＧの付与検討） ・基板表面への膜の形成（ＦＣ０４が優先） ・・局所的ドーピングのためのマスク形成 ・その他
FC FC00
後処理３（気相からのドーピング） 		FC01 FC03 FC04 FC05 FC06 FC07 FC10
・封管中で行うもの ・封管を使用しないもの ・・基板表面への拡散源のデポジット工程を含むもの ・・雰囲気、ガス流の調整、制御 ・・・ドープガスの供給、排出、処理 ・・・ドープガスの濃度、ドープ量の検知、制御 ・その他
FD FD00
後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング） 		FD01 FD02 FD03 FD04 FD05 FD06 FD10
・中性子照射による ・イオン注入による ・・イオン注入方法、イオン発生、加速装置 ・・・局所的に注入するもの ・・・注入量の検知、制御 ・・・注入角度の選択、制御 ・その他
FE FE00
後処理５（加熱、冷却処理） 		FE01 FE02 FE03 FE04 FE05 FE06 FE07 FE08 FE09 FE10
・封管中での ・雰囲気に特徴のあるもの（例、圧力、雰囲気ガス） ・・酸素を含有する ・・・基板表面に酸化膜を形成するもの ・・還元雰囲気 ・・結晶を構成する成分の蒸気を含有する ・基板を他の材料で被覆して熱処理を行うもの ・・粉末中に埋設して行うもの ・基板を液体に浸漬して行う（例；Ｇａ融液での） ・圧力、応力を付加しつつ行うもの（例、熱間加圧）
FE11 FE12 FE13 FE14 FE15 FE16 FE17 FE18 FE19 FE20
・加熱、冷却条件 ・・多段階加熱 ・・冷却速度、冷却時間 ・加熱手段に特徴あるもの ・・エネルギー線照射による ・・・光照射 ・インゴット状態の結晶の加熱冷却処理 ・・結晶成長後、その場で行うもの ・基板上の膜の結晶化、単結晶化のためのもの ・その他
FF FF00
後処理６（結晶の接合） 		FF01 FF02 FF03 FF06 FF07 FF10
・接合剤を使用するもの ・・金属、合金を接合剤とする ・・ガラスを接合剤とする ・接合剤を使用しない ・・加熱および、または加圧のみによる ・その他
FG FG00
後処理７（エッチング、機械加工） 		FG01 FG02 FG03 FG04 FG05 FG06 FG07 FG08 FG09
・気相でのエッチング ・・イオン照射、プラズマ、放電、スパッタによる ・・化学エッチングによる（光照射ＦＨにも付与） ・・エッチングガスの基板面への供給排出、処理 ・液相でのエッチング ・・エッチング液の組成 ・・・砥粒をさらに含むもの ・・電界を付与する（例、電解エッチング） ・・エッチング液の基板面への供給排出、処理
FG11 FG12 FG13 FG14 FG16 FG17 FG18 FG20
・機械的な粗面化、研削、研磨、切断 ・・研削剤、研磨剤、切削剤 ・・切断方法、切り出し方法 ・・・へき開による ・加工の際の結晶面方位、角度の設定、制御 ・エッチング量、加工量の制御 ・局部的にエッチング、研削、研磨するもの ・その他
FH FH00
後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用） 		FH01 FH02 FH03 FH04 FH05 FH06 FH07 FH08 FH09 FH10
・電界中での、電圧印加下での（ＦＨ０９が優先） ・・誘電材料の単一分域化のための ・・・電極と結晶との間の充填材に特徴のあるもの ・磁界中での、磁場印加下での ・エネルギー線の照射 ・・中性子線 ・・電子線 ・・光 ・放電、プラズマによる ・その他
FJ FJ00
後処理９（その他） 		FJ01 FJ02 FJ03 FJ04 FJ05 FJ06 FJ07 FJ08 FJ10
