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| 4M112 | 圧力センサ | 電子デバイス |
| H10D48/50 -48/50@Z | ||
| H10D48/50-48/50@Z | AA | AA00 素子の機能 |
AA01 | AA02 | AA03 | AA04 | AA06 | AA07 | AA10 | |||
| ・流体圧力センサ | ・加速度センサ | ・ＡＡ０１～０２以外の一軸センサ | ・ＡＡ０１～０２以外の多軸センサ | ・音波、超音波、振動センサ | ・感圧スイッチ | ・その他の機能（＊） | ||||||
| BA | BA00 素子の種類 |
BA01 | BA02 | BA03 | BA04 | BA05 | BA07 | BA08 | BA10 | |||
| ・抵抗体に基づくもの | ・トランジスタに基づくもの | ・・ＦＥＴに基づくもの | ・ダイオードに基づくもの | ・サイリスタに基づくもの | ・容量の変化を利用するもの | ・周波数、振動数の変化を利用するもの | ・その他の素子（＊） | |||||
| H01L29/84-29/84@Z | CA | CA00 素子の構造 |
CA01 | CA02 | CA03 | CA04 | CA05 | CA06 | CA07 | CA08 | CA09 | CA10 |
| ・ダイアフラム型素子 | ・・ダイアフラムの構造、形状 | ・・・ダイアフラムの断面構造 | ・・・ダイアフラムの平面形状 | ・・・結晶配向、結晶軸 | ・・複数個のダイアフラムを備えるもの | ・・抵抗 | ・・・ゲージ抵抗 | ・・・・配置、形状 | ・・・補償、調整用抵抗 | |||
| CA11 | CA12 | CA13 | CA14 | CA15 | CA16 | |||||||
| ・・電極 | ・・計測、演算増幅回路 | ・・配線、出力端子、リード | ・・保護、絶縁層 | ・・ダイアフラムの基体への取り付け | ・・ダイアフラム型素子のその他の細部（＊） | |||||||
| CA21 | CA22 | CA23 | CA24 | CA25 | CA26 | CA27 | CA28 | CA29 | CA30 | |||
| ・ビーム（梁）型、重錘型素子 | ・・ビーム（梁）、重錘の構造、形状 | ・・・ビーム（梁）、重錘を一箇所で支持するもの | ・・・ビーム（梁）、重錘を複数箇所で支持するもの | ・・・結晶配向、結晶軸 | ・・複数個のビーム（梁）、重錘を備えるもの | ・・抵抗 | ・・・ゲージ抵抗 | ・・・・配置、形状 | ・・・補償、調整用抵抗 | |||
| CA31 | CA32 | CA33 | CA34 | CA35 | CA36 | |||||||
| ・・電極 | ・・計測、演算増幅回路 | ・・配線、出力端子、リード | ・・保護、絶縁層 | ・・素子の基体への取り付け | ・・ビーム（梁）、重錘型素子とその他の細部 | |||||||
| CA41 | CA42 | CA43 | CA44 | CA45 | CA46 | CA47 | CA48 | CA49 | CA50 | |||
| ・その他の型の素子 | ・・素子の起歪体の構造、形状 | ・・・リンクを用いるもの | ・・・結晶配向、結晶軸 | ・・複数個の感圧要素を備えるもの | ・・・複数個の感圧要素を同一面に分布させたもの | ・・抵抗 | ・・・ゲージ抵抗 | ・・・・配置、形状 | ・・・補償、調整用抵抗 | |||
| CA51 | CA52 | CA53 | CA54 | CA55 | CA56 | CA58 | CA59 | |||||
| ・・電極 | ・・計測、演算増幅回路 | ・・配線、出力端子、リード | ・・保護、絶縁層 | ・・素子の基体への取り付け | ・・素子のその他の細部（＊） | ・複数種類の感圧機構を備えるもの | ・機械力以外を検出するセンサ機能を兼備するもの | |||||
| H10D48/50-48/50@Z | DA | DA00 製造工程 |
DA01 | DA02 | DA03 | DA04 | DA05 | DA06 | DA07 | DA08 | DA09 | DA10 |
| ・素子本体の製造工程（＊） | ・・エッチング | ・・・ドライエッチング | ・・・ウェットエッチング | ・・研削、研磨 | ・・ＣＶＤ | ・・エピタキシャル法 | ・・蒸着 | ・・スパッタリング | ・・イオン注入 | |||
| DA11 | DA12 | DA13 | DA14 | DA15 | DA16 | DA17 | DA18 | DA19 | DA20 | |||
| ・・酸化 | ・・拡散 | ・・加熱 | ・・アニ－ル | ・・ビ－ム照射、フォトリソグラフィ－ | ・・切断、ダイシング | ・・テスト、調整 | ・・接着、接合、マウント | ・・多段工程、複合工程 | ・素子本体以外の製造工程 | |||
| EA | EA00 材料 |
EA01 | EA02 | EA03 | EA04 | EA05 | EA06 | EA07 | EA08 | EA09 | EA10 | |
| ・素子本体の構成材料（＊） | ・・Ｓｉ | ・・・Ｓｉ単結晶 | ・・・ポリシリコン | ・・・アモルファスシリコン | ・・・ＳｉＯ２ | ・・・ＳｉＮ | ・・Ｓｉ以外の半導体 | ・・・ＧａＡｓ系、その他の３―５族系半導体 | ・・ドーパント、不純物（＊） | |||
| EA11 | EA12 | EA13 | EA14 | EA15 | EA17 | EA18 | EA20 | |||||
| ・・金属、合金 | ・・金属化合物 | ・・ガラス | ・・有機ポリマー | ・・流体 | ・素子本体の処理材料（＊） | ・・エッチャント | ・その他の材料 | |||||
| FA | FA00 目的、効果 |
FA01 | FA02 | FA03 | FA04 | FA05 | FA06 | FA07 | FA08 | FA09 | FA10 | |
| ・感度向上 | ・特性の線形性の向上 | ・零点調整 | ・ヒステリシスの除去 | ・温度特性、耐熱性の向上 | ・経時特性の向上 | ・耐圧向上、破壊強度の向上、測定範囲の広域化 | ・耐環境性の向上 | ・歪、応力の不均一是正 | ・断線防止 | |||
| FA11 | FA20 | |||||||||||
| ・絶対圧の測定 | ・その他の目的、効果（＊） | |||||||||||
| GA | GA00 その他の構成 |
GA01 | GA02 | GA03 | GA10 | |||||||
| ・ハウジング | ・抵抗 | ・計測、演算増幅回路 | ・その他（＊） |