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| 4M118 | 固体撮像素子 | 電子デバイス |
| H10D44/00 -44/45;H10F39/00-39/18@Z;39/95;H10K39/32-39/34 | ||
| H01L27/14-27/148@Z;29/76,301-29/76,301@Z;H10K39/32-39/34 | AA | AA00 目的・効果 |
AA01 | AA02 | AA03 | AA04 | AA05 | AA06 | AA07 | AA08 | AA09 | AA10 |
| ・光電変換効率の向上 | ・ダイナミックレンジの拡大 | ・電荷転送効率の向上 | ・消費電力低減 | ・偽信号抑制 | ・画素間の感度バラツキ補正 | ・画素欠陥補正 | ・保安・保護 | ・試験・検査 | ・その他＊ | |||
| AB | AB00 用途 |
AB01 | AB02 | AB03 | AB04 | AB05 | AB06 | AB07 | AB08 | AB09 | AB10 | |
| ・撮像 | ・位置検出 | ・寸法，距離検出 | ・分光分析 | ・光通信 | ・アナログ遅延 | ・マルチプレクサ | ・フィルタ | ・相関器，論理アレイ | ・その他＊ | |||
| BA | BA00 基本構造 |
BA01 | BA02 | BA03 | BA04 | BA05 | BA06 | BA07 | BA08 | BA09 | BA10 | |
| ・受光部（光電変換部）１個のみ | ・・受光信号の処理回路を集積（ＯＥＩＣ等） | ・受光部（光電変換部）複数持つ | ・・ＩＣマルチチップ型 | ・・薄膜型 | ・・半導体結晶型 | ・・・薄膜受光部積層型 | ・・・・ＣＣＤ型 | ・・・受光・転送同一平面型 | ・・・・ＣＣＤ型（非薄膜型） | |||
| BA11 | BA12 | BA13 | BA14 | BA15 | BA16 | BA17 | BA18 | BA19 | ||||
| ・・・・・ライン転送方式 | ・・・・・フレーム転送方式 | ・・・・・インターライン転送方式 | ・・・・ＭＯＳ型 | ・・・・ＣＩＤ型 | ・・・・複合型 | ・・・・・ＭＯＳアドレス・Ｈ―ＣＣＤ転送 | ・・・受光・転送基板表裏面型 | ・・・受光・転送基板分離型 | ||||
| BA21 | BA22 | BA23 | BA24 | BA25 | BA30 | |||||||
| ・受光部（光電変換部）なし | ・・シフトレジスタ構成 | ・・メモリ | ・・・直列―並列―直列構成（ＳＰＳ） | ・・用途の特定されないＣＣＤ | ・その他＊ | |||||||
| CA | CA00 受光部構造 |
CA01 | CA02 | CA03 | CA04 | CA05 | CA06 | CA07 | CA08 | CA09 | CA10 | |
| ・素子形態 | ・・ダイオード | ・・・ｐｎ接合 | ・・・・埋込層の利用（埋込ダイオード等） | ・・・ｐｉｎ接合 | ・・・ショットキー接合 | ・・・ＭＯＳダイオード | ・・・・ＣＣＤ転送部自体 | ・・トランジスタ | ・・・ＳＩＴ | |||
| CA11 | CA12 | CA13 | CA14 | CA15 | CA16 | CA17 | CA18 | CA19 | CA20 | |||
| ・・・ＴＦＴ | ・・・フローティングゲートを使用 | ・・・多層絶縁膜（ＭＮＯＳ等）を使用 | ・・光導電（光起電力）素子 | ・・・光導電（光起電力）多層膜 | ・・焦電素子 | ・光電変換部 | ・・不純物濃度分布 | ・・セル形状 | ・・・長方形以外の多角形形状 | |||
| CA21 | CA22 | CA23 | CA24 | CA25 | CA26 | CA27 | ||||||
| ・・・櫛歯状 | ・・１セルに複数の光電変換要素 | ・・・直列接続 | ・・・並列接続 | ・・各受光部の大きさｏｒ特性異なる | ・・・中央部と端部で異なる | ・・・受光波長により異なる | ||||||
| CA31 | CA32 | CA33 | CA34 | CA35 | CA40 | |||||||
| ・保護構造 | ・・保護膜 | ・・・多層 | ・・・光学的機能付与 | ・・エアギャップ構造 | ・その他＊ | |||||||
| CB | CB00 受光部材料 |
CB01 | CB02 | CB03 | CB05 | CB06 | CB07 | CB08 | CB09 | |||
