FIメイングループ/ファセット選択

  • H01C1/00
  • 細部 HB CC 5E028
  • H01C3/00
  • 線またはリボンで形成された非可調整金属抵抗器,例.コイル状,編組み状またはグリッド状に形成されたもの HB CC 5E029
  • H01C7/00
  • 1以上の層または被覆状に形成された非可調整抵抗器;粉末絶縁材料を含むかまたは含まない粉末導電材料または粉末半導体材料で形成された非可調整抵抗器(ルーズな粉末状または顆粒状の物質より成るものH01C8/00;電位障壁を有する抵抗器,例.電界効果による抵抗器,H01L29/00;電磁波または粒子線輻射に感応する半導体装置,例.光抵抗器H01L31/00;磁界制御抵抗H10NL50/10;バルク負性抵抗効果装置H10N80/00)[2006.01] HB CC 5E033
  • H01C8/00
  • ルーズな粉末状または顆粒状の導体,または粉末状または顆粒状の半導体物質より成る非可調整抵抗器[2] HB CC 5E030
  • H01C10/00
  • 可調整抵抗器[2] HB CC 5E030
  • H01C11/00
  • 非可調整液体抵抗器[2] HB CC 5E031
  • H01C13/00
  • 他に属さない抵抗器 HB CC 5E031
  • H01C17/00
  • 抵抗器を製造するために特に適用される装置または方法(容器または囲いに充てん物を供給するものH01C1/02;抵抗体を取り囲む絶縁物を粉末に変えるものH01C1/03;熱可変抵抗器の製造H01C7/02,H01C7/04)[2] HB CC 5E032
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