・結晶表面の清浄化、結晶の精製 ・機械的応力を加えるもの（熱間→ＦＥ１０） ・成長基板と成長結晶薄膜との分離（例、溶解除法） ・成長基板、基材からの成長繊維、ウィスカの分離 ・ウィスカー、繊維の塊状物の解砕、分級 ・成長結晶表面への被膜の形成 ・・金属被膜 ・成長後の結晶の取扱い（例、移送） ・その他
FK FK00
後処理１０（装置、治具の特徴） 		FK01 FK02 FK03 FK04 FK05 FK06 FK07 FK08
・反応管、均熱管、封管の形状、構造 ・基板支持体の形状、構造 ・・基板面をガス流と平行にするもの ・・基板面をガス流と直角にするもの ・雰囲気、気流の流れの調整のための治具 ・・疑似ウエハー、ダミー基板の使用 ・加熱、冷却のための装置、治具 ・・基板の加熱、冷却
FK11 FK12 FK13 FK14 FK15 FK16 FK18 FK20
・基板の搬入、搬出のための装置、治具の構成 ・基板の連続処理のための装置的構成 ・気流の供給、排出のための装置的構成 ・・給供、排出ノズル ・・気化器 ・基板を処理中に運動させるための構成（例、回転） ・装置、治具類の材質に特徴あるもの ・その他
GA GA00
結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定 		GA01 GA02 GA03 GA05 GA06 GA07 GA08 GA10
・不純物濃度、濃度分布の ・転位濃度の ・結晶方位の ・評価、決定の手法 ・・光学的 ・・電気的 ・・磁気的 ・その他
HA HA00
用途 		HA01 HA02 HA03 HA04 HA05 HA06 HA07 HA08 HA09 HA10
・光学材料 ・・発光材料（例、レーザー素子） ・磁性材料 ・音響材料（例、マイクロ波用素子、振動板） ・電気材料 ・・半導体素子 ・・イオン導電材 ・・超電導材料 ・・・線材、コイル材 ・・・ジョセフソン素子
HA11 HA12 HA13 HA14 HA15 HA20
・圧電材料、誘電材料 ・基板材料（例、半導体、磁性材料、超電導体用） ・工具材料、耐摩、研磨剤 ・放熱材料、ヒートシンク ・電子放出材 ・その他
C30B1/00-1/12 JA JA00
固相からの直接単結晶成長 		JA01 JA02 JA03 JA05 JA06 JA08
・成長前の物質の材質・形状 ・・成長前の単結晶（例、種を用いる）＊ ・・・基板を用いる＊ ・・成長前の多結晶＊ ・・・多結晶体の形成 ・・成長前の単結晶と多結晶との接合
JB JB00
単結晶成長プロセス・装置 		JB01 JB02 JB04 JB06 JB07 JB08 JB09
・成長プロセス・装置 ・・雰囲気ガス＊ ・・圧力処理（１／１２） ・・再結晶時の加熱条件（例、多段階加熱） ・・・等温下（１／０４） ・・・温度勾配下（１／０６） ・・・ゾ－ン加熱下（１／０８）
JB12
・・固相反応または多相拡散（１／１０）
C30B7/10 KA KA00
圧力を加えるもの　　例、水熱法 		KA01 KA03 KA05 KA06 KA07 KA09
・原料＊ ・溶媒＊ ・種結晶＊ ・・予備処理＊ ・・結晶方位 ・成長条件（温度、圧力等）
KA11 KA12 KA13 KA15
・装置（例、形状、構造） ・・材質＊ ・・種結晶の保持具 ・その他
C30B9/12 LA LA00
塩溶媒を用いるもの　　例、フラックス成長 		LA01 LA03 LA05
・フラックス＊ ・装置（構造、形状、材質等） ・成長条件
C30B11/00@C MA MA00
るつぼ、容器またはその支持体 		MA01 MA02 MA04 MA05
・るつぼまたは容器（例、形状、構造） ・・材質＊ ・るつぼまたは容器の支持体（例、形状、構造） ・・材質＊
C30B11/00;11/00@Z;11/04;11/06 MB MB00
ノ－マルフリ－ジングまたは温度勾配凝固 		MB01 MB02 MB03 MB04 MB06 MB07 MB08
