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FI(一覧表示)

  • H01L31/00
    		•  赤外線，可視光，短波長の電磁波，または粒子線輻射に感応する半導体装置で，これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置；それらの細部（Ｈ１０Ｋ３０／００が優先；１つ以上の電気光源を有する輻射線感応構成部品の組合せ以外で，１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品から成る装置Ｈ０１Ｌ２７／００） HB CC 5F149
  • H01L31/00@A
    		•  放射線・粒子線検出半導体装置 HB CC 5F149
  • H01L31/00@B
    		•  他の光電変換装置 HB CC 5F149
  • H01L31/00@Z
    		•  その他 HB CC 5F149
  • H01L31/02
    		•  ・細部 HB CC 5F149
  • H01L31/02@A
    		•  光電変換装置，共通事項 HB CC 5F149
  • H01L31/02@B
    		•  光電変換装置，容器，封止，取付 HB CC 5F149
  • H01L31/02@C
    		•  光電変換装置，光ファイバーとの結合 HB CC 5F149
  • H01L31/02@D
    		•  光電変換装置，光学素子との結合 HB CC 5F149
  • H01L31/02@E
    		•  冷却型光電変換装置 HB CC 5F149
  • H01L31/02@Z
    		•  その他 HB CC 5F149
  • H01L31/04
    		•  ・変換装置として使用されるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,200
    		•  ・・細部に特徴のあるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,220
    		•  ・・・粒子線輻射により引き起こされる損傷を防止するための対策，例．宇宙応用のため HB CC 5F251
  • H01L31/04,240
    		•  ・・・被覆，例．反射防止膜，に特徴のあるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,260
    		•  ・・・電極に特徴のあるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,262
    		•  ・・・・集電電極の構造 HB CC 5F251
  • H01L31/04,264
    		•  ・・・・導電ペースト HB CC 5F251
  • H01L31/04,266
    		•  ・・・・透明電極 HB CC 5F251
  • H01L31/04,280
    		•  ・・・テクスチャ構造に特徴のあるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,282
    		•  ・・・・薄膜太陽電池に適用したもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,284
    		•  ・・・支持基板に特徴のあるもの（支持基板のテクスチャ構造Ｈ０１Ｌ３１／０４，２８０～３１／０４，２８２） HB CC 5F251
  • H01L31/04,300
    		•  ・・半導体本体に特徴のあるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,320
    		•  ・・・材料に特徴のあるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,340
    		•  ・・・半導体領域の形状，相対的大きさまたは配列に特徴のあるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,342
    		•  ・・・・量子構造を含むもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,342@A
    		•  量子ドット HB CC 5F251
  • H01L31/04,342@B
    		•  ナノロッド HB CC 5F251
  • H01L31/04,342@Z
    		•  その他 HB CC 5F251
  • H01L31/04,344
    		•  ・・・・球状 HB CC 5F251
  • H01L31/04,346
    		•  ・・・結晶構造または結晶面の方向に特徴のあるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,400
    		•  ・・製造方法または製造装置に特徴のあるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,420
