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  • H10D48/00
    		•  グループＨ１０Ｄ１／００～Ｈ１０Ｄ４４／００に包含されない個々の装置［２０２５．０１］
    		HB CC 5F123
  • H10D48/00,101
    		•  ・デバイスシミュレーション HB CC 5F123
  • H10D48/01
    		•  ・製造または処理［２０２５．０１］ HB CC 5F123
  • H10D48/04
    		•  ・・結合していない形態のセレンまたはテルルからなる本体を有する装置のもの［２０２５．０１］ HB CC 5F123
  • H10D48/042
    		•  ・・・基体板の処理［２０２５．０１］ HB CC 5F123
  • H10D48/043
    		•  ・・・セレンまたはテルルの前処理，基体板への適用，または続いての結合処理［２０２５．０１］ HB CC 5F123
  • H10D48/044
    		•  ・・・・セレンまたはテルルの導電状態への変換［２０２５．０１］ HB CC 5F123
  • H10D48/045
    		•  ・・・・導電性にした後のセレンまたはテルル層の表面処理［２０２５．０１］ HB CC 5F123
  • H10D48/046
    		•  ・・・・絶縁分離層の形成［２０２５．０１］ HB CC 5F123
  • H10D48/047
    		•  ・・・基体板へ適用した後のセレンまたはテルルの露出面への電極の形成［２０２５．０１］ HB CC 5F123
  • H10D48/048
    		•  ・・・完全装置の処理，例．障壁形成のためのエレクトロフォーミングによるもの［２０２５．０１］ HB CC 5F123
  • H10D48/049
    		•  ・・・・エージング［２０２５．０１］ HB CC 5F123
  • H10D48/07
    		•  ・・酸化第一銅［Ｃｕ２Ｏ］またはヨウ化第一銅［Ｃｕｌ］からなる本体を有する装置のもの［２０２５．０１］ HB CC 5F123
  • H10D48/30
    		•  ・電流または電圧により制御される装置［２０２５．０１］ HB CC 5F123
  • H10D48/30@S
    		•  単一電子トンネリング，例．クーロンブロッケード効果，を利用するもの HB CC 5F123
  • H10D48/30@U
    		•  ・集積化，回路構成に特徴のあるもの HB CC 5F123
  • H10D48/30@T
    		•  トンネル効果を利用するもの（Ｓが優先） HB CC 5F123
  • H10D48/30@E
    		•  電子放出素子，電界放出素子，例．冷陰極を用いた放出素子 HB CC 5F123
  • H10D48/30@C
    		•  制御手段に特徴のあるもの HB CC 5F123
  • H10D48/30@L
    		•  ・光を用いるもの HB CC 5F123
  • H10D48/30@M
    		•  ・磁界を用いるもの HB CC 5F123
  • H10D48/30@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F123
  • H10D48/32
    		•  ・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に与えられる電流または電位のみにより制御される装置［２０２５．０１］ HB CC 5F003
  • H10D48/34
    		•  ・・・バイポーラ装置［２０２５．０１］ HB CC 5F003
  • H10D48/36
    		•  ・・・ユニポーラ装置［２０２５．０１］ HB CC 5F140
  • H10D48/38
    		•  ・・整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流す１つ以上の電極に与えられる電流または電位の変化のみにより制御される装置［２０２５．０１］ HB CC 5F087
  • H10D48/38@A
    		•  非単結晶を用いているもの HB CC 5F087
  • H10D48/38@F
    		•  絶縁層を用いているもの HB CC 5F087
  • H10D48/38@S
    		•  超格子構造を用いているもの HB CC 5F087
  • H10D48/38@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F087
  • H10D48/40
    		•  ・磁界により制御される装置［２０２５．０１］ HB CC 5F092
  • H10D48/40@D
    		•  ＳＭＤ HB CC 5F092
  • H10D48/40@T
    		•  ＳＭＴ HB CC 5F092
  • H10D48/40@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F092
  • H10D48/50
    		•  ・機械的力，例．圧力，により制御される装置［２０２５．０１］ HB CC 4M112
  • H10D48/50@A
    		•  機械的力―電気変換 HB CC 4M112
  • H10D48/50@B
    		•  シリコンダイアフラム HB CC 4M112
  • H10D48/50@C
    		•  感圧ＦＥＴ HB CC 4M112
  • H10D48/50@D
    		•  感圧ダイオード HB CC 4M112
  • H10D48/50@E
    		•  くびれ型感圧サイリスタ HB CC 4M112
  • H10D48/50@F
    		•  感圧トランジスタ HB CC 4M112
  • H10D48/50@G
    		•  加圧機構 HB CC 4M112
  • H10D48/50@H
    		•  ＳｎＯ２；深い準位を有するもの HB CC 4M112
  • H10D48/50@J
    		•  超音波変換 HB CC 4M112
  • H10D48/50@Z
    		•  その他のもの HB CC 4M112
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