・成長方法 ・・ブリッジマン法 ・・・横型 ・・・縦型 ・・温度勾配凝固法 ・・・横型 ・・・縦型
MB12 MB14
・・溶質合成拡散法（ＳＳＤ法） ・・その他（ノ－マルフリ－ジング等）
MB21 MB22 MB23 MB24 MB26
・成長装置 ・・加熱手段（炉の構造等） ・・・複数の加熱手段（例、補助加熱） ・・・保温材 ・・冷却手段（冷却部材）
MB31 MB32 MB33 MB35 MB36
・成長条件 ・・制御・調整 ・・・温度の制御 ・・・雰囲気＊ ・・・揮発成分の蒸気圧
C30B13/00 NA NA00
ゾ－ンメルティングによる単結晶成長、精製 		NA01 NA03 NA05
・雰囲気＊ ・アフタ－ヒ－タ－ ・その他
C30B13/02 NB NB00
溶媒を用いるもの 		NB01 NB03
・溶媒＊ ・その他（プロセス、装置等）
C30B13/14 NC NC00
るつぼ、容器またはその支持体 		NC01 NC02 NC03 NC05
・るつぼまたは容器（例、形状） ・・多層構造、被覆 ・・材質＊ ・るつぼまたは容器の支持体＊
C30B13/20 ND ND00
誘導による溶融ゾ－ンの加熱 		ND01 ND02 ND03 ND05 ND07
・単一の誘導コイル（例、形状） ・・配置 ・・構造 ・複数の誘導コイルを用いるもの ・電力供給
C30B13/24 NE NE00
電磁波による加熱（集光加熱等） 		NE01 NE03 NE04 NE05 NE06 NE07 NE09
・電磁波発生源 ・回転楕円鏡を利用するもの ・・形状、構造 ・・複数の回転楕円鏡 ・・回転楕円鏡と他の部分との接続 ・・付属装置 ・その他
C30B13/28 NF NF00
制御または調整 		NF01 NF02 NF03 NF05 NF07 NF08 NF09
・直径制御 ・・検出方法 ・・・光学的検出 ・・制御動作 ・・制御量、出力信号 ・・・加熱量 ・・・移動速度
NF11
・その他
C30B13/32 NG NG00
材料またはヒ－タ－の移動機構、保持具 		NG01 NG03 NG05
・材料またはヒ－タ－の移動、回転機構 ・材料・結晶の保持具または保持機構 ・その他
C30B15/00;15/00@Z;27/02 PA PA00
融液からの引出し（保護流体下も含む） 		PA01 PA03 PA04 PA06 PA08 PA10
・ネッキング ・雰囲気ガス（例、種類）＊ ・・ガス流の調整 ・融液または結晶中の酸素濃度の制御 ・融液を攪拌（強制対流）するための手段 ・引上げた結晶の冷却
PA11 PA13 PA14 PA16
・残留物の除去 ・封止剤（カプセル剤） ・・Ｂ２０３を主成分 ・その他
C30B15/02;15/04;27/02 PB PB00
結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加 		PB01 PB02 PB04 PB05 PB07 PB08 PB09 PB10
・充填または添加時期（例、結晶成長前） ・・結晶成長中 ・充填はたは添加物の材質（例、不純物を含まず）＊ ・・不純物を含む＊ ・充填または添加物の状態（例、気体） ・・液体 ・・固体 ・・・被覆体
PB11 PB13 PB14 PB16
・装置 ・充填または添加プロセス ・・添加量の調整・制御 ・その他
C30B15/06;15/08;27/02 PC PC00
引出し方向に特徴 		PC01 PC02
・非垂直引出し ・下方引出し
C30B15/10;15/12;27/02 PD PD00
融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体 		PD01 PD02 PD03 PD05 PD06 PD08
