FI(一覧表示)

H01L29/00	整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり，電位障壁を有するもの；電位障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（Ｈ０１Ｌ３１／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，Ｈ１０Ｋ１０／００，Ｈ１０Ｎが優先；半導体本体または電極以外の細部Ｈ０１Ｌ２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００［２００６．０１］	HB	CC	5F039

H01L29/02	・半導体本体に特徴のあるもの	HB	CC	5F039

H01L29/04	・・半導体本体の結晶構造，例．多結晶，立方晶系，特定な結晶面の方向，に特徴のあるもの（不完全結晶２９／３０）［２］	HB	CC	5F039

H01L29/06	・・半導体本体の形状に特徴のあるもの；半導体領域の形，相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの［２］	HB	CC	5F039

H01L29/06,301	・・・耐圧構造（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F139

H01L29/06,301@M	傾斜面［メサ，ベベル］，溝を形成するもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F139

H01L29/06,301@F	フィールドプレートを用いるもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F139

H01L29/06,301@S	半絶縁性膜，高抵抗膜を用いるもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F139

H01L29/06,301@D	半導体領域に特徴のあるもの［不純物濃度，形状，寸法，配置など；Ｒが優先］（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F139

H01L29/06,301@G	・ガードリング，電界制限リングを用いるもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F139

H01L29/06,301@R	曲率［断面，平面］を制御するもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F139

H01L29/06,301@V	縦型素子用のもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F139

H01L29/06,301@Z	その他のもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F139

H01L29/06,601	・・・特殊構造（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F039

H01L29/06,601@Q	量子構造（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F039

H01L29/06,601@W	・量子井戸（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F039

H01L29/06,601@L	・量子細線（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F039

H01L29/06,601@D	・量子ドット，量子島（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F039

H01L29/06,601@S	超格子構造（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F039

H01L29/06,601@N	ナノ構造体［原子，分子レベルの操作によるもの］（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F039

H01L29/06,601@B	立体型素子［例．球状半導体］（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F039

H01L29/06,601@Z	その他のもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F039

H01L29/08	・・・整流，増幅，またはスイッチされる電流を流す電極が接続されている半導体領域をもつものであって，その電極が３つ以上の電極を持つ半導体装置の部分であるもの［２］	HB	CC	5F039

H01L29/10	・・・整流，増幅，またはスイッチされる電流を流さない電極が接続されている半導体領域をもつものであって，その電極が３つ以上の電極を持つ半導体装置の部分であるもの［２］	HB	CC	5F039

H01L29/12	・・構成材料に特徴のあるもの	HB	CC	5F039

H01L29/14	・・・無機材料	HB	CC	5F039

H01L29/16	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，非結合型周期表の第ＩＶ族の元素のみを含むもの［２００６．０１］	HB	CC	5F039

H01L29/161	・・・・・２９／１６に分類されている元素のうち２つ以上を含むもの	HB	CC	5F039

H01L29/163	・・・・・・同じ半導体領域にあるもの	HB	CC	5F039

H01L29/165	・・・・・・異った半導体領域にあるもの	HB	CC	5F039

H01L29/167	・・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの［２］	HB	CC	5F039

H01L29/18	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にしてＳｅまたはＴｅのみを含むもの［２］	HB	CC	5F039

H01L29/20	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，Ａ↓ＩＩＩＢ↓Ｖ化合物のみを含むもの［２］	HB	CC	5F039

H01L29/201	・・・・・２つ以上の化合物を含むもの	HB	CC	5F039

H01L29/203	・・・・・・同じ半導体領域にあるもの	HB	CC	5F039

H01L29/205	・・・・・・異った半導体領域にあるもの	HB	CC	5F039

H01L29/207	・・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの［２］	HB	CC	5F039

H01L29/22	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，Ａ↓ＩＩＢ↓ＶＩ化合物のみを含むもの［２］	HB	CC	5F039

H01L29/221	・・・・・２つ以上の化合物を含むもの	HB	CC	5F039

H01L29/223	・・・・・・同じ半導体領域にあるもの	HB	CC	5F039

H01L29/225	・・・・・・異った半導体領域にあるもの	HB	CC	5F039

H01L29/227	・・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの［２］	HB	CC	5F039