| ・単結晶半導体（Ｓｉ以外）＊ | ・・ＧａＡｓ | ・・ＩｎＰ | ・非単結晶半導体＊ | ・・アモルファスＳｉ | ・・ポリＳｉ | ・・ＣｄＳｅ | ・・ＨｇＣｄＴｅ | |||||
| CB11 | CB12 | CB13 | CB14 | CB20 | ||||||||
| ・蛍光材＊ | ・焦電材＊ | ・絶縁物＊ | ・電極・金属＊ | ・その他＊ | ||||||||
| DA | DA00 転送部構造 |
DA01 | DA02 | DA03 | DA04 | DA05 | DA06 | DA07 | DA08 | |||
| ・転送素子 | ・・表面チャンネルＣＣＤ（ＳＣＣＤ） | ・・埋込チャンネルＣＣＤ（ＢＣＣＤ） | ・・・ヘテロ接合構造 | ・・・表面に反対型導電層を形成 | ・・・多層チャンネル構造 | ・・溝部チャンネル | ・・ＢＢＤ | |||||
| DA11 | DA12 | DA13 | DA14 | DA15 | DA16 | DA18 | DA19 | DA20 | ||||
| ・転送パターン | ・・ＺＴ（ジグザグ）チャンネル | ・・ミアンダ（蛇行）チャンネル | ・・転送路の分岐 | ・・転送路の合成 | ・・転送路の屈曲 | ・転送電極構造 | ・・階段状電極 | ・・転送電極材料＊ | ||||
| DA21 | DA22 | DA23 | DA24 | DA25 | DA27 | DA28 | ||||||
| ・転送方向へのポテンシャル形成 | ・・ステップ酸化膜 | ・・不純物濃度領域 | ・・チャンネルピンチ（ゲート幅変更） | ・・抵抗性ゲート | ・ゲート絶縁膜 | ・・複数層 | ||||||
| DA31 | DA32 | DA33 | DA34 | DA35 | DA36 | DA40 | ||||||
| ・基板内部埋込層 | ・・高不純物濃度領域 | ・・絶縁層 | ・・電極 | ・・結晶欠陥領域 | ・多数キャリアの利用 | ・その他＊ | ||||||
| DB | DB00 駆動・転送方法 |
DB01 | DB02 | DB03 | DB04 | DB05 | DB06 | DB07 | DB08 | DB09 | DB10 | |
| ・転送方式 | ・・バイアス電荷導入（呼び水転送等） | ・・インタレース | ・・電荷掃きよせ | ・転送クロック | ・・二相 | ・・三相 | ・・四相 | ・・クロック幅，タイミングに特徴 | ・・クロック波形に特徴 | |||
| DB11 | DB13 | DB14 | DB15 | DB16 | DB17 | DB18 | DB19 | DB20 | ||||
| ・・・３以上の電圧レベルを有するクロック | ・電位制御 | ・・セル電極／転送電極間電位 | ・・ゲート電極／転送電極間電位 | ・利得制御，感度制御（ＡＧＣ） | ・補償（温度補償等）駆動 | ・電圧以外による駆動 | ・・超音波駆動 | ・その他＊ | ||||
| DC | DC00 転送電荷入力 |
DC01 | DC02 | DC03 | DC04 | DC05 | DC06 | DC07 | DC08 | DC09 | DC10 | |
| ・入力方法 | ・・ダイナミック電流注入法 | ・・ダイオード・カットオフ法 | ・・電位平衡法 | ・・・フローティング拡散層の利用 | ・入力部の配置に特徴 | ・回路構成 | ・・信号入力回路 | ・・クロック入力回路 | ・その他＊ | |||
| DD | DD00 転送電荷検出 |
DD01 | DD02 | DD03 | DD04 | DD05 | DD06 | DD07 | DD08 | DD09 | DD10 | |
| ・検出方法 | ・・電流出力法 | ・・フローティングゲート法 | ・・フローティング拡散法 | ・・・フローティングゲート法兼用 | ・検出部構造 | ・・最終転送電極構造 | ・・出力ゲート構造 | ・回路構成 | ・・差動回路 | |||
| DD11 | DD12 | DD20 | ||||||||||
| ・・蓄積電荷制御 | ・・リセット回路 | ・その他＊ | ||||||||||
| EA | EA00 製造方法 |
EA01 | EA02 | EA03 | EA04 | EA05 | EA06 | EA07 | EA08 | EA09 | ||
| ・特殊な製法の利用 | ・・斜め蒸着 | ・・斜めイオン注入 | ・・リフトオフ | ・・レーザ加工 | ・セルフアライン | ・・ゲート電極と受光領域 | ・・ゲート電極とチャンネル不純物領域 | ・・第１層電極と第２層電極 | ||||