・るつぼまたは容器（例、材質）＊ ・・形状、構造 ・・・原料追加のための副るつぼ、しきり部をもつもの ・・・多層構造、被覆 ・・・・封止剤が容器の一部をなすもの ・・・二重るつぼ
PD11 PD12 PD15 PD16
・るつぼ、容器を支持する部材（例、材質）＊ ・・形状、構造 ・・・多層構造、被覆 ・・・複数の部材を組合せるもの
C30B15/14-15/18;27/02 PE PE00
融液、封止剤または結晶化した物質の加熱 		PE01 PE02 PE03 PE04 PE05 PE07 PE08
・融液または封止剤の加熱 ・・加熱体の種類 ・・・抵抗加熱 ・・・高周波加熱 ・・・照射または電気放電（１５／１６） ・・複数の加熱手段（部材）からなるもの ・・・直接抵抗加熱に加えて他の加熱方法
PE12 PE14 PE16
・・加熱体の形状、構造、配置 ・・加熱体の材質＊ ・・加熱体と融液間の熱伝導の調整
PE21 PE22 PE24 PE27
・結晶化した物質の加熱（アフタ－ヒ－タ等） ・・加熱体、保温体の形状、構造、配置 ・・加熱体、保温体の材質＊ ・その他（加熱のために付随する機構）
C30B15/20-15/28;27/02 PF PF00
制御または調整 		PF01 PF02 PF03 PF04 PF05 PF07 PF08 PF09
・溶融ゾ－ンの安定化、結晶断面の制御 ・・テレビ、光、Ｘ線を用いる（例、窓） ・・・検出方法、手段 ・・・・光を検出 ・・・・Ｘ線を検出 ・・・検出対象 ・・・・結晶 ・・・・融液表面
PF13 PF15 PF16 PF17
・・・制御動作 ・・・制御量、出力信号 ・・・・融液温度、封止剤温度 ・・・・引上げ速度（るつぼの移動も含む）
PF22 PF23 PF24 PF25 PF27 PF28 PF29
・・結晶または融液の重量変化を用いる ・・・検出方法（重量測定） ・・・・引上げ結晶 ・・・・るつぼ内融液（封止剤も含む） ・・・制御動作 ・・・・重量をそのまま設定値と比較 ・・・・重量を直径に換算して設定値と比較
PF33 PF34 PF35 PF37
・・・制御量、出力信号 ・・・・融液温度、封止剤温度 ・・・・引上げ速度（るつぼの移動も含む） ・・・フロ－トを利用するもの
PF42 PF43 PF45 PF47
・・融液または封止剤中の対流の抑制 ・・・ジャマ板の使用 ・・融液、封止剤またはその表面の冷却 ・・成形ガイド（１５／２４）
PF51 PF52 PF53 PF55
・その他 ・・検出方法 ・・・測温 ・・制御動作
C30B15/30;27/02 PG PG00
融液、封止剤、結晶の回転、移動機構 		PG01 PG03
・結晶の回転または移動 ・融液、封止剤の回転または移動
C30B15/32;27/02 PH PH00
種結晶保持器 		PH01 PH03
・種結晶保持部の構造 ・その他
C30B15/36;27/02 PJ PJ00
種結晶 		PJ01 PJ02 PJ04
・種結晶（例、材質）＊ ・・結晶方位 ・・結晶の形状
C30B15/34;27/02 PK PK00
縁部限定薄膜結晶成長 		PK01 PK03 PK04 PK05 PK06 PK07 PK08
・引上げ機構、その他 ・縁部限定機構（例、幅方向限定） ・・ダイの使用（例、ダイの加熱） ・・・ダイの形状、構造 ・・・・被覆、他のものとの接合 ・・・材質＊ ・・・ダイの支持
C30B19/00-19/12 QA QA00
液相エピタキシャル成長 		QA01 QA02 QA04 QA06
・液相エピタキシャル法の種別 ・・スライドボ－ト法 ・・ディッピング法 ・・傾斜法
QA11 QA12
・溶媒を用いる（１９／０２；１９／０４） ・・溶媒に特徴＊
QA21 QA22 QA23 QA24 QA26 QA27 QA28 QA29
