FI(一覧表示)

H01L27/00	１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置（その細部Ｈ０１Ｌ２３／００，Ｈ０１Ｌ２９／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，Ｈ１０Ｋ，Ｈ１０Ｎ；複数の個々の固体装置からなる組立体Ｈ０１Ｌ２５／００）［２００６．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F081

H01L27/00,301	・三次元回路素子		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@A	素子配置に特徴のある積層型		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@C	・接続構造		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@H	・放熱構造；シールド構造		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@R	・再結晶化技術		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@N	・半導体ｉ層介在型		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@D	・単結晶絶縁体層介在型		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@E	・単結晶直接成長技術		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@S	・ＳＩＭＯＸ		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@L	・まわり込み酸化		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@F	・ＦＩＰＯＳ		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@P	・ポリアモルファス積層型		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@Y	・その他の構造		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@B	接着型		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@W	両面型		HB	CC	5F080

H01L27/00,301@Z	その他		HB	CC	5F080

H01L27/01	・１つの共通絶縁基板上に形成された薄膜または厚膜受動素子のみからなるもの［３］		HB	CC	5F081

H01L27/01,301	・・厚膜回路		HB	CC	5F081

H01L27/01,311	・・薄膜回路		HB	CC	5F081

H01L27/01,321	・・厚膜トリミング；薄膜トリミング		HB	CC	5F081

H01L27/02	・整流，発振，増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり，電位障壁を有するもの；電位障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの［２００６．０１］		HB	CC	5F081

H01L27/04	・・基板が半導体本体であるもの［２］		HB	CC	5F038

H01L27/04@A	基板上の素子配置		HB	CC	5F038

H01L27/04@B	基準電圧発生回路		HB	CC	5F038

H01L27/04@C	容量素子		HB	CC	5F038

H01L27/04@D	配線		HB	CC	5F038

H01L27/04@E	端子の機能または配置		HB	CC	5F038

H01L27/04@F	機能；動作		HB	CC	5F038

H01L27/04@G	基板バイアス発生；昇圧		HB	CC	5F038

H01L27/04@H	保護		HB	CC	5F038

H01L27/04@L	誘導素子；インダクタンス発生回路		HB	CC	5F038

H01L27/04@M	機能切換		HB	CC	5F038

H01L27/04@P	薄膜抵抗		HB	CC	5F038

H01L27/04@R	拡散抵抗		HB	CC	5F038

H01L27/04@T	テスト回路；検査回路		HB	CC	5F038

H01L27/04@U	機能ブロック組合せ，例．システムＬＳＩ		HB	CC	5F038

H01L27/04@V	可変インピーダンス；トリミング		HB	CC	5F038

H01L27/04@Z	その他のもの		HB	CC	5F038

H01L27/06	・・・複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの［２］		HB	CC	5F082

H01L27/06@F	ＭＯＳを除くＦＥＴを主体とする集積回路		HB	CC	5F082

H01L27/06@T	サイリスタを主体とする集積回路		HB	CC	5F082

H01L27/06@Z	その他		HB	CC	5F082

H01L27/06,101	・・・・バイポーラ素子を主体とする集積回路		HB	CC	5F082

H01L27/06,101@B	バイポーラトランジスタからなるもの		HB	CC	5F082

H01L27/06,101@U	バイポーラトランジスタとユニポーラトランジスタからなるもの		HB	CC	5F082

H01L27/06,101@S	バイポーラトランジスタとＳＩＴからなる論理回路		HB	CC	5F082

H01L27/06,101@D	バイポーラトランジスタと誘導素子，容量，抵抗またはダイオードからなるもの		HB	CC	5F082

H01L27/06,101@P	保護回路		HB	CC	5F082

H01L27/06,101@Z	その他		HB	CC	5F082

H01L27/06,102	・・・・ＭＯＳ素子を主体とする集積回路		HB	CC	5F048

H01L27/06,102@A	ＭＯＳと，受動素子またはダイオードを集積したもの		HB	CC	5F048

H01L27/06,102@Z	その他		HB	CC	5F048

H01L27/06,311	・・・・・保護回路		HB	CC	5F048

H01L27/06,311@A	抵抗を用いて保護したもの；コンタクト部に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H01L27/06,311@B	ダイオードを用いて保護したもの		HB	CC	5F048

H01L27/06,311@C	バイポーラを含むＭＯＳ構造を用いて保護したもの		HB	CC	5F048

H01L27/06,311@Z	その他		HB	CC	5F048

H01L27/06,321	・・・・バイＭＯＳを主体とする集積回路		HB	CC	5F048

H01L27/06,321@A	全体に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H01L27/06,321@B	バイポーラトランジスタの構成に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H01L27/06,321@C	素子分離		HB	CC	5F048

H01L27/06,321@D	ラッチアップ防止		HB	CC	5F048

H01L27/06,321@E	基板；ウェル；埋込み層		HB	CC	5F048

H01L27/06,321@F	コンタクト；電極；配線		HB	CC	5F048

H01L27/06,321@G	回路構成に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H01L27/06,321@H	・バイＭＯＳ複合機能素子		HB	CC	5F048

