FI(一覧表示)

H10D84/00	半導体層のみを備える半導体基板内または上，例．Ｓｉウェーハ上またはＳｉウェーハ上のＧａＡｓ上，に形成される集積装置［２０２５．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	5F081

H10D84/01	・製造または処理［２０２５．０１］		HB	CC	5F081

H10D84/02	・・材料に基づく技術を用いることに特徴のあるもの［２０２５．０１］		HB	CC	5F081

H10D84/03	・・・ＩＶ族技術を用いるもの，例．Ｓｉ技術またはＳｉＣ技術［２０２５．０１］		HB	CC	5F081

H10D84/05	・・・ＩＩＩーＶ族技術を用いるもの［２０２５．０１］		HB	CC	5F081

H10D84/07	・・・ＩＩーＶＩ族技術を用いるもの［２０２５．０１］		HB	CC	5F081

H10D84/08	・・・複数の技術の組み合わせを用いるもの，例．Ｓｉ技術とＳｉＣ技術の両方を用いるもの，またはＳｉ技術とＩＩＩーＶ族技術を用いるもの［２０２５．０１］		HB	CC	5F081

H10D84/40	・グループＨ１０Ｄ１２／００またはＨ１０Ｄ３０／００に包含される少なくとも１つの構成部品と，グループＨ１０Ｄ１０／００またはＨ１０Ｄ１８／００に包含される少なくとも１つの構成部品との集積に特徴のあるもの，例．バイポーラトランジスタと絶縁ゲート電界効果トランジスタの集積［２０２５．０１］		HB	CC	5F048

H10D84/40@A	全体，例．複数素子の配置または製法，に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H10D84/40@B	バイポーラトランジスタの構成に特徴のあるもの（Ｃ～Ｊが優先）		HB	CC	5F048

H10D84/40@C	素子分離		HB	CC	5F048

H10D84/40@D	ラッチアップ防止		HB	CC	5F048

H10D84/40@E	基板；ウェル；埋込み層		HB	CC	5F048

H10D84/40@F	コンタクト；電極；配線		HB	CC	5F048

H10D84/40@G	回路構成に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H10D84/40@H	・バイＭＯＳ複合機能素子		HB	CC	5F048

H10D84/40@J	・特定用途用，例．論理回路，メモリ		HB	CC	5F048

H10D84/40@Z	その他のもの		HB	CC	5F048

H10D84/60	・グループＨ１０Ｄ１０／００またはＨ１０Ｄ１８／００に包含される少なくとも１つの構成部品の集積に特徴のあるもの，例．バイポーラトランジスタの集積（Ｈ１０Ｄ８４／４０が優先）［２０２５．０１］		HB	CC	5F082

H10D84/60,101	・・サイリスタを集積するもの		HB	CC	5F082

H10D84/60,201	・・バイポーラトランジスタと他の素子を集積するもの		HB	CC	5F082

H10D84/60,201@U	バイポーラトランジスタとユニポーラトランジスタからなるもの		HB	CC	5F082

H10D84/60,201@S	バイポーラトランジスタとＳＩＴからなる論理回路		HB	CC	5F082

H10D84/60,201@D	バイポーラトランジスタとインダクタ，キャパシタ，抵抗またはダイオードからなるもの		HB	CC	5F082

H10D84/60,201@P	保護回路		HB	CC	5F082

H10D84/60,201@Z	その他のもの		HB	CC	5F082

H10D84/60,202	・・バイポーラトランジスタのみを集積するもの		HB	CC	5F082

H10D84/60,202@B	バイポーラトランジスタからなるもの（Ｌ～Ｄが優先）		HB	CC	5F082

H10D84/60,202@L	バイポーラトランジスタからなる論理回路		HB	CC	5F082

H10D84/60,202@T	特性が異なるバイポーラトランジスタからなるもの		HB	CC	5F082

H10D84/60,202@D	ダーリントン接続		HB	CC	5F082

H10D84/60,202@Z	その他のもの		HB	CC	5F082

H10D84/63	・・縦型バイポーラトランジスタと横型バイポーラトランジスタとの組み合わせ［２０２５．０１］		HB	CC	5F082

H10D84/65	・・集積注入論理［ＩＩＬ］［２０２５．０１］		HB	CC	5F082

H10D84/65@J	インジェクタ		HB	CC	5F082

H10D84/65@N	インバータ		HB	CC	5F082

H10D84/65@W	ＩＩＬを含む回路		HB	CC	5F082

H10D84/65@Z	その他のもの		HB	CC	5F082

H10D84/67	・・相補型バイポーラトランジスタ［２０２５．０１］		HB	CC	5F082

H10D84/80	・グループＨ１０Ｄ１２／００またはＨ１０Ｄ３０／００に包含される少なくとも１つの構成部品の集積に特徴のあるもの，例．絶縁ゲート電界効果トランジスタの集積（Ｈ１０Ｄ８４／４０が優先）［２０２５．０１］		HB	CC	5F048

H10D84/80,101	・・絶縁ゲート電界効果トランジスタと他の素子を集積するもの		HB	CC	5F048

H10D84/80,101@A	絶縁ゲート電界効果トランジスタと，受動素子またはダイオードを集積するもの		HB	CC	5F048

H10D84/80,101@Z	その他のもの		HB	CC	5F048

H10D84/80,102	・・・保護回路		HB	CC	5F048

H10D84/80,102@A	抵抗を用いて保護したもの，コンタクト部に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H10D84/80,102@B	ダイオードを用いて保護したもの		HB	CC	5F048

