FI(一覧表示)

H10D30/00	電界効果トランジスタ［ＦＥＴ］（絶縁ゲートバイポーラトランジスタＨ１０Ｄ１２／００）［２０２５．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F140

H10D30/01	・製造または処理［２０２５．０１］		HB	CC	5F123

H10D30/01,101	・・Ｈ１０Ｄ３０／６０～Ｈ１０Ｄ３０／６５に包含されるトランジスタの製造または処理，例．絶縁ゲート電界効果トランジスタ［ＩＧＦＥＴ］の製造		HB	CC	5F140

H10D30/01,101@F	単一のプロセスのみに特徴のあるもの		HB	CC	5F140

H10D30/01,101@P	ＭＯＳプロセス，例．ソース，ドレイン領域形成，セルファラインおよび電極形成，のうちのいずれか一つのみに特徴のあるもの		HB	CC	5F140

H10D30/01,101@T	試験または測定に特徴のあるもの		HB	CC	5F140

H10D30/01,101@Z	その他のもの		HB	CC	5F140

H10D30/01,201	・・Ｈ１０Ｄ３０／６７またはＨ１０Ｄ３０／４７，１０１に包含されるトランジスタの製造または処理，例．薄膜トランジスタ［ＴＦＴ］の製造		HB	CC	5F110

H10D30/01,202	・・・ソース，ドレインの製造または処理に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/01,202@J	ソース，ドレインの形成方法に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/01,202@K	・ソース，ドレイン電極の形成方法に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/01,202@L	・ソース，ドレイン領域の形成方法に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/01,202@M	・・セルフアライン		HB	CC	5F110

H10D30/01,202@N	・・・裏面からの露光によるもの		HB	CC	5F110

H10D30/01,202@Z	その他のもの		HB	CC	5F110

H10D30/01,203	・・・ゲートの製造または処理に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/01,203@V	ゲート絶縁膜の形成方法に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/01,203@W	・陽極酸化法を用いるもの		HB	CC	5F110

H10D30/01,203@Z	その他のもの		HB	CC	5F110

H10D30/01,204	・・・チャネル半導体層の堆積方法に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/01,205	・・・試験，測定またはシミュレーションに特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/01,206	・・・その他のプロセスに特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/01,206@A	平坦化		HB	CC	5F110

H10D30/01,206@B	連続形成		HB	CC	5F110

H10D30/01,206@C	パターニング		HB	CC	5F110

H10D30/01,206@D	貼り合わせ		HB	CC	5F110

H10D30/01,206@E	ダングリングボンドの終端化を行うもの，例．水素化		HB	CC	5F110

H10D30/01,206@F	アニール		HB	CC	5F110

H10D30/01,206@G	・再結晶化；単結晶化		HB	CC	5F110

H10D30/01,206@Z	その他のもの		HB	CC	5F110

H10D30/01,301	・・Ｈ１０Ｄ３０／６６に包含されるトランジスタの製造または処理，例．縦型ＤＭＯＳ［ＶＤＭＯＳ］電界効果トランジスタの製造		HB	CC	5F111

H10D30/01,301@A	不純物領域の形成工程に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/01,301@B	・セルフアライン拡散		HB	CC	5F111

H10D30/01,301@C	・・ベースウエル中央部の位置の制御		HB	CC	5F111

H10D30/01,301@D	・・ゲート電極端部の位置の制御，例．側壁酸化		HB	CC	5F111

H10D30/01,301@E	不純物層の成長工程に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/01,301@F	絶縁層または導電層の形成工程に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/01,301@G	エッチングに特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/01,301@H	ライフタイム制御に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/01,301@J	パッシベーションに特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/01,301@K	ウエハの貼り合わせに特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/01,301@L	検査，測定またはシミュレーションに特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/01,301@Z	その他のもの		HB	CC	5F111