    		•  ・・・薄膜形成技術に特徴のあるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,422
    		•  ・・・・塗布によるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,424
    		•  ・・・・連続処理によるもの，例．ロール・ツー・ロール HB CC 5F251
  • H01L31/04,440
    		•  ・・・ドーピング方法に特徴のあるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,460
    		•  ・・・基板の機械的加工，例．スライシング，貼り合わせ，剥離 HB CC 5F251
  • H01L31/04,500
    		•  ・・ＰＶモジュールまたは１つ１つのＰＶ素子のアレイ（ＰＶモジュールの支持構造Ｈ０２Ｓ２０／００） HB CC 5F251
  • H01L31/04,510
    		•  ・・・機械的に積み重ねられたＰＶ素子 HB CC 5F251
  • H01L31/04,520
    		•  ・・・バイパスダイオードを含むもの（接続箱の中のバイパスダイオードＨ０２Ｓ４０／３４） HB CC 5F251
  • H01L31/04,522
    		•  ・・・・装置と一体化または直接結合したバイパスダイオード，例．光起電素子と同じ基板内または上に一体化または形成されたバイパスダイオード，を備えるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,530
    		•  ・・・薄膜太陽電池，例．１つの薄膜ａ－Ｓｉ，ＣＩＳまたはＣｄＴｅ太陽電池，を含むもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,532
    		•  ・・・・同じ基板上に堆積された複数の薄膜太陽電池により構成されたＰＶモジュール HB CC 5F251
  • H01L31/04,532@A
    		•  モジュール内でＰＶ素子を接続するためのパターニング方法に特徴があるもの，例．導電層または活性層のレーザーによる切断 HB CC 5F251
  • H01L31/04,532@B
    		•  モジュール内の隣接するＰＶ素子の電気的相互接続のための特定の構造，を備えるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,532@C
    		•  モジュールを通して光を部分的に透過させるための特定の手段，例．窓用の部分的に透明な薄膜太陽モジュール，を備えるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,532@Z
    		•  その他 HB CC 5F251
  • H01L31/04,540
    		•  ・・・半導体基板内に形成された複数の垂直接合または複数のＶグルーブ接合を有するＰＶ素子のアレイ HB CC 5F251
  • H01L31/04,550
    		•  ・・・１つの半導体基板上に平面に，例．周期的に，形成されたＰＶ素子のアレイ；ＰＶ素子のマイクロアレイ HB CC 5F251
  • H01L31/04,560
    		•  ・・・モジュールの封緘 HB CC 5F251
  • H01L31/04,562
    		•  ・・・・保護バックシート HB CC 5F251
  • H01L31/04,570
    		•  ・・・ＰＶモジュール内のＰＶ素子間の電気的相互接続手段，例．ＰＶ素子の直列接続（電極Ｈ０１Ｌ３１／０４，２６０；１つの共通基板上に形成された薄膜太陽電池の電気的相互接続Ｈ０１Ｌ３１／０４，５３２；モジュール内の隣接する薄膜太陽電池の電気的相互接続のための特定の構造Ｈ０１Ｌ３１／０４，５３２＠Ｂ；２以上のＰＶモジュール間の電気的接続に特に適合した電気的相互接続手段Ｈ０２Ｓ４０／３６） HB CC 5F251
  • H01L31/04,600
    		•  ・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化した冷却手段，例．強制冷却のための一体化されたペルチェ素子またはＰＶ素子と直接結合したヒートシンク（ＰＶモジュールと結合した冷却手段Ｈ０２Ｓ４０／４２） HB CC 5F251
  • H01L31/04,602
    		•  ・・・ＰＶ素子と直接結合した熱エネルギーを利用する手段を含むもの，例．一体化されたゼーベック素子 HB CC 5F251
  • H01L31/04,610
    		•  ・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化したエネルギー蓄積手段，例．ＰＶ素子と一体化したコンデンサー（ＰＶモジュールと結合したエネルギー蓄積手段Ｈ０２Ｓ４０／３８） HB CC 5F251
  • H01L31/04,620
    		•  ・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化した光学素子，例．光反射手段または集光手段 HB CC 5F251
  • H01L31/04,622
