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CC:Concordance | |||
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Select the desired 「MainGroup」. | ||||
| 層，構造または材料の構築［２０２６．０１］ | ||||
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ウェハ，基板または装置の部品のボンディング［２０２６．０１］ | CC | ||
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材料の形成，例．層またはピラー状に形成［２０２６．０１］ | CC | ||
| 層，構造または材料の加工［２０２６．０１］ | ||||
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ウェハ，基板または装置の部品へのイオン注入［２０２６．０１］ | CC | ||
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ウェハ，基板または装置の部品の内部での，これらの中への，またはこれらから外部へのドーパントの拡散（材料の形成中に拡散するものＨ１０Ｐ１４／００）［２０２６．０１］ | CC | ||
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ウェハ，基板または装置の部品に対する電磁輻射線または粒子輻射線の照射［２０２６．０１］ | CC | ||
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半導体本体内部のゲッタリング［２０２６．０１］ | CC | ||
| 層，構造または材料の除去［２０２６．０１］ | ||||
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ウェハ，基板または装置の部品のエッチング［２０２６．０１］ | CC | ||
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ウェハ，基板または装置の部品の研削，ラッピングまたは研磨［２０２６．０１］ | CC | ||
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ウェハ，基板または装置の部品の切断または分離［２０２６．０１］ | CC | ||
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ウェハ，基板または装置の部品のディボンディング［２０２６．０１］ | CC | ||
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ウェハまたは基板を複数のチップに個片化するもの，すなわちダイシング［２０２６．０１］ | CC | ||
| その他の製造または処理［２０２６．０１］ | ||||
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ウェハ，基板または装置の部品の洗浄［２０２６．０１］ | CC | ||
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ウェハ，基板または装置の製造または処理中にこれらを取り扱うまたは保持するもの［２０２６．０１］ | CC | ||
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ウェハ，基板または装置の製造または処理中の試験または測定［２０２６．０１］ | CC | ||
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半導体本体上のマスクの製造または処理，例．リソグラフィまたはフォトリソグラフィによるもの［２０２６．０１］ | CC | ||
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このサブクラスの単一のメイングループに包含されないウェハの製造，例．ウェハの補強［２０２６．０１］ | CC | ||
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このサブクラスの他のグループに包含されない製造または処理のための一般的な方法または装置［２０２６．０１］ | CC | ||