FI(一覧表示)

H10N60/00	超電導装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ６９／００）［２０２３．０１］	HB	CC	4M113

H10N60/00@A	超電導性を利用した装置	HB	CC	4M113

H10N60/00@G	・磁気を利用した装置	HB	CC	4M113

H10N60/00@M	・マイスナー効果を利用した装置	HB	CC	4M113

H10N60/00@C	線材を除く超電導体の接続	HB	CC	4M113

H10N60/00@S	磁気シールド材	HB	CC	4M113

H10N60/00@Z	その他のもの	HB	CC	4M113

H10N60/01	・製造または処理［２０２３．０１］	HB	CC	4M113

H10N60/01@B	薄膜の製造方法	HB	CC	4M113

H10N60/01@C	・ジョセフソン素子用	HB	CC	4M113

H10N60/01@D	・積層	HB	CC	4M113

H10N60/01@F	薄膜の加工方法	HB	CC	4M113

H10N60/01@J	ジョセフソン素子の製造方法	HB	CC	4M113

H10N60/01@K	ジョセフソン素子の製造装置	HB	CC	4M113

H10N60/01@W	回路基板の製造方法	HB	CC	4M113

H10N60/01@Z	その他のもの	HB	CC	4M113

H10N60/10	・接合に基づく装置［２０２３．０１］	HB	CC	4M113

H10N60/10@G	超電導トランジスタ；多端子素子	HB	CC	4M113

H10N60/10@K	回路に特徴があるもの	HB	CC	4M113

H10N60/10@Z	その他のもの	HB	CC	4M113

H10N60/12	・・ジョセフソン効果装置［２０２３．０１］	HB	CC	4M113

H10N60/12@A	ジョセフソン素子	HB	CC	4M113

H10N60/12@B	・メモリ素子	HB	CC	4M113

H10N60/12@C	・ソリトン・デバイス	HB	CC	4M113

H10N60/12@D	・磁気センサ，電磁場の発生または検出電圧標準用	HB	CC	4M113

H10N60/12@Z	その他のもの	HB	CC	4M113

H10N60/20	・永久超電導装置［２０２３．０１］	HB	CC	4M114

H10N60/20@A	永久電流用機械式スイッチ	HB	CC	4M114

H10N60/20@Z	その他のもの	HB	CC	4M114

H10N60/30	・超電導状態と正常状態との間で切換可能な装置［２０２３．０１］	HB	CC	4M114

H10N60/35	・・クライオトロン［２０２３．０１］	HB	CC	4M113

H10N60/355	・・・電力用クライオトロン［２０２３．０１］	HB	CC	4M114

H10N60/80	・構造的細部［２０２３．０１］	HB	CC	4M114

H10N60/80@A	超電導素子の実装，例．マイクロピン	HB	CC	4M114

H10N60/80@B	超電導素子用薄膜	HB	CC	4M114

H10N60/80@W	超電導素子用回路基板	HB	CC	4M114

H10N60/80@D	超電導体の積層	HB	CC	4M114

H10N60/80@Z	その他のもの	HB	CC	4M114

H10N60/81	・・容器；取付具［２０２３．０１］	HB	CC	4M114

H10N60/82	・・電流路［２０２３．０１］	HB	CC	4M113

H10N60/83	・・素子の形状［２０２３．０１］	HB	CC	4M113

H10N60/84	・・超電導状態と正常状態との間で切換可能な装置のための切換手段［２０２３．０１］	HB	CC	4M113

H10N60/85	・・超電導の活性材料［２０２３．０１］	HB	CC	4M113

H10N60/85@A	合金；金属間化合物系	HB	CC	4M113

H10N60/85@B	有機物系	HB	CC	4M113

H10N60/85@C	セラミック系	HB	CC	4M113

H10N60/85@Z	その他のもの	HB	CC	4M113

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