H10D84/80,102@C	バイポーラを含むＭＯＳ構造を用いて保護したもの		HB	CC	5F048

H10D84/80,102@Z	その他のもの		HB	CC	5F048

H10D84/80,201	・・・縦型ＩＧＢＴまたはＶＤＭＯＳを含むもの		HB	CC	5F111

H10D84/80,202	・・・・他のトランジスタまたは他種のパワー素子と組み合わせたもの		HB	CC	5F111

H10D84/80,202@A	縦型トランジスタとの組み合わせ，例．Ｈブリッジ		HB	CC	5F111

H10D84/80,202@B	横型トランジスタとの組み合わせ		HB	CC	5F111

H10D84/80,202@C	・ＭＯＳ集積回路との組み合わせ，例．パワーＩＣ		HB	CC	5F111

H10D84/80,202@D	・・構造に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D84/80,202@E	・・・パワー部と制御部の分離領域		HB	CC	5F111

H10D84/80,202@F	・・・パワー部と制御部の配置パターン		HB	CC	5F111

H10D84/80,202@G	・・製造方法に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D84/80,202@Z	その他のもの		HB	CC	5F111

H10D84/80,203	・・・・保護素子または回路を組み込んだもの		HB	CC	5F111

H10D84/80,203@A	ダイオードを組み込んだもの		HB	CC	5F111

H10D84/80,203@B	・ゲート保護ダイオード		HB	CC	5F111

H10D84/80,203@C	・・ＳＯＩ構造のもの		HB	CC	5F111

H10D84/80,203@D	・還流ダイオード		HB	CC	5F111

H10D84/80,203@E	トランジスタを組み込んだもの		HB	CC	5F111

H10D84/80,203@F	・動作状態検出のためのトランジスタセル		HB	CC	5F111

H10D84/80,203@G	回路構成に特徴のあるもの		HB	CC	5F111

H10D84/80,203@Z	その他のもの		HB	CC	5F111

H10D84/82	・・電界効果構成部品のみを集積するもの［２０２５．０１］		HB	CC	5F048

H10D84/83	・・・絶縁ゲート電界効果トランジスタのみを集積するもの［２０２５．０１］		HB	CC	5F048

H10D84/83@A	ＭＯＳ構造全体，例．複数素子の配置または製法，に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H10D84/83@B	チャネル構造またはソース，ドレイン構造		HB	CC	5F048

H10D84/83@C	ゲート電極；ゲート絶縁膜		HB	CC	5F048

H10D84/83@D	コンタクト；電極；配線		HB	CC	5F048

H10D84/83@E	積層型ＭＯＳ；縦型ＭＯＳ		HB	CC	5F048

H10D84/83@F	ＭＯＳＩＣに対する保護回路		HB	CC	5F048

H10D84/83@H	メモリ；論理回路		HB	CC	5F048

H10D84/83@J	回路構成に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H10D84/83@Z	その他のもの		HB	CC	5F048

H10D84/83,101	・・・・寄生効果防止，例．素子分離		HB	CC	5F048

H10D84/83,101@A	絶縁分離		HB	CC	5F048

H10D84/83,101@B	チャネルストッパー；ガードリング		HB	CC	5F048

H10D84/83,101@C	基板；埋込み層		HB	CC	5F048

H10D84/83,101@D	ウェル		HB	CC	5F048

H10D84/83,101@E	ＳＯＳ；ＳＯＩ		HB	CC	5F048

H10D84/83,101@F	ダイオードまたは抵抗を用いたもの		HB	CC	5F048

H10D84/83,101@G	バイアスを与えたもの		HB	CC	5F048

H10D84/83,101@Z	その他のもの		HB	CC	5F048

H10D84/84	・・・・エンハンスメントモードの絶縁ゲート電界効果トランジスタおよびデプレッションモードの絶縁ゲート電界効果トランジスタの組み合わせ［２０２５．０１］		HB	CC	5F048

H10D84/84@A	全体，例．複数素子の配置または製法，に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H10D84/84@Z	その他のもの		HB	CC	5F048

H10D84/85	・・・・相補型絶縁ゲート電界効果トランジスタ，例．ＣＭＯＳ［２０２５．０１］		HB	CC	5F048

H10D84/85@A	ＣＭＯＳ全体，例．複数素子の配置または製法，に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H10D84/85@B	ウェル；基板；埋込み層		HB	CC	5F048

H10D84/85@C	チャネル構造		HB	CC	5F048

H10D84/85@D	ゲート電極；ゲート絶縁膜		HB	CC	5F048

H10D84/85@E	ソース，ドレイン形成		HB	CC	5F048

H10D84/85@F	コンタクト；電極；配線		HB	CC	5F048

H10D84/85@G	積層型ＭＯＳ；縦型ＭＯＳ		HB	CC	5F048

H10D84/85@H	ＣＭＯＳに対する保護回路		HB	CC	5F048

H10D84/85@K	メモリ；論理回路		HB	CC	5F048

H10D84/85@L	回路構成に特徴のあるもの		HB	CC	5F048

H10D84/85@N	製造工程の簡略化		HB	CC	5F048

H10D84/85@Z	その他のもの		HB	CC	5F048

H10D84/86	・・ショットキー障壁ゲート電界効果トランジスタを集積するもの［２０２５．０１］		HB	CC	5F082

H10D84/87	・・ＰＮ接合ゲート電界効果トランジスタを集積するもの［２０２５．０１］		HB	CC	5F082

H10D84/90	・マスタースライス集積回路［２０２５．０１］		HB	CC	5F048

H10D84/90,101	・・バイポーラトランジスタを含む集積回路；電界効果トランジスタを含む集積回路（１０２が優先）		HB	CC	5F082

H10D84/90,102	・・絶縁ゲート電界効果トランジスタを含む集積回路		HB	CC	5F048

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