FI(一覧表示)

H01L27/00	１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置（その細部Ｈ０１Ｌ２３／００，Ｈ０１Ｌ２９／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，Ｈ１０Ｋ，Ｈ１０Ｎ；複数の個々の固体装置からなる組立体Ｈ０１Ｌ２５／００）［２００６．０１］	HB	CC	5F081

H01L27/02	・整流，発振，増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり，電位障壁を有するもの；電位障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの［２００６．０１］	HB	CC	5F081

H01L27/12	・・基板が半導体本体以外のもの，例．絶縁体本体［２］	HB	CC	5F084

H01L27/12@A	アクティブマトリックス	HB	CC	5F084

H01L27/12@B	接着型ＳＯＩ	HB	CC	5F084

H01L27/12@C	接続；配線	HB	CC	5F084

H01L27/12@D	単結晶絶縁膜	HB	CC	5F084

H01L27/12@E	エピタキシャル型；インプラ絶縁膜形成	HB	CC	5F084

H01L27/12@F	素子分離；領域分離	HB	CC	5F084

H01L27/12@G	半絶縁型，例．ＧａＡｓ	HB	CC	5F084

H01L27/12@H	多結晶支持体	HB	CC	5F084

H01L27/12@K	保護回路	HB	CC	5F084

H01L27/12@L	配置；レイアウト	HB	CC	5F084

H01L27/12@P	多結晶能動層；アモルファス層	HB	CC	5F084

H01L27/12@Q	超格子	HB	CC	5F084

H01L27/12@R	再結晶	HB	CC	5F084

H01L27/12@S	ＳＯＳ	HB	CC	5F084

H01L27/12@T	テスト；検査	HB	CC	5F084

H01L27/12@Z	その他のもの	HB	CC	5F084

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