H01L27/06,321@J	・特定用途用，例．論理回路またはメモリ		HB	CC	5F048

H01L27/06,321@Z	その他		HB	CC	5F048

H01L27/06,331	・・・・基板バイアス回路		HB	CC	5F048

H01L27/07	・・・・構成部品が共通の活性領域をもつもの［５］		HB	CC	5F082

H01L27/07,101	・・・・・バイポーラトランジスタを含む集積回路（Ｈ０１Ｌ２７／０７，１０２が優先）		HB	CC	5F082

H01L27/07,102	・・・・・ＭＯＳを含む集積回路		HB	CC	5F048

H01L27/08	・・・１種類の半導体構成部品だけを含むもの［２］		HB	CC	5F082

H01L27/082	・・・・バイポーラ構成部品のみを含むもの［５］		HB	CC	5F082

H01L27/082@B	バイポーラトランジスタからなるもの		HB	CC	5F082

H01L27/082@L	バイポーラトランジスタからなる論理回路		HB	CC	5F082

H01L27/082@M	・ＩＩＬ		HB	CC	5F082

H01L27/082@J	・・インジェクタ		HB	CC	5F082

H01L27/082@N	・・インバータ		HB	CC	5F082

H01L27/082@W	・・ＩＩＬを含む回路		HB	CC	5F082

H01L27/082@T	特性が異なるバイポーラトランジスタからなるもの		HB	CC	5F082

H01L27/082@C	ＮＰＮ型とＰＮＰ型の組み合わせ		HB	CC	5F082

H01L27/082@V	縦型と横型の組み合わせ		HB	CC	5F082

H01L27/082@D	ダーリントン接続		HB	CC	5F082

H01L27/082@Z	その他		HB	CC	5F082

H01L27/085	・・・・電界効果構成部品のみを含むもの［５］		HB	CC	5F048

H01L27/088	・・・・・構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの［５］		HB	CC	5F048

H01L27/088@A	ＭＯＳ構造全体に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H01L27/088@B	チャネル構造またはソースドレイン形成		HB	CC	5F048

H01L27/088@C	ゲート電極またはゲート絶縁膜		HB	CC	5F048

H01L27/088@D	コンタクト；電極；配線		HB	CC	5F048

H01L27/088@E	積層型ＭＯＳ；縦型ＭＯＳ		HB	CC	5F048

H01L27/088@F	ＭＯＳＩＣに対する保護回路		HB	CC	5F048

H01L27/088@H	メモリ；論理回路		HB	CC	5F048

H01L27/088@J	回路構成に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H01L27/088@Z	その他のもの		HB	CC	5F048

H01L27/088,311	・・・・・・Ｅ―ＤＭＯＳ；Ｅ―ＥＭＯＳ		HB	CC	5F048

H01L27/088,311@A	全体に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H01L27/088,311@Z	その他		HB	CC	5F048

H01L27/088,331	・・・・・・寄生効果防止，例．素子分離		HB	CC	5F048

H01L27/088,331@A	絶縁分離		HB	CC	5F048

H01L27/088,331@B	チャンネルストッパー；ガードリング		HB	CC	5F048

H01L27/088,331@C	基板；埋込み層		HB	CC	5F048

H01L27/088,331@D	ウェル		HB	CC	5F048

H01L27/088,331@E	ＳＯＳ；ＳＯＩ		HB	CC	5F048

H01L27/088,331@F	ダイオードまたは抵抗を用いたもの		HB	CC	5F048

H01L27/088,331@G	バイアスを与えたもの		HB	CC	5F048

H01L27/088,331@Z	その他のもの		HB	CC	5F048

H01L27/092	・・・・・・相補型ＭＩＳ電界効果トランジスタ［５］		HB	CC	5F048

H01L27/092@A	ＣＭＯＳ全体に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H01L27/092@B	ウェル；基板；埋込み層		HB	CC	5F048

H01L27/092@C	チャネル構造		HB	CC	5F048

H01L27/092@D	ゲート電極またはゲート絶縁膜		HB	CC	5F048

H01L27/092@E	ソースドレイン形成		HB	CC	5F048

H01L27/092@F	コンタクト；電極；配線		HB	CC	5F048

H01L27/092@G	積層型ＭＯＳ；縦型ＭＯＳ		HB	CC	5F048

H01L27/092@H	ＣＭＯＳに対する保護回路		HB	CC	5F048

H01L27/092@K	メモリ；論理回路		HB	CC	5F048

H01L27/092@L	回路構成に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H01L27/092@N	製造工程の簡略化		HB	CC	5F048

H01L27/092@Z	その他のもの		HB	CC	5F048

H01L27/095	・・・・・構成部品がショットキー障壁ゲート電界効果トランジスタであるもの［５］		HB	CC	5F082

H01L27/098	・・・・・構成部品がＰＮ接合ゲート電界効果トランジスタであるもの［５］		HB	CC	5F082

H01L27/10	・・・複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの［２］		HB	CC	5F083

