FIメイングループ/ファセット選択

個々の装置［２０２５．０１］
H10D1/00	抵抗器，キャパシタまたはインダクタ［２０２５．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F038

H10D8/00	ダイオード（可変容量ダイオードＨ１０Ｄ１／６４；ゲートダイオードＨ１０Ｄ１２／００）［２０２５．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F087

H10D10/00	バイポーラトランジスタ［ＢＪＴ］［２０２５．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F003

H10D12/00	電界効果により制御されるバイポーラ装置，例．絶縁ゲートバイポーラトランジスタ［ＩＧＢＴ］［２０２５．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F111

H10D18/00	サイリスタ［２０２５．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F005

H10D30/00	電界効果トランジスタ［ＦＥＴ］（絶縁ゲートバイポーラトランジスタＨ１０Ｄ１２／００）［２０２５．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F140

H10D44/00	電荷転送装置［２０２５．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	4M118

H10D48/00	グループＨ１０Ｄ１／００～Ｈ１０Ｄ４４／００に包含されない個々の装置［２０２５．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F123

構造上の細部［２０２５．０１］
H10D62/00	電位障壁を有する装置の半導体本体，またはその領域［２０２５．０１］		HB	CC	5F121

H10D64/00	電位障壁を有する装置の電極［２０２５．０１］		HB	CC	4M104

集積装置；複数の装置の組立体［２０２５．０１］
H10D80/00	このサブクラスに包含される，少なくとも１つの装置を備える，複数の装置の組立体［２０２５．０１］		HB	CC	5F037

H10D84/00	半導体層のみを備える半導体基板内または上，例．Ｓｉウェーハ上またはＳｉウェーハ上のＧａＡｓ上，に形成される集積装置［２０２５．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F081

H10D86/00	絶縁性または導電性基板内または上に形成される集積装置，例．ＳＯＩ基板内，またはステンレスもしくはガラス基板上に形成されるもの［２０２５．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F110

H10D87/00	同一基板上のバルク構成部品とＳＯＩまたはＳＯＳ構成部品を備える集積装置［２０２５．０１］		HB	CC	5F048

H10D88/00	３次元集積装置［２０２５．０１］		HB	CC	5F080

H10D89/00	グループＨ１０Ｄ８４／００～Ｈ１０Ｄ８８／００に包含されない集積装置の観点［２０２５．０１］		HB	CC	5F038

H10D99/00	このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２５．０１］		HB	CC	5F121

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