    		•  ・・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化した光学素子により，例．ルミネッセント材料，蛍光性集光器またはアップコンバージョン装置を用いることにより，光が吸収され，かつ異なる波長で再放射されるもの HB CC 5F251
  • H01L31/04,624
    		•  ・・・背面反射器［ＢＳＲ］タイプである光反射手段 HB CC 5F251
  • H01L31/06
    		•  ・・電位障壁に特徴のあるもの［２０１２．０１］ HB CC 5F251
  • H01L31/06,100
    		•  ・・・電位障壁が点接触型であるもの（Ｈ０１Ｌ３１／０６，３５０が優先） HB CC 5F251
  • H01L31/06,150
    		•  ・・・電位障壁が金属―絶縁体―半導体型のみからなるもの HB CC 5F251
  • H01L31/06,200
    		•  ・・・電位障壁がこう配ギャップのみからなるもの HB CC 5F251
  • H01L31/06,300
    		•  ・・・電位障壁がＰＮホモ接合型のみからなるもの，例．バルクシリコンＰＮホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンＰＮホモ接合太陽電池 HB CC 5F251
  • H01L31/06,310
    		•  ・・・・多接合またはタンデムの太陽電池 HB CC 5F251
  • H01L31/06,320
    		•  ・・・・ドーピング材料または他の不純物は別として，ＡＩＩＩＢＶ化合物のみを含む装置，例．ＧａＡｓまたはＩｎＰ太陽電池 HB CC 5F251
  • H01L31/06,350
    		•  ・・・電位障壁がショットキー型のみからなるもの HB CC 5F251
  • H01L31/06,400
    		•  ・・・電位障壁がＰＮヘテロ接合型のみからなるもの HB CC 5F251
  • H01L31/06,410
    		•  ・・・・多接合またはタンデムの太陽電池 HB CC 5F251
  • H01L31/06,420
    		•  ・・・・ＡＩＩＢＶＩ化合物半導体のみからなる，例．ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池 HB CC 5F251
  • H01L31/06,430
    		•  ・・・・ＡＩＩＩＢＶ化合物半導体のみからなる，例．ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓ太陽電池 HB CC 5F251
  • H01L31/06,440
    		•  ・・・・周期律表の第ＩＶ族の元素とのヘテロ接合からなる，例．ＩＴＯ／Ｓｉ，ＧａＡｓ／ＳｉまたはＣｄＴｅ／Ｓｉ太陽電池 HB CC 5F251
  • H01L31/06,450
    		•  ・・・・ＡＩＶＢＩＶヘテロ接合からなる，例．Ｓｉ／Ｇｅ，ＳｉＧｅ／ＳｉまたはＳｉ／ＳｉＣ太陽電池 HB CC 5F251
  • H01L31/06,455
    		•  ・・・・・結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる，例．薄い真性層を備えたヘテロ接合またはＨＩＴ（登録商標）の太陽電池とのヘテロ結合 HB CC 5F251
  • H01L31/06,460
    		•  ・・・・ＡＩＢＩＩＩＣＶＩ化合物を含む，例．ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２　［ＣＩＳ］ヘテロ接合太陽電池 HB CC 5F251
  • H01L31/06,500
    		•  ・・・電位障壁がＰＩＮ型のみからなるもの，例．ＰＩＮアモルファスシリコン太陽電池 HB CC 5F251
  • H01L31/06,510
    		•  ・・・・多接合またはタンデムの太陽電池 HB CC 5F251
  • H01L31/06,520
    		•  ・・・・単結晶または多結晶材料からなる装置 HB CC 5F251
  • H01L31/06,600
    		•  ・・・グループＨ０１Ｌ３１／０６，１００からＨ０１Ｌ３１／０６，５００の２つ以上に分類される異なる種類の電位障壁を含むもの HB CC 5F251
  • H01L31/08
    		•  ・輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの，例．光―抵抗器（フォト―レジスター） HB CC 5F149
  • H01L31/08@F
    		•  光導電材料〔Ｓｉ，Ｇｅ〕 HB CC 5F149
  • H01L31/08@G
    		•  ・光導電材料の製法〔Ｓｉ，Ｇｅ〕 HB CC 5F149
  • H01L31/08@H
    		•  ・光導電装置〔Ｓｉ，ＧｅでＰＮ接合のないもの〕〔アモルファスＳｉを用いた光導電装置〕 HB CC 5F149
  • H01L31/08@J
    		•  ・光導電材料の製造装置〔Ｓｉ，Ｇｅ〕 HB CC 5F149
  • H01L31/08@K
    		•  化合物光導電材料とその製法〔ＧａＡｓ，ＣｄＳなど〕 HB CC 5F149