H01L27/102	・・・・バイポーラ構成部品を含むもの［２０２３．０１］		HB	CC	5F083

H01L27/105	・・・・電界効果構成部品を含むもの［２０２３．０１］		HB	CC	5F083

H01L27/118	・・・・マスタースライス集積回路［５］		HB	CC	5F048

H01L27/118,101	・・・・・バイポーラトランジスタを含む集積回路；ＦＥＴを含む集積回路（Ｈ０１Ｌ２７／１１８，１０２が優先）		HB	CC	5F082

H01L27/118,102	・・・・・ＭＯＳを含む集積回路		HB	CC	5F048

H01L27/12	・・基板が半導体本体以外のもの，例．絶縁体本体［２］		HB	CC	5F084

H01L27/12@A	アクティブマトリックス		HB	CC	5F084

H01L27/12@B	接着型ＳＯＩ		HB	CC	5F084

H01L27/12@C	接続；配線		HB	CC	5F084

H01L27/12@D	単結晶絶縁膜		HB	CC	5F084

H01L27/12@E	エピタキシャル型；インプラ絶縁膜形成		HB	CC	5F084

H01L27/12@F	素子分離；領域分離		HB	CC	5F084

H01L27/12@G	半絶縁型，例．ＧａＡｓ		HB	CC	5F084

H01L27/12@H	多結晶支持体		HB	CC	5F084

H01L27/12@K	保護回路		HB	CC	5F084

H01L27/12@L	配置；レイアウト		HB	CC	5F084

H01L27/12@P	多結晶能動層；アモルファス層		HB	CC	5F084

H01L27/12@Q	超格子		HB	CC	5F084

H01L27/12@R	再結晶		HB	CC	5F084

H01L27/12@S	ＳＯＳ		HB	CC	5F084

H01L27/12@T	テスト；検査		HB	CC	5F084

H01L27/12@Z	その他のもの		HB	CC	5F084

H01L27/13	・・・薄膜または厚膜受動構成部品と組合せたもの［３］		HB	CC	5F081

H01L27/14	・赤外線，可視光，短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で，これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの（構造的に１つまたはそれ以上の電気光源のみに関連する輻射線感応構成部品Ｈ０１Ｌ３１／１４；光電気素子と光ガイドとの結合Ｇ０２Ｂ６／４２）［２］		HB	CC	4M118

H01L27/142	・・エネルギー変換装置（装置と一体化または直接結合したバイパスダイオードを備える光起電［ＰＶ］モジュールまたは１つ１つのＰＶ素子のアレイＨ０１Ｌ３１／０４４３；同じ基板上に堆積された複数の薄膜太陽電池により構成されたＰＶモジュールＨ０１Ｌ３１／０４６）［５，２０１４．０１］		HB	CC	4M118

H01L27/144	・・輻射線によって制御される装置［５］		HB	CC	4M118

H01L27/144@K	特殊用途用固体撮像素子；特定用途用受光素子		HB	CC	4M118

H01L27/144@J	・光通信用受光素子		HB	CC	4M118

H01L27/144@Z	その他のもの		HB	CC	4M118

H01L27/146	・・・固体撮像装置構造［５］		HB	CC	4M118

H01L27/146@A	プレナ固体撮像素子，例．ＭＯＳ型，ＦＥＴ型，ＳＩＴ型またはＣＰＤ型		HB	CC	4M118

H01L27/146@G	・電荷注入デバイス［ＣＩＤ］型		HB	CC	4M118

H01L27/146@F	・ハイブリッド固体撮像素子		HB	CC	4M118

H01L27/146@E	・・光導電層積層型		HB	CC	4M118

H01L27/146@C	薄膜固体撮像素子		HB	CC	4M118

H01L27/146@D	パッケージ；フィルタ；チップ；表面層		HB	CC	4M118

H01L27/146@Z	その他のもの		HB	CC	4M118

H01L27/148	・・・・電荷結合型固体撮像装置［５］		HB	CC	4M118

H01L27/148@B	ＣＣＤ型，例．ＦＴ方式，ＩＬ方式，ＬＡ方式，ＣＳ方式，クロスゲート方式または一次元用		HB	CC	4M118

H01L27/148@H	・時間遅延積分［ＴＤＩ］型		HB	CC	4M118

H01L27/148@Z	その他のもの		HB	CC	4M118

H01L27/15	・電位障壁を有し，光放出に特に適用される半導体構成部品を含むもの［２００６．０１］		HB	CC	5F097

H01L27/15@A	他の素子との集積に特徴		HB	CC	5F097

H01L27/15@B	・駆動素子または光変調素子との集積		HB	CC	5F097

H01L27/15@C	・放出光の導波手段，例．光導波路または光スイッチング素子，との集積		HB	CC	5F097

H01L27/15@D	・受光素子との集積		HB	CC	5F097

H01L27/15@T	３次元光集積回路		HB	CC	5F097

H01L27/15@S	光信号回路		HB	CC	5F097

H01L27/15@H	ハイブリッド装置；実装		HB	CC	5F097

H01L27/15@Z	その他のもの		HB	CC	5F097

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