・成長プロセス ・・成長前の基板の取扱い ・・・基板保持雰囲気の調整 ・・・基板をメルトバックさせる工程 ・・融液組成の調整 ・・・不純物を添加するもの ・・・不純物を除去するもの ・・・融液濃度の均一化（例、攪拌）
QA32 QA34 QA36 QA38
・・ダミ－基板を用いるもの ・・成長時の雰囲気の調整 ・・成長時に結晶組成を変化 ・・温度条件の調整、制御（加熱、冷却）
QA42 QA43 QA45
・・膜厚の調整、制御 ・・・基板上にマスクを用いるもの ・・成長結晶表面を洗浄するもの
QA51 QA52 QA54 QA56 QA58
・装置 ・・反応室、融液支持具、基板保持体の材質＊ ・・基板の保持（回転、移動を含む）手段 ・・反応室または基板の加熱手段 ・・成長室へ融液を供給、排出する手段
QA62 QA64 QA66 QA68 QA70
・・融液支持手段（ボ－ト等）の構造 ・・基板と接触する融液表面の清浄化手段 ・・基板または融液のスライド（移動）手段 ・・上下方向に多段に基板および融液を保持 ・・残留融液の除去手段
QA71 QA72 QA73 QA74 QA75 QA77 QA79
・基板（例、材質）（１９／１２）＊ ・・前処理された基板 ・・・化学的処理（例、エッチング） ・・・・被覆 ・・・・ド－ピング ・・・機械的処理（例、基板の形状） ・・基板の結晶方位
QA81
・その他
C30B1/00-27/02 RA RA00
特殊な物理的条件下での単結晶成長 		RA01 RA03 RA05 RA07 RA09
・電場（電気分解等） ・磁場 ・機械的振動 ・無重力または低重力の条件下 ・その他
C30B23/00;23/02 SA SA00
ＰＶＤ 		SA01 SA02 SA03 SA04 SA06 SA07 SA08
・成長結晶の形状（例、塊状） ・・粉末、粒子、ウィスカ－ ・・棒上に成長（例、棒状、膜状） ・・基板上に成長 ・成長工程 ・・成長条件の特定（例、温度、圧力） ・・制御
SA11 SA12
・成長装置 ・・基体保持具、サセプタ
C30B23/08;23/08@Z SB SB00
イオン化蒸気の凝縮 		SB01 SB02 SB03 SB05 SB06 SB07 SB09 SB10
・スパッタリング ・・イオンビ－ムスパッタリング ・・タ－ゲットを特定したもの ・イオンプレ－ティング ・・イオンビ－ム蒸着 ・・クラスタイオンビ－ム蒸着 ・粒子線エピタキシャル成長法 ・その他
C30B23/08@M SC SC00
分子線エピタキシャル法 		SC01 SC02 SC03 SC05 SC06 SC08 SC10
・成長工程 ・・成長条件（例、特定の成長条件下） ・・・成長条件を変化させるもの ・・制御 ・・・分子ビ－ム量の制御 ・・基板表面の清浄化（例、エッチング） ・・マスクを用いるもの
SC11 SC12 SC13 SC14
・成長装置 ・・分子線源 ・・シャッタ－を用いるもの ・・基板の加熱機構
C30B25/00 TA TA00
ＣＶＤ 		TA01 TA02 TA03 TA04 TA06 TA07 TA08
・成長結晶の形状（例、塊状） ・・粉末、粒子、ウイスカー ・・棒上に成長（例、棒状、膜状） ・・基板上に成長 ・成長工程 ・・成長条件の特定（例、温度、圧力） ・・制御
TA11 TA12
・成長装置 ・・基体保持具、サセプタ
C30B25/02;25/02@Z TB TB00
エピタキシャル成長法、装置 		TB01 TB02 TB03 TB04 TB05 TB07 TB08
・成長方法、装置 ・・水素化物法 ・・ハロゲン化物法 ・・・塩素化物法 ・・有機金属気相成長法 ・・熱以外のエネルギ－源を用いるもの ・・・光エネルギ－を用いるもの
TB12 TB13
・・閉管（封管）法 ・・開管法
TC TC00
製造工程 		TC01 TC02 TC03 TC04 TC05 TC06 TC07 TC08 TC09 TC10