| EA11 | EA12 | EA14 | EA15 | EA16 | EA17 | EA18 | EA20 | |||||
| ・製造中または製造後の検査 | ・・検査用素子（ＴＥＧ）形成 | ・工程の順序に特徴 | ・・ｐ―ウェル | ・・チャンネル分離領域 | ・・転送ゲート | ・・電極パッド部 | ・その他＊ | |||||
| FA | FA00 ＣＣＤ，ＭＯＳ型固体撮像素子の細部 |
FA01 | FA02 | FA03 | FA04 | FA05 | FA06 | FA07 | FA08 | |||
| ・受光部の配置 | ・・転送部との関係 | ・・・１列の受光部に２列以上のＣＣＤ対応 | ・・・１列のＣＣＤに２列以上の受光部対応 | ・・・積層構造 | ・・エリア配列 | ・・・隣接列または行と配置をずらす | ・・リニア配列 | |||||
| FA11 | FA12 | FA13 | FA14 | FA15 | FA16 | FA17 | FA18 | FA19 | FA20 | |||
| ・過剰電荷排出・吸収領域 | ・・オーバーフロードレイン | ・・・縦型 | ・・・横型 | ・・・・各列に配置 | ・・・・・受光部側 | ・・・・・ＣＣＤ側 | ・・・・２列で共有 | ・・・・各受光部ごとに配置 | ・・ダミー転送路による排出 | |||
| FA21 | FA22 | FA23 | FA24 | FA25 | FA26 | FA27 | FA28 | FA29 | ||||
| ・・通常転送路による排出 | ・・信号線による排出 | ・・再結合領域の利用 | ・・電位障壁の利用 | ・分離構造 | ・・チャンネルストッパ拡散領域で分離 | ・・溝による分離 | ・・絶縁物による分離 | ・・フィールドシールド電極による分離 | ||||
| FA31 | FA32 | FA33 | FA34 | FA35 | FA36 | FA37 | FA38 | FA39 | FA40 | |||
| ・受光部から転送部への電荷移送 | ・・素子形態 | ・・・ＭＯＳゲート | ・・・・蓄積部を介する | ・・・・転送電極兼用 | ・・・接合型ＦＥＴ | ・・・ＳＩＴ | ・・蓄積部 | ・・・蓄積電極 | ・・・フレーム蓄積部 | |||
| FA41 | FA42 | FA43 | FA44 | FA45 | FA46 | FA47 | FA50 | |||||
| ・・・・２フレーム蓄積部 | ・・・信号電荷の増幅をするもの | ・転送路配置 | ・・水平転送路構造を複数有するもの | ・・水平・垂直方向転送部で異特性 | ・受光・転送部の基板高さ相異 | ・受光・転送部の不純物領域の深さ相異 | ・その他＊ | |||||
| FB | FB00 薄膜型固体撮像素子の細部 |
FB01 | FB02 | FB03 | FB04 | FB05 | FB06 | FB07 | FB08 | FB09 | FB10 | |
| ・駆動方式 | ・・個別駆動（自己走査型） | ・・マトリックス型駆動 | ・・ＣＣＤ駆動 | ・・ＢＢＤ駆動 | ・・ＩＣ個別駆動 | ・受光部の配置 | ・・受光部リニア配列 | ・・受光部エリア配列 | ・セル構成 | |||
| FB11 | FB12 | FB13 | FB14 | FB15 | FB16 | FB17 | FB18 | FB19 | FB20 | |||
| ・・回路素子 | ・・・三端子能動素子 | ・・・・ＴＦＴ | ・・・二端子能動素子 | ・・・・ブロッキングダイオード | ・・・容量素子 | ・・・抵抗素子 | ・・セル間接続構造 | ・・セル信号線接続構造 | ・・基板材料に特徴 | |||
| FB21 | FB22 | FB23 | FB24 | FB25 | FB26 | FB27 | FB29 | FB30 | ||||
| ・分離構造 | ・・受光部の分離 | ・・・薄膜一体形成 | ・・・受光部ごとパターニング | ・・信号線の分離 | ・・・上下絶縁構造 | ・・・シールド電極構造 | ・不均一配線容量の補償構造 | ・その他＊ | ||||
| FC | FC00 ＯＥＩＣの細部 |
FC01 | FC02 | FC03 | FC04 | FC05 | FC06 | FC07 | FC08 | FC09 | FC10 | |
| ・集積化素子の種類 | ・・発光素子 | ・・・レーザ | ・・・ＬＥＤ | ・・能動素子 | ・・・ＭＯＳＦＥＴ | ・・・ＭＥＳＦＥＴ | ・・・ＨＥＭＴ | ・・・バイポーラＴｒ（ＨＢＴ等） | ・・光変調素子 | |||