H01L29/24	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，２９／１６，２９／１８，２９／２０，２９／２２に分類されない半導体材料のみを含むもの［２］	HB	CC	5F039

H01L29/26	・・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，２９／１６，２９／１８，２９／２０，２９／２２，２９／２４のグループの２つ以上に分類されている元素を含むもの［２］	HB	CC	5F039

H01L29/263	・・・・・同じ半導体領域にあるもの	HB	CC	5F039

H01L29/267	・・・・・異った半導体領域にあるもの	HB	CC	5F039

H01L29/30	・・物理的不完全性に特徴のあるもの；研磨された表面又はあらされた表面を持つもの	HB	CC	5F039

H01L29/32	・・・不完全性が半導体本体の内部にあるもの	HB	CC	5F039

H01L29/34	・・・不完全性が表面にあるもの	HB	CC	5F039

H01L29/36	・・不純物の濃度又は分布に特徴のあるもの	HB	CC	5F039

H01L29/38	・・２９／０４，２９／０６，２９／１２，２９／３０，２９／３６のグループのうち２つ以上に分類されている特徴の結合に特徴のあるもの	HB	CC	5F039

H01L29/40	・その電極に特徴のあるもの	HB	CC	4M104

H01L29/42	・・整流，増幅，又はスイッチされる電流を流す電極で，その電極は，１つまたは２つの電極を持つ１つの半導体装置の部分であるもの	HB	CC	4M104

H01L29/44	・・・それらの形，大きさまたは配置に特徴のあるもの	HB	CC	4M104

H01L29/44@L	電極の配置	HB	CC	4M104

H01L29/44@P	電極の平面形状	HB	CC	4M104

H01L29/44@S	電極の断面形状	HB	CC	4M104

H01L29/44@Y	電極の特殊機能，例．フィールドプレート	HB	CC	4M104

H01L29/44@Z	その他のもの	HB	CC	4M104

H01L29/46	・・・構成材料に特徴のあるもの	HB	CC	4M104

H01L29/48	・・・表面障壁，例．ショットキー障壁用［２］	HB	CC	4M104

H01L29/48@F	素子構造	HB	CC	4M104

H01L29/48@P	素子の製造方法	HB	CC	4M104

H01L29/48@M	ショットキー用電極の材料が限定されているもの	HB	CC	4M104

H01L29/48@E	周辺効果の緩和	HB	CC	4M104

H01L29/48@D	半導体本体がシリコン以外のもの	HB	CC	4M104

H01L29/48@Z	その他のもの	HB	CC	4M104

H01L29/50	・・整流，増幅又はスイッチされる電流を流す電極で，その電極は３つ以上の電極を持つ１つの半導体装置の部分であるもの	HB	CC	4M104

H01L29/50@B	バイポーラトランジスタ用のもの	HB	CC	4M104

H01L29/50@M	ＭＩＳ・ＭＯＳトランジスタ用のもの	HB	CC	4M104

H01L29/50@J	接合型・ＭＥＳ型用のもの	HB	CC	4M104

H01L29/50@Z	その他のもの	HB	CC	4M104

H01L29/52	・・・それらの形，大きさまたは配置に特徴のあるもの	HB	CC	4M104

H01L29/54	・・・構成材料に特徴のあるもの	HB	CC	4M104

H01L29/56	・・・表面障壁，例．ショットキー障壁用［２］	HB	CC	4M104

H01L29/58	・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流す電極ではなく，その電極は３つ以上の電極を持つ１つの半導体装置の部分であるもの	HB	CC	4M104

H01L29/58@G	ＭＩＳ・ＭＯＳゲート用のもの	HB	CC	4M104

H01L29/58@Z	その他のもの	HB	CC	4M104

H01L29/60	・・・それらの形，大きさまたは配置に特徴のあるもの	HB	CC	4M104

H01L29/62	・・・構成材料に特徴のあるもの	HB	CC	4M104

H01L29/64	・・・表面障壁，例．ショットキー障壁用［２］	HB	CC	4M104

H01L29/66	・それらの動作に特徴のあるもの	HB	CC	5F086

H01L29/66@S	単一電子トンネリング［クーロン・ブロッケード効果］を利用するもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F086