H10D30/01,401	・・Ｈ１０Ｄ３０／８０～Ｈ１０Ｄ３０／８７またはＨ１０Ｄ３０／４７，２０１に包含されるトランジスタの製造または処理，例．整流接合ゲート電極を有する電界効果トランジスタまたは高電子移動度トランジスタ［ＨＥＭＴ］の製造		HB	CC	5F102

H10D30/01,501	・・Ｈ１０Ｄ３０／６８～Ｈ１０Ｄ３０／６９に包含されるトランジスタの製造または処理，例．フローティングゲートまたは電荷トラッピングゲート絶縁体を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタの製造		HB	CC	5F101

H10D30/40	・０次元，１次元または２次元キャリアガスチャネルを有する電界効果トランジスタ［２０２５．０１］		HB	CC	5F123

H10D30/43	・・１次元キャリアガスチャネルをもつもの，例．量子細線電界効果トランジスタまたは１次元量子閉じ込めチャネルを有するトランジスタ［２０２５．０１］		HB	CC	5F123

H10D30/47	・・２次元キャリアガスチャネルをもつもの，例．ナノリボン電界効果トランジスタまたは高電子移動度トランジスタ［ＨＥＭＴ］［２０２５．０１］		HB	CC	5F123

H10D30/47,101	・・・ナノカーボン，例．ナノリボン，を用いたトランジスタ		HB	CC	5F110

H10D30/47,201	・・・高電子移動度トランジスタ［ＨＥＭＴ］		HB	CC	5F102

H10D30/60	・絶縁ゲート電界効果トランジスタ［ＩＧＦＥＴ］（Ｈ１０Ｄ３０／４０が優先）［２０２５．０１］		HB	CC	5F140

H10D30/60@B	化合物半導体を用いるもの		HB	CC	5F140

H10D30/60@C	ＭＯＳＩＣに用いられるもの		HB	CC	5F140

H10D30/60@E	回路構成のみに特徴のあるもの		HB	CC	5F140

H10D30/60@G	ゲート電極構造のみに特徴のあるもの		HB	CC	5F140

H10D30/60@H	チャネル構造のみに特徴のあるもの		HB	CC	5F140

H10D30/60@J	とくに動作に特徴のあるもの		HB	CC	5F140

H10D30/60@K	保護装置		HB	CC	5F140

H10D30/60@L	ＬＤＤ		HB	CC	5F140

H10D30/60@M	メモリーに用いられるもの，例．１Ｔｒ．ＤＲＡＭセル		HB	CC	5F140

H10D30/60@N	パッシベーション構造のみに特徴のあるもの		HB	CC	5F140

H10D30/60@Q	結晶方位の選択のみに特徴のあるもの		HB	CC	5F140

H10D30/60@R	分離領域のみに特徴のあるもの		HB	CC	5F140

H10D30/60@S	ソース，ドレイン領域のみに特徴のあるもの		HB	CC	5F140

H10D30/60@U	ＩＳＦＥＴ		HB	CC	5F140

H10D30/60@V	溝ほりゲートを持つもの		HB	CC	5F140

H10D30/60@W	高耐圧化，大電流化，例．並列化		HB	CC	5F140

H10D30/60@X	その他のＭＯＳ構造		HB	CC	5F140

H10D30/60@Z	その他，例．構造およびプロセスの双方に特徴のあるもの		HB	CC	5F140

H10D30/62	・・フィン電界効果トランジスタ［ＦｉｎＦＥＴ］［２０２５．０１］		HB	CC	5F140

H10D30/63	・・縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ（Ｈ１０Ｄ３０／６６が優先）［２０２５．０１］		HB	CC	5F140

H10D30/64	・・二重拡散金属酸化物［ＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ［２０２５．０１］		HB	CC	5F140

H10D30/65	・・・横型ＤＭＯＳ［ＬＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ［２０２５．０１］		HB	CC	5F140