・原料ガス、媒体、雰囲気 ・・不純物を含む原料ガス ・・雰囲気 ・・媒体 ・成長（反応）条件の特定 ・・基板温度 ・・原料ガス発生部の温度 ・・圧力 ・・ガス流速 ・・成長速度
TC11 TC12 TC13 TC14 TC15 TC16 TC17 TC19
・複数の工程からなるもの ・・複数の成長工程 ・・・二層 ・・・三層以上 ・・・基板の移動をともなう ・・成長工程以外を含むもの ・・・エッチング工程を含むもの ・半導体素子に関するもの（
C30B25/08 TD TD00
反応室 		TD01 TD02 TD03 TD04 TD05 TD06 TD07 TD08 TD09
・材質 ・形状（外形）、構造 ・・被覆されているもの ・・多重構造（例、二重構造） ・・・保護管を用いるもの（例、ライナー管） ・・原料供給部の形状 ・・複数個の反応室からなるもの ・・細部（例、接続機構） ・予備室を有するもの
C30B25/10 TE TE00
反応室または基板の加熱 		TE01 TE02 TE03 TE05 TE07 TE08 TE10
・加熱方法 ・・高周波加熱 ・・抵抗加熱 ・加熱体の形状、構造、配置 ・中間加熱体（例、材質） ・・形状、構造、配置 ・炉内に複数の温度領域を形成するもの
C30B25/12 TF TF00
基板保持体またはサセプタ 		TF01 TF02 TF03 TF04 TF05 TF06
・材質 ・形状、構造 ・・被覆体 ・・基板保持機構 ・配置 ・基板の移動、回転機構
C30B25/14 TG TG00
基板とガス流との関係 		TG01 TG02 TG03 TG04 TG06 TG07
・基板の配置とガス流の方向 ・・横型（例、基板に垂直なガス流） ・・・基板に平行なガス流 ・・・・水平基板 ・・縦型（例、水平基板に垂直なガス流） ・・・水平基板に平行なガス流
TG12 TG13 TG14 TG15
・・シリンダ型（例、炉壁側から基板に垂直）（図面） ・・・炉壁側で基板に平行なガス流 ・・・炉の中心側から基板に垂直なガス流 ・・・炉の中心側で基板に平行なガス流
TH TH00
ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節 		TH01 TH02 TH03 TH05 TH06 TH07 TH08 TH09 TH10
・原料ガス発生部 ・・バブラ－、気化器 ・・・ガス噴出口にガス発生部があるもの ・ガスの流し方 ・・供給、排出装置 ・・原料ガスの流れ方向を変えるもの（例、流れ方向の反転） ・・・噴出口が可動なもの ・・ガスの撹拌 ・・均一流を得るための反応室の形状、構造
TH11 TH13
・ガス吹出部（噴出口） ・その他
C30B25/16 TJ TJ00
制御または調節 		TJ01 TJ02 TJ03 TJ04 TJ05 TJ06 TJ07
・成長条件の制御 ・・成長速度の制御（膜厚制御） ・・温度制御 ・・圧力制御 ・・組成制御（原料蒸発量制御） ・・・不純物濃度の制御 ・・ダミ－基板を用いた制御
TJ11 TJ12 TJ13 TJ14 TJ15 TJ16 TJ18
・成長条件の測定、観察 ・・膜厚測定 ・・温度測定 ・・圧力測定 ・・ガス組成測定 ・・成長中の結晶の観察 ・その他（例、安全装置）
C30B25/18-25/22 TK TK00
基板 		TK01 TK02 TK04 TK06 TK08 TK10
・材質 ・・不純物を含むもの ・形状（例、凹凸、面取り、粗面） ・結晶方位 ・表面層を有するもの ・基板表面の清浄化（例、エッチング）
TK11 TK13
・除去可能な基板 ・その他
UA UA00
特殊な物理的条件下での単結晶成長 		UA01 UA03 UA05 UA07 UA09
・電場（電気分解等） ・磁場 ・機械的振動 ・無重力または低重力の条件下 ・その他
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