H01L29/66@U	・集積化，回路構成に特徴のあるもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F086

H01L29/66@T	トンネル効果を利用するもの［Ｓを除く］（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F086

H01L29/66@E	電子放出素子，電界放出素子［冷陰極］（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F086

H01L29/66@C	制御手段に特徴のあるもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F086

H01L29/66@L	・光を用いるもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F086

H01L29/66@M	・磁界を用いるもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F086

H01L29/66@Z	その他のもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F086

H01L29/68	・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流または電位を与えるだけで制御できるもの［２］	HB	CC	5F003

H01L29/70	・・・バイポーラ装置	HB	CC	5F003

H01L29/72	・・・・連続的に制御可能なもの	HB	CC	5F003

H01L29/72@S	セルフアライン型バイポーラトランジスタ［ＳＳＴ，ＳＥＢＴ等］（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F003

H01L29/72@P	プレーナー型バイポーラトランジスタ［縦型］（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F003

H01L29/72@H	ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F003

H01L29/72@Z	その他のもの（Ｈ１３．５新設）	HB	CC	5F003

H01L29/74	・・・・連続的に制御可能でないもの，例．サイリスタ	HB	CC	5F005

H01L29/74@A	エミッタ短絡構造	HB	CC	5F005

H01L29/74@B	表面構造〔パッシベーション，ガードリング，溝等〕	HB	CC	5F005

H01L29/74@V	・傾斜面〔ベベル〕を有するもの（Ｈ１１　新設）	HB	CC	5F005

H01L29/74@W	・平面パターン〔多島状エミッタ，くしの歯状電極等〕（Ｈ１１　新設）	HB	CC	5F005

H01L29/74@C	ＧＴＯ・Ｔｏｆｆ短縮	HB	CC	5F005

H01L29/74@D	Ｔｏｎ特性・ゲート構造	HB	CC	5F005

H01L29/74@X	・トレンチゲート，切込ゲート（Ｈ１１　新設）	HB	CC	5F005

H01L29/74@Y	・両面ゲート（Ｈ１１　新設）	HB	CC	5F005

H01L29/74@E	感光・発光サイリスタ	HB	CC	5F005

H01L29/74@F	ＰＮＰＮ一般	HB	CC	5F005

H01L29/74@G	プレーナ・ＩＣ化	HB	CC	5F005

H01L29/74@H	逆導通サイリスタ	HB	CC	5F005

H01L29/74@J	サイリスタ電極構造	HB	CC	5F005

H01L29/74@L	支持体	HB	CC	5F005

H01L29/74@M	静電誘導サイリスタ	HB	CC	5F005

H01L29/74@P	外部素子	HB	CC	5F005

H01L29/74@Q	サイリスタの製造方法〔多段階工程を除く〕	HB	CC	5F005

H01L29/74@R	感熱サイリスタ	HB	CC	5F005

H01L29/74@S	感圧サイリスタ	HB	CC	5F005

H01L29/74@T	感磁サイリスタ	HB	CC	5F005

H01L29/74@U	サイリスタ一般	HB	CC	5F005

H01L29/74@Z	その他のもの	HB	CC	5F005

H01L29/74,301	・・・・・サイリスタの製造のための多段階工程	HB	CC	5F005

H01L29/74,601	・・・・・ＦＥＴ〔Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ〕を用いたもの〔例．ＭＣＴ：ＭＯＳ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ〕（Ｈ１１　新設）	HB	CC	5F005

H01L29/74,601@A	ＭＯＳＦＥＴを用いたもの〔例．ＭＣＴ：ＭＯＳ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ〕（Ｈ１１　新設）	HB	CC	5F005

