FI(一覧表示)

  • C30B31/00
  • 単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質への拡散またはドーブ工程;そのための装置[3,5] HB CC 4G077
  • C30B31/02
  • ・固相状態の拡散物質と接触させるもの[3] HB CC 4G077
  • C30B31/04
  • ・液相状態の拡散物質と接触させるもの[3] HB CC 4G077
  • C30B31/06
  • ・ガス状態の拡散物質と接触させるもの[2006.01] HB CC 4G077
  • C30B31/08
  • ・・拡散物質が被拡散元素の化合物であるもの[3] HB CC 4G077
  • C30B31/10
  • ・・反応室;そのための材料の選択[3] HB CC 4G077
  • C30B31/12
  • ・・反応室の加熱[3] HB CC 4G077
  • C30B31/14
  • ・・基板保持体またはサセプタ[3] HB CC 4G077
  • C30B31/16
  • ・・ガスの供給および排出手段;ガス流の調節[3] HB CC 4G077
  • C30B31/18
  • ・・制御または調整[3] HB CC 4G077
  • C30B31/20
  • ・電磁波照射または粒子線放射によるドービング[3] HB CC 4G077
  • C30B31/22
  • ・・イオン注入によるもの[3] HB CC 4G077
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