H10D30/66	・・・縦型ＤＭＯＳ［ＶＤＭＯＳ］電界効果トランジスタ［２０２５．０１］		HB	CC	5F111

H10D30/66,101	・・・・半導体領域に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,101@A	トランジスタセルに特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,101@B	・ソース領域		HB	CC	5F111

H10D30/66,101@C	・ベース領域；ボディ領域		HB	CC	5F111

H10D30/66,101@D	・・高濃度部；低抵抗部		HB	CC	5F111

H10D30/66,101@E	・・チャネル部		HB	CC	5F111

H10D30/66,101@F	・セルを構成する不純物領域等の平面形状または配置パターンに特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,101@G	ドレイン領域に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,101@H	ドリフト領域に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,101@J	・超接合を有するもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,101@K	・ＪＦＥＴ領域を有するもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,101@L	・ドリフト領域表面に同一導電型で濃度が異なる領域を有するもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,101@M	・ドリフト領域表面に他導電型の領域を有するもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,101@T	基板の構成材料等に特徴のあるもの，例．化合物半導体を用いたもの，面方位に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,101@Z	その他のもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,102	・・・・電極に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,102@G	ＭＯＳゲート，例．電極，絶縁膜，シールド構造，に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,102@A	・ゲート電極の形状に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,102@B	・ゲート絶縁膜の形状に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,102@C	・ゲートに付帯する導電体，例．ダミーゲート，を有するもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,102@S	ソース電極に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,102@D	・複数層からなるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,102@E	・形状に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,102@F	・・コンタクト部が平面でないもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,102@Z	その他のもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,103	・・・・チップの周辺部あるいはチップ全体に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,103@A	終端領域の耐圧構造に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,103@B	・セル領域を囲む不純物領域及び電極を有するもの，例．ガードリング及びフィールドプレートを有するもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,103@C	・セル領域を囲む不純物領域を有するもの（Ｂが優先）		HB	CC	5F111

H10D30/66,103@D	・セル領域を囲む電極を有するもの（Ｂが優先）		HB	CC	5F111

H10D30/66,103@Q	配線，パッドまたは実装関係に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,103@R	分離領域に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,103@S	複数のトランジスタセルの平面形状または配置パターンに特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,103@Z	その他のもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,201	・・・・ゲートがプレーナ型でないもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,201@A	ゲートを溝の内部に形成したもの，例．Ｖ溝型ＭＯＳ［ＶＭＯＳ］，トレンチゲート型ＭＯＳ［ＵＭＯＳ］		HB	CC	5F111

H10D30/66,201@B	・チャネル領域，ソース，ドレイン領域を溝の内部に形成したもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,201@C	ゲートを埋め込み形成したもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,201@D	ＳＯＩまたはＳＩＭＯＸ技術を利用したもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,201@Z	その他のもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,202	・・・・動作に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,202@A	ベース領域にバイアスを印加するもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,202@B	少数キャリア注入領域をもつもの		HB	CC	5F111

H10D30/66,202@C	ＭＯＳ型ＳＩＴ		HB	CC	5F111

H10D30/66,202@Z	その他のもの		HB	CC	5F111

H10D30/67	・・薄膜トランジスタ［ＴＦＴ］［２０２５．０１］		HB	CC	5F110

H10D30/67,101	・・・ソース，ドレインに特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,101@A	ＬＤＤ，例．構造，製法，に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,101@S	ソース，ドレイン領域，電極の構造に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,101@T	・形状に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,101@U	・複数層		HB	CC	5F110

H10D30/67,101@V	・材料，不純物濃度等に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,101@Z	その他のもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,102	・・・ゲートに特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,102@A	オフセットゲート，例．構造，製法，に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,102@J	ゲート電極に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,102@K	・形状に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,102@L	・複数層		HB	CC	5F110

H10D30/67,102@M	・材料，不純物濃度等に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,102@N	・ゲート電極を複数有するもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,102@S	ゲート絶縁膜に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,102@T	・材料に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,102@U	・複数層		HB	CC	5F110