H01L29/74,601@B	導電度変調〔ＩＧＢＴモード〕を用いたもの〔例．ＥＳＴ：Ｅｍｉｔｔｅｒ　Ｓｗｉｔｃｈｅｄ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ〕（Ｈ１１　新設）	HB	CC	5F005

H01L29/74,601@C	導電型の異なる複数ＦＥＴを用いたもの〔例．ＢＲＴ：Ｂａｓｅ　Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ〕（Ｈ１１　新設）	HB	CC	5F005

H01L29/74,601@Z	その他のもの（Ｈ１１　新設）	HB	CC	5F005

H01L29/743	・・・・・逆阻止サイリスタ	HB	CC	5F005

H01L29/747	・・・・・双方向サイリスタ	HB	CC	5F005

H01L29/747,301	・・・・・・双方向サイリスタの製造のための多段階工程	HB	CC	5F005

H01L29/76	・・・ユニポーラ装置	HB	CC	5F140

H01L29/76,301	・・・・電荷転送装置	HB	CC	4M118

H01L29/76,301@D	構造	HB	CC	4M118

H01L29/76,301@A	・転送部	HB	CC	4M118

H01L29/76,301@B	・・駆動回路	HB	CC	4M118

H01L29/76,301@C	・入力部，出力部，再成部〔駆動を含む〕	HB	CC	4M118

H01L29/76,301@E	応用素子〔Ｆ～Ｊに含まれないもの〕	HB	CC	4M118

H01L29/76,301@F	・シフトレジスタ，遅延線	HB	CC	4M118

H01L29/76,301@G	・記憶装置	HB	CC	4M118

H01L29/76,301@H	・フィルタ	HB	CC	4M118

H01L29/76,301@J	・撮像素子	HB	CC	4M118

H01L29/76,301@K	超音波駆動によるもの	HB	CC	4M118

H01L29/76,301@L	バケット・ブリゲート素子	HB	CC	4M118

H01L29/76,301@Z	その他のもの	HB	CC	4M118

H01L29/78	・・・・絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの	HB	CC	5F140

H01L29/78,301	・・・・・絶縁ゲート型電界効果トランジスタ，例．ＭＯＳＦＥＴ	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@B	化合物半導体を用いるもの	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@C	ＭＯＳＩＣに用いられるもの	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@D	ＤＳＡ・ＭＯＳ	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@E	回路構成のみに特徴があるもの	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@F	単一のプロセスのみに特徴があるもの	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@G	ゲート電極構造のみに特徴があるもの	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@H	チャネル構造のみに特徴があるもの	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@J	とくに動作に特徴があるもの	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@K	保護装置	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@L	ＬＤＤ	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@M	メモリーに用いられるもの，例．１Ｔｒ．ｄＲＡＭセル	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@N	パッシベーション構造のみに特徴があるもの	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@P	ＭＯＳプロセス〔ソース・ドレイン領域形成、セルファラインおよび電極形成のうちのいずれか一つのみに特徴があるもの〕	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@Q	結晶方位の選択のみに特徴があるもの	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@R	分離領域のみに特徴があるもの	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@S	ソース・ドレイン領域のみに特徴があるもの	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@T	試験・測定	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@U	ＩＳ・ＦＥＴ	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@V	溝ほりゲートを持つもの	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@W	パワー，ＭＯＳ〔並列化〕	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@X	その他の，ＭＯＳ構造	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@Y	その他の，ＭＯＳプロセス	HB	CC	5F140

H01L29/78,301@Z	その他〔構造およびプロセスの双方に特徴があるもの〕	HB	CC	5F140

H01L29/78,371	・・・・・・半導体不揮発性記憶装置	HB	CC	5F101

H01L29/78,611	・・・・・・薄膜トランジスタ	HB	CC	5F110

H01L29/78,612	・・・・・・・アクティブ・マトリックスに用いられるもの〔ＴＦＴ単体に特徴があるものを除く〕	HB	CC	5F110

H01L29/78,612@A	素子または配線の欠陥の防止・修正	HB	CC	5F110

H01L29/78,612@B	周辺回路と一体に形成されたもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,612@C	配線に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,612@D	パターニングに特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,612@Z	その他のもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,613	・・・・・・・ＭＯＳＩＣに用いられるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,613@A	ＣＭＯＳ	HB	CC	5F110