| FC13 | FC14 | FC15 | FC16 | FC17 | FC18 | FC20 | ||||||
| ・構造 | ・・平坦化 | ・・積層構造 | ・半導体基板材料 | ・・ＧａＡｓ | ・・Ｓｉ | ・その他＊ | ||||||
| GA | GA00 光照射 |
GA01 | GA02 | GA03 | GA04 | GA05 | GA06 | GA07 | GA08 | GA09 | GA10 | |
| ・照射構造 | ・・裏面照射 | ・・反射光（原稿からの反射光検出） | ・・原稿照明装置一体化 | ・・バイアス光の利用 | ・採光構造 | ・・窓構造 | ・・反射構造 | ・・導光構造 | ・その他＊ | |||
| GB | GB00 遮光膜 |
GB01 | GB02 | GB03 | GB04 | GB05 | GB06 | GB07 | GB08 | GB09 | GB10 | |
| ・パッケージに形成 | ・モノリシックに形成 | ・・チップ表面（保護膜直下を含む） | ・・チップ裏面 | ・・透光基板と半導体の間 | ・配置 | ・・セル電極間，画素周辺 | ・・チャンネル部 | ・・暗電流測定（ダミー）受光部 | ・材料 | |||
| GB11 | GB12 | GB13 | GB14 | GB15 | GB16 | GB17 | GB18 | GB19 | GB20 | |||
| ・・金属 | ・・半導体 | ・・有機物 | ・特性・構造 | ・・電極兼用 | ・・絶縁膜兼用 | ・・多層，多重構造 | ・・・遮光膜外側に反射防止膜 | ・製法・工程に特徴 | ・その他＊ | |||
| GC | GC00 フィルタ |
GC01 | GC02 | GC03 | GC07 | GC08 | GC09 | |||||
| ・フィルタの配置 | ・・基板兼用 | ・・保護膜兼用 | ・カラーフィルタ | ・・３色 | ・・４色 | |||||||
| GC11 | GC13 | GC14 | GC15 | GC17 | GC20 | |||||||
| ・ＩＲカットフィルタ | ・形状 | ・・モザイク状 | ・・ストライプ状 | ・製法・工程に特徴 | ・その他＊ | |||||||
| GD | GD00 集光要素 |
GD01 | GD02 | GD03 | GD04 | GD05 | GD06 | GD07 | GD08 | GD09 | GD10 | |
| ・レンズ | ・・配置 | ・・・チップに対応して１個 | ・・・各光電変換素子ごと | ・・・列状 | ・・形状 | ・・・凸レンズ | ・・・凹レンズ | ・・・フレネルレンズ | ・・・屈折率分布型 | |||
| GD11 | GD12 | GD13 | GD14 | GD15 | GD16 | GD20 | ||||||
| ・導光体 | ・・蛍光体混入 | ・プリズム | ・ミラー | ・・モノリシック型 | ・・曲面（非平面）状 | ・その他＊ | ||||||
| HA | HA00 実装 |
HA01 | HA02 | HA03 | HA04 | HA05 | HA07 | HA08 | HA09 | HA10 | ||
| ・封止 | ・・キャップ型 | ・・・位置決め | ・・・・フィルタとの位置合わせ | ・・・・枠体との位置合わせ | ・・・反射防止膜 | ・・・静電防止膜 | ・・・内部充填 | ・・・配線 | ||||
| HA11 | HA12 | HA14 | HA15 | HA16 | HA17 | HA19 | HA20 | |||||
| ・・・封止材＊ | ・・モールド型 | ・・・凹部にセンサ素子を実装 | ・・・凸部にセンサ素子を実装 | ・・・モールド形状 | ・・・モールド材＊ | ・装着 | ・・装着物 | |||||
| HA21 | HA22 | HA23 | HA24 | HA25 | HA26 | HA27 | HA29 | HA30 | ||||
| ・・・ＩＣマルチチップ型 | ・・・駆動回路チップ | ・・・光学要素（アパーチャ，光ファイバ等） | ・・装着方法 | ・・基板材料 | ・・・ガラス基板 | ・・・フィルム状基板 | ・回路接続方法 | ・・ボンディングパッド | ||||
| HA31 | HA32 | HA33 | HA35 | HA36 | HA40 | |||||||
| ・・バンプ | ・・異方性導電体 | ・・基板ヴィアホール | ・付属機能の付加 | ・・温度制御部 | ・その他＊ |