H10D30/67,102@Z	その他のもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,103	・・・チャネル半導体層に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,103@B	材料に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,103@C	形状に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,103@D	・薄膜化		HB	CC	5F110

H10D30/67,103@E	複数層		HB	CC	5F110

H10D30/67,103@F	不純物，不純物濃度等に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,103@G	・キャリアにならない不純物を含むもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,103@Z	その他のもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,104	・・・パッシベーションに特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,104@A	絶縁膜，例．構造，製法，材料，に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,104@B	遮光膜，例．構造，製法，材料，に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,104@Z	その他のもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,201	・・・結晶方位の選択に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,202	・・・分離領域に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,203	・・・特に動作に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,204	・・・保護装置；保護回路		HB	CC	5F110

H10D30/67,204@A	静電破壊防止，例．イオン注入時，ラビリング時の静電破壊防止		HB	CC	5F110

H10D30/67,204@Z	その他のもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,205	・・・ＩＳＦＥＴ		HB	CC	5F110

H10D30/67,206	・・・その他の構造		HB	CC	5F110

H10D30/67,206@A	縦型構造		HB	CC	5F110

H10D30/67,206@B	キンク防止		HB	CC	5F110

H10D30/67,206@C	表面層を含む基板に特徴のあるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,206@D	・基板がＳＯＳからなるもの		HB	CC	5F110

H10D30/67,206@Z	その他のもの		HB	CC	5F110

H10D30/68	・・フローティングゲートを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ［２０２５．０１］		HB	CC	5F101

H10D30/69	・・電荷トラッピングゲート絶縁体を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ，例．ＭＮＯＳトランジスタ［２０２５．０１］		HB	CC	5F101

H10D30/80	・整流接合ゲート電極を有する電界効果トランジスタ（Ｈ１０Ｄ３０／４０が優先）［２０２５．０１］		HB	CC	5F102

H10D30/80@A	素子の種類		HB	CC	5F102

H10D30/80@S	・横型ＳＩＴ		HB	CC	5F102

H10D30/80@V	・縦型ＦＥＴ		HB	CC	5F102

H10D30/80@W	Ｄｕａｌ　Ｇａｔｅ構造を有するもの		HB	CC	5F102

H10D30/80@P	保護機能を有するもの		HB	CC	5F102

H10D30/80@Z	その他のもの		HB	CC	5F102

H10D30/83	・・ＰＮ接合ゲート電極を有する電界効果トランジスタ［２０２５．０１］		HB	CC	5F102

H10D30/87	・・ショットキーゲート電極を有する電界効果トランジスタ，例．金属－半導体電界効果トランジスタ［ＭＥＳＦＥＴ］［２０２５．０１］		HB	CC	5F102

H10D30/87@B	ＭＥＳ型ＦＥＴ		HB	CC	5F102

H10D30/87@F	・電極に特徴を有するもの		HB	CC	5F102

H10D30/87@S	・・オーミック電極，例．ソース電極，ドレイン電極		HB	CC	5F102

H10D30/87@K	・・斜め蒸着の利用		HB	CC	5F102

H10D30/87@L	・・電極平面構造		HB	CC	5F102

H10D30/87@M	・・ゲート電極材料		HB	CC	5F102

H10D30/87@U	・・裏面電極取出し		HB	CC	5F102

H10D30/87@Q	・表面高抵抗層を有するもの		HB	CC	5F102

H10D30/87@R	・整合回路，帰還回路等を一体化したもの		HB	CC	5F102

H10D30/87@G	・実装		HB	CC	5F102

H10D30/87@E	・集積化		HB	CC	5F102

H10D30/87@Z	その他のもの		HB	CC	5F102

このページは、メイングループH10D30/00内の「FI」を全て表示しています。	HB:ハンドブック
	CC:コンコーダンス