H01L29/78,613@B	メモリ	HB	CC	5F110

H01L29/78,613@Z	その他のもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,614	・・・・・・・回路構成に特徴があるもの，例．アクティブ・マトリックス回路自体	HB	CC	5F110

H01L29/78,615	・・・・・・・ＳＯＳ	HB	CC	5F110

H01L29/78,616	・・・・・・・ソース・ドレインに特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,616@A	ＬＤＤ〔構造・製法に特徴があるもの〕	HB	CC	5F110

H01L29/78,616@J	ソース・ドレインの形成方法に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,616@K	・ソース・ドレイン電極の形成方法に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,616@L	・ソース・ドレイン領域の形成方法に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,616@M	・・セルフアライン	HB	CC	5F110

H01L29/78,616@N	・・・裏面からの露光によるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,616@S	ソース・ドレイン領域、電極の構造に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,616@T	・形状に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,616@U	・複数層	HB	CC	5F110

H01L29/78,616@V	・材料・不純物濃度等に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,616@Z	その他のもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,617	・・・・・・・ゲートに特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,617@A	オフセットゲート〔構造・製法に特徴があるもの〕	HB	CC	5F110

H01L29/78,617@J	ゲート電極に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,617@K	・形状に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,617@L	・複数層	HB	CC	5F110

H01L29/78,617@M	・材料・不純物濃度等に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,617@N	・ゲート電極を複数有するもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,617@S	ゲート絶縁膜に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,617@T	・材料に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,617@U	・複数層	HB	CC	5F110

H01L29/78,617@V	・形成方法に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,617@W	・・陽極酸化法を用いるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,617@Z	その他のもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,618	・・・・・・・チャネル半導体層に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,618@A	堆積方法に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,618@B	材料に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,618@C	形状に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,618@D	・薄膜化	HB	CC	5F110

H01L29/78,618@E	複数層	HB	CC	5F110

H01L29/78,618@F	不純物・不純物濃度等に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,618@G	・キャリアにならない不純物を含むもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,618@Z	その他のもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,619	・・・・・・・パッシベーションに特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,619@A	絶縁膜（構造・製法・材料等）に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,619@B	遮光膜（構造・製法・材料等）に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,619@Z	その他のもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,620	・・・・・・・結晶方位の選択に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,621	・・・・・・・分離領域に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,622	・・・・・・・特に動作に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,623	・・・・・・・保護（装置・回路）	HB	CC	5F110

H01L29/78,623@A	静電破壊防止，例．イオン注入時・ラビリング時	HB	CC	5F110

H01L29/78,623@Z	その他のもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,624	・・・・・・・試験・測定、シミュレーション	HB	CC	5F110

H01L29/78,625	・・・・・・・ＩＳＦＥＴ	HB	CC	5F110

H01L29/78,626	・・・・・・・その他の構造	HB	CC	5F110

H01L29/78,626@A	縦型構造	HB	CC	5F110

H01L29/78,626@B	キンク防止	HB	CC	5F110

H01L29/78,626@C	基板（表面層を含む）に特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,626@Z	その他のもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,627	・・・・・・・その他のプロセス	HB	CC	5F110

H01L29/78,627@A	平坦化	HB	CC	5F110

H01L29/78,627@B	連続形成	HB	CC	5F110

H01L29/78,627@C	パターニングに特徴があるもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,627@D	貼り合わせ	HB	CC	5F110