  • H01L31/08@L
    		•  ・化合物光導電装置〔ＧａＡｓ，ＣｄＳなど〕 HB CC 5F149
  • H01L31/08@M
    		•  光合物光導電材料，製法，装置〔酸化物半導体〕 HB CC 5F149
  • H01L31/08@N
    		•  化合物光導電材料，製法，装置〔ＨｇＣｄＴｅ（ＭＣＴ），ＩｎＳｂなど赤外線検知用〕 HB CC 5F149
  • H01L31/08@P
    		•  化合物光導電材料製造装置 HB CC 5F149
  • H01L31/08@Q
    		•  電子写真用光導電体 HB CC 5F149
  • H01L31/08@R
    		•  撮像管用ターゲット〔Ｓｉ，Ｇｅ〕 HB CC 5F149
  • H01L31/08@S
    		•  撮像管用ターゲット〔化合物半導体〕 HB CC 5F149
  • H01L31/08@Z
    		•  その他 HB CC 5F149
  • H01L31/10
    		•  ・・電位障壁に特徴のあるもの，例．フォトトランジスタ［２００６．０１］ HB CC 5F149
  • H01L31/10@A
    		•  フォトダイオード，フォトトランジスタ HB CC 5F149
  • H01L31/10@B
    		•  ・アバランシェ型 HB CC 5F149
  • H01L31/10@C
    		•  ・ショットキ接合を用いるもの HB CC 5F149
  • H01L31/10@D
    		•  ・多色受光 HB CC 5F149
  • H01L31/10@E
    		•  電界効果型 HB CC 5F149
  • H01L31/10@F
    		•  フォトサイリスタ HB CC 5F149
  • H01L31/10@G
    		•  周辺回路 HB CC 5F149
  • H01L31/10@H
    		•  電極に特徴のあるもの HB CC 5F149
  • H01L31/10@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F149
  • H01L31/12
    		•  ・１つ以上の電気光源，例．エレクトロルミネッセンス光源，と構造的に結合されたもの，例．１つの共通基板内または基板上に形成されたもの，およびその電気光源と電気的または光学的に結合されたもの（エレクトロルミネッセンス素子および光電池を用いた増幅器Ｈ０３Ｆ１７／００；エレクトロルミネッセンス光源それ自体Ｈ０５Ｂ３３／００） HB CC 5F889
  • H01L31/12@A
    		•  フォトカップラ，フォトアイソレータ HB CC 5F889
  • H01L31/12@B
    		•  ・モノリシック型〔受発光素子を一体化した素子で，基板同一〕 HB CC 5F889
  • H01L31/12@C
    		•  ・積層型「図」 HB CC 5F889
  • H01L31/12@D
    		•  ・透過型「図」 HB CC 5F889
  • H01L31/12@E
    		•  ・反射型「図」 HB CC 5F889
  • H01L31/12@F
    		•  ・周辺回路〔付属電気回路，制御用〕 HB CC 5F889
  • H01L31/12@G
    		•  ・応用装置〔光ファイバを用いたもの〕 HB CC 5F889
  • H01L31/12@H
    		•  発光デバイスのモニタ〔発光の検出チェック〕 HB CC 5F889
  • H01L31/12@J
    		•  発光・受光兼用デバイス〔一素子で両用のもの〕 HB CC 5F889
  • H01L31/12@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F889
  • H01L31/14
    		•  ・・輻射線に感応する半導体装置によって制御される光源，例．像変換器，像増幅器，像蓄積装置 HB CC 5F889
  • H01L31/14@A
    		•  光－光変換デバイス HB CC 5F889
  • H01L31/14@B
    		•  像変換デバイス HB CC 5F889
  • H01L31/14@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F889
  • H01L31/16
    		•  ・・光源によって制御される輻射線に感応する半導体装置 HB CC 5F889
  • H01L31/16@A
    		•  フォトポテンシオメータ HB CC 5F889
  • H01L31/16@B
    		•  光による位置の検出〔カメラの測距〕 HB CC 5F889
  • H01L31/16@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F889
  • H01L31/18
    		•  ・これらの装置またはその部品の製造または処理に特有な方法または装置（それらに特有でないもの２１／００） HB CC 5F149
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