H01L29/78,627@E	ダングリングボンドの終端化を行うもの，例．水素化	HB	CC	5F110

H01L29/78,627@F	アニール	HB	CC	5F110

H01L29/78,627@G	・再結晶化・単結晶化	HB	CC	5F110

H01L29/78,627@Z	その他のもの	HB	CC	5F110

H01L29/78,651	・・・・・・縦型トランジスタ	HB	CC	5F111

H01L29/78,652	・・・・・・・おもに構造に特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@A	トランジスタセルに特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@B	・ソース領域	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@C	・ベース領域［ボディ領域］	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@D	・・高濃度［低抵抗］部	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@E	・・チャンネル部	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@F	・セルを構成する不純物領域等の平面形状・配置パターンに特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@G	ドレイン領域に特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@H	・高抵抗ドリフト層［例．超接合型］	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@J	・・表面に不純物領域・不純物層を形成したもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@K	ＭＯＳゲート［電極・絶縁膜・シールド構造を含む］に特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@L	電極に特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@M	・ソース電極	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@N	チップの周辺部あるいはチップ全体に特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@P	・ガードリング・フィールドプレート	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@Q	・フィンガー・ボンディングパッド・実装関連	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@R	・分離領域	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@S	・複数のトランジスタセルの平面形状・配置パターンに特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@T	基板等の構成材料等に特徴があるもの［例．化合物半導体を用いたもの，面方位に特徴があるもの］	HB	CC	5F111

H01L29/78,652@Z	その他	HB	CC	5F111

H01L29/78,653	・・・・・・・・ゲートがプレーナ型でないもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,653@A	ゲートを溝の内部に形成したもの［例．Ｖ溝（ＶＭＯＳ）形，トレンチゲート（ＵＭＯＳ）形］	HB	CC	5F111

H01L29/78,653@B	・チャンネル層・ソース［ドレイン］層を溝の内部に形成したもの（２９／７８，３０１Ｖも参照）	HB	CC	5F111

H01L29/78,653@C	ゲートを埋め込み形成したもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,653@D	ＳＯＩ・ＳＩＭＯＸ技術を利用したもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,653@Z	その他	HB	CC	5F111

H01L29/78,654	・・・・・・・・動作に特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,654@A	ベース領域にバイアスを印加するもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,654@B	少数キャリア注入領域をもつもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,654@C	ＭＯＳ型ＳＩＴ	HB	CC	5F111

H01L29/78,654@Z	その他	HB	CC	5F111

H01L29/78,655	・・・・・・・・・絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）	HB	CC	5F111

H01L29/78,655@A	トランジスタセル等に特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,655@B	バッファ層に特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,655@C	アノード領域に特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,655@D	・アノード短絡型	HB	CC	5F111

H01L29/78,655@E	キャリアの引き抜きのための領域を追加したもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,655@F	チップの周辺部あるいはチップ全体に特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,655@G	・複数のトランジスタセルの平面形状・配置パターンに特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,655@Z	その他	HB	CC	5F111

H01L29/78,656	・・・・・・・他のトランジスタまたは他種のパワー素子と組み合わせたもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,656@A	縦型トランジスタとの組み合わせ［例．Ｈブリッジ］	HB	CC	5F111

H01L29/78,656@B	横型トランジスタとの組み合わせ	HB	CC	5F111

H01L29/78,656@C	・ＭＯＳ集積回路との組み合わせ［例．パワーＩＣ］（ＭＯＳＩＣ２７／０８）	HB	CC	5F111

H01L29/78,656@D	・・おもに構造に特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,656@E	・・・パワー部と制御部の分離領域	HB	CC	5F111

H01L29/78,656@F	・・・パワー部と制御部の配置パターン	HB	CC	5F111

H01L29/78,656@G	・・おもに製造方法に特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,656@Z	その他	HB	CC	5F111

H01L29/78,657	・・・・・・・保護素子または回路を組み込んだもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,657@A	ダイオード	HB	CC	5F111

H01L29/78,657@B	・ゲート保護ダイオード	HB	CC	5F111

H01L29/78,657@C	・・ＳＯＩ構造のもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,657@D	・還流ダイオード［トランジスタセルから独立した領域をもつもの］	HB	CC	5F111

H01L29/78,657@E	トランジスタ	HB	CC	5F111

H01L29/78,657@F	・動作状態検出のためのトランジスタセル	HB	CC	5F111

H01L29/78,657@G	回路構成に特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,657@Z	その他	HB	CC	5F111

H01L29/78,658	・・・・・・・製造方法に特徴があるもの	HB	CC	5F111

H01L29/78,658@A	不純物領域の形成工程	HB	CC	5F111

H01L29/78,658@B	・セルフアライン拡散	HB	CC	5F111

H01L29/78,658@C	・・ベースウエル中央部の位置の制御	HB	CC	5F111

H01L29/78,658@D	・・ゲート電極端部の位置の制御［例．側壁酸化］	HB	CC	5F111

H01L29/78,658@E	不純物層の成長工程	HB	CC	5F111

H01L29/78,658@F	絶縁層・導電層の形成工程	HB	CC	5F111

H01L29/78,658@G	エッチング	HB	CC	5F111

H01L29/78,658@H	ライフタイム制御	HB	CC	5F111

H01L29/78,658@J	パッシベーション	HB	CC	5F111

H01L29/78,658@K	ウエハの貼り合わせ	HB	CC	5F111

H01L29/78,658@L	検査・測定・シミュレーション技術	HB	CC	5F111

H01L29/78,658@Z	その他	HB	CC	5F111

H01L29/80	・・・・ＰＮ接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの	HB	CC	5F102

H01L29/80@A	素子の種類	HB	CC	5F102

H01L29/80@B	・ＭＥＳ型ＦＥＴ	HB	CC	5F102

H01L29/80@F	・・電極形成に特徴を有するもの	HB	CC	5F102

H01L29/80@K	・・・斜め蒸着の利用	HB	CC	5F102

H01L29/80@L	・・・電極平面構造	HB	CC	5F102

H01L29/80@M	・・・ゲート電極材料	HB	CC	5F102

H01L29/80@U	・・・裏面電極取出し	HB	CC	5F102

H01L29/80@Q	・・表面高抵抗層を有するもの	HB	CC	5F102

H01L29/80@R	・・整合回路・帰還回路等を一体化したもの	HB	CC	5F102

H01L29/80@G	・・実装	HB	CC	5F102

H01L29/80@E	・・集積化	HB	CC	5F102

H01L29/80@H	・・変調ドープしたヘテロ接合を利用するもの〔ＨＥＭＴ〕	HB	CC	5F102

H01L29/80@C	・ＰＮ接合ゲート型ＦＥＴ	HB	CC	5F102

H01L29/80@S	・横型ＳＩＴ	HB	CC	5F102

H01L29/80@V	・縦型ＦＥＴ	HB	CC	5F102

H01L29/80@W	Ｄｕａｌ　Ｇａｔｅ構造を有するもの	HB	CC	5F102

H01L29/80@P	保護機能を有するもの	HB	CC	5F102

H01L29/80@Z	その他のもの	HB	CC	5F102

H01L29/82	・・装置に印加される磁界の変化のみによって制御可能なもの	HB	CC	5F092

H01L29/82@D	ＳＭＤ	HB	CC	5F092

H01L29/82@T	ＳＭＴ	HB	CC	5F092

H01L29/82@Z	その他のもの	HB	CC	5F092

H01L29/84	・・外からの機械的力，例．圧力，の変化のみによって制御可能なもの	HB	CC	4M112

H01L29/84@A	機械的力―電気変換	HB	CC	4M112

H01L29/84@B	・シリコンダイアフラム	HB	CC	4M112

H01L29/84@C	・感圧ＦＥＴ	HB	CC	4M112

H01L29/84@D	・感圧ダイオード	HB	CC	4M112

H01L29/84@E	・くびれ型　感圧サイリスタ	HB	CC	4M112

H01L29/84@F	・感圧トランジスタ	HB	CC	4M112

H01L29/84@G	・加圧機構	HB	CC	4M112

H01L29/84@H	・ＳｎＯ↓２：深い準位を有するもの	HB	CC	4M112

H01L29/84@J	・超音波変換	HB	CC	4M112

H01L29/84@Z	その他のもの	HB	CC	4M112

H01L29/86	・・非制御型；整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流す１つ以上の電極に電流または電圧の変化のみを与えることにより制御可能なもの	HB	CC	5F087

H01L29/86@A	非単結晶を用いているもの	HB	CC	5F087

H01L29/86@F	絶縁層を用いているもの	HB	CC	5F087

H01L29/86@S	超格子構造を用いているもの	HB	CC	5F087

H01L29/86@Z	その他のもの	HB	CC	5F087

H01L29/86,301	・・・ショットキーダイオード	HB	CC	5F087

H01L29/86,301@F	素子構造	HB	CC	5F087

H01L29/86,301@P	素子の製造方法	HB	CC	5F087

H01L29/86,301@M	ショットキー用電極の材料が限定されているもの	HB	CC	5F087

H01L29/86,301@E	周辺効果の緩和	HB	CC	5F087

H01L29/86,301@D	半導体本体がシリコン以外のもの	HB	CC	5F087

H01L29/86,301@Z	その他のもの	HB	CC	5F087

H01L29/88	・・・トンネル効果ダイオード［２］	HB	CC	5F087

H01L29/88@F	絶縁層を用いているもの	HB	CC	5F087

H01L29/88@S	超格子構造を用いているもの	HB	CC	5F087

H01L29/88@Z	その他のもの	HB	CC	5F087

H01L29/90	・・・ブレークダウンダイオード，例．ツェナーダイオード，アバランシェダイオード	HB	CC	5F087

H01L29/90@D	ツェナーダイオード	HB	CC	5F087

H01L29/90@S	・双方向性のもの	HB	CC	5F087

H01L29/90@C	・温度補償をしたもの	HB	CC	5F087

H01L29/90@P	パンチスルー型定電圧ダイオード	HB	CC	5F087

H01L29/90@T	走行時間効果素子	HB	CC	5F087

H01L29/90@Z	その他のもの	HB	CC	5F087

H01L29/91	・・・整流ダイオード	HB	CC	5F087

H01L29/91@A	製造工程に特徴のあるもの	HB	CC	5F087

H01L29/91@B	・高耐圧化のためのもの	HB	CC	5F087

H01L29/91@C	構造に特徴のあるもの	HB	CC	5F087

H01L29/91@D	・高耐圧化のためのもの	HB	CC	5F087

H01L29/91@E	半導体本体が非単結晶シリコンからなるもの	HB	CC	5F087

H01L29/91@F	半導体本体がシリコン以外のもの	HB	CC	5F087

H01L29/91@G	・半導体本体が有機物からなるもの	HB	CC	5F087

H01L29/91@H	ヘテロ接合を用いたもの	HB	CC	5F087

H01L29/91@J	ライフタイムキラーに関するもの	HB	CC	5F087

H01L29/91@K	複数ダイオードの組合せに関するもの	HB	CC	5F087

H01L29/91@L	集積化に関するもの	HB	CC	5F087

H01L29/91@Z	その他のもの	HB	CC	5F087

H01L29/92	・・・電位障壁を有するコンデンサ［２００６．０１］	HB	CC	5F087

H01L29/92@C	複合形コンデンサー	HB	CC	5F087

H01L29/92@Z	その他のもの	HB	CC	5F087

H01L29/93	・・・・可変容量ダイオード，例．バラクタ	HB	CC	5F087

H01L29/93@H	超階段接合を利用したもの	HB	CC	5F087

H01L29/93@S	ショットキーバリアを利用したもの	HB	CC	5F087

H01L29/93@C	容量制御に他の電気的手段を付加したもの	HB	CC	5F087

H01L29/93@Z	その他のもの	HB	CC	5F087

H01L29/94	・・・・金属―絶縁体―半導体，例．ＭＯＳ［２］	HB	CC	5F087

H01L29/94@C	容量制御に他の電気的手段を付加したもの	HB	CC	5F087

H01L29/94@Z	その他のもの	HB	CC	5F087

H01L29/95	・・・・セラミック障壁層コンデンサー（セラミックコンデンサー一般Ｈ０１Ｇ）	HB	CC	5F087

H01L29/96	・・２９／６８，２９／８２，２９／８４，２９／８６のグループのうち少なくとも２つのグループに分類される方法によって制御可能なもの［２］	HB	CC	5F087

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