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４Ｍ１１５と統合（Ｈ１５）
| 4M113 | 超電導ディバイスとその製造方法 | 電子デバイス |
| H10N60/00 -60/12@Z;60/35;60/82-69/00 | ||
| H10N60/00-60/12@Z;60/35;60/82-60/85@Z;69/00 | AA | AA00 ジョセフソンデバイス |
AA01 | AA02 | AA03 | AA04 | AA05 | AA06 | AA07 | AA08 | ||
| ・トンネル型（サンドイッチ型） | ・・カウンタ電極（Ｔｏｐ．Ｕｐｐｅｒ） | ・・・Ｈａｒｄ | ・・・・Ｎｂ | ・・・Ｓｏｆｔ | ・・・セラミック（酸化物超電導体） | ・・・多層 | ・・・・金属（Ｎｏｒｍａｌな金属、抵抗体） | |||||
| AA12 | AA13 | AA14 | AA15 | AA16 | AA17 | AA18 | AA19 | |||||
| ・・ベース電極（Ｌｏｗｅｒ） | ・・・Ｈａｒｄ | ・・・・Ｎｂ | ・・・Ｓｏｆｔ | ・・・セラミック（酸化物超電導体） | ・・・多層 | ・・・・金属（Ｎｏｒｍａｌな金属、抵抗体） | ・・特性に関する記載のあるもの | |||||
| AA22 | AA23 | AA24 | AA25 | AA26 | AA27 | AA28 | AA29 | AA30 | ||||
| ・・バリア層 | ・・・絶縁体 | ・・・・半導体 | ・・・・酸化物 | ・・・・・電極の酸化 | ・・・半導体 | ・・・・ドープ | ・・・金属（Ｎｏｒｍａｌ） | ・・・・合金 | ||||
| AA33 | AA34 | AA37 | ||||||||||
| ・・・厚さの限定のあるもの＊ | ・・・・コヒーレント、磁界侵入 | ・・横方向電流 | ||||||||||
| AA41 | AA42 | AA43 | AA44 | AA45 | AA46 | |||||||
| ・ソリトンデバイス | ・・フラクソンの伝送 | ・・機能 | ・・・論理 | ・・・パルス発振 | ・・・メモリ | |||||||
| AA51 | AA52 | AA53 | AA54 | AA55 | AA57 | AA59 | AA60 | |||||
| ・ブリッジ型 | ・・括れ部によるブリッジ | ・・段差によるブリッジ | ・・溝によるブリッジ | ・・粒界によるブリッジ | ・ピン型 | ・放熱構造を有するもの | ・その他のジョセフソンデバイス | |||||
| AB | AB00 超電導トランジスタ |
AB01 | AB04 | AB05 | AB07 | AB08 | ||||||
| ・ジョセフソントランジスタ | ・近接効果を利用したもの | ・・半導体中の電流を近接効果で制御するもの | ・キャリア注入によるもの | ・・準粒子注入タイプ | ||||||||
| AB11 | AB15 | |||||||||||
| ・その他の超電導トランジスタ | ・新しい理論に基づくもの | |||||||||||
| AC | AC00 その他の超電導デバイス |
AC01 | AC02 | AC03 | AC04 | AC05 | AC06 | AC07 | AC08 | AC09 | AC10 | |
| ・メモリ素子 | ・・磁束量子を利用するもの | ・・・ジョセフソンデバイスを利用するもの | ・・永久電流を利用するもの | ・・非破壊型のもの | ・ＳＱＵＩＤ | ・・ＲＦ－ＳＱＵＩＤ | ・・ＤＣ－ＳＱＵＩＤ | ・・・接合が３つ以上のもの | ・・円筒に形成 | |||
| AC11 | AC12 | AC13 | ||||||||||
| ・発光素子 | ・・レーザ | ・・波長の特定されているもの＊ | ||||||||||
| AC21 | AC22 | AC23 | AC24 | AC25 | AC29 | AC30 | ||||||
| ・受光素子 | ・・ジョセフソン素子を用いたもの | ・・光導電性半導体を用いたもの | ・・放射線検出 | ・・電磁波検出 | ・・素子が複数のもの | ・・・マトリックス | ||||||
| AC31 | AC32 | AC33 | AC36 | AC37 | AC38 | AC39 | ||||||
| ・抵抗素子 | ・・ジョセフソン素子を用いたもの | ・・その他のもの | ・スイッチ | ・・超電導状態と常電導状態の切り替えを行うもの | ・・・臨界温度の利用 | ・・・臨界磁界の利用 | ||||||
| AC41 | AC42 | AC44 | AC45 | AC46 | AC48 | AC50 | ||||||
| ・温度センサ | ・・ボロメータ | ・その他の素子 | ・・量子デバイス | ・・磁束検出素子 | ・・磁気を発生するもの | ・・新しい理論による素子 | ||||||
| AD | AD00 超電導回路 |
AD01 | AD02 | AD03 | AD04 | AD05 | AD06 | AD07 | AD08 | |||
| ・回路構成 | ・・磁気結合型ゲート | ・・・２つの接合が並列のもの | ・・・・ＳＩＬ（対称ゲート） | ・・・・ＡＩＬ（非対称ゲート） | ・・・３つの接合が並列であるもの | ・・・・ＪＩＬ | ・・・４つ以上の接合が並列であるもの | |||||
| AD11 | AD12 | AD13 | AD14 | AD15 | AD16 | AD17 | AD18 | AD19 | ||||
| ・・・干渉計型電流注入ゲート | ・・・・ＣＩＧ | ・・・・・４ＪＬ | ・・・非干渉の注入型 | ・・・・ＪＡＷＳ．ＤＣＬ | ・・接合が直列のもの | ・・・接合が３つのもの | ・・・接合が４つ以上のもの | ・・・レギュレター | ||||
| AD21 | AD22 | AD23 | AD24 | AD25 | AD26 | |||||||
| ・回路機能 | ・・メモリ回路 | ・・論理回路 | ・・・ＡＮＤ回路 | ・・・ＯＲ回路 | ・・・ＮＯＴ回路 | |||||||
| AD31 | AD32 | AD33 | AD34 | AD35 | AD36 | AD37 | AD38 | AD39 | AD40 | |||
| ・回路構造 | ・・基板 | ・・・ＭＯＡＴ | ・・・バッファ | ・・・・バッファ材料 | ・・・材料＊ | ・・・・ＭｇＯ | ・・・・ＺｒＯ２ | ・・・・ＹＳＺ | ・・・基板の配向 | |||
| AD41 | AD42 | AD43 | AD44 | AD45 | AD46 | AD47 | ||||||
| ・・素子分離構造 | ・・・グランドプレーン | ・・・相互干渉の防止 | ・・・磁気シールド | ・・・・超電導体 | ・・・形状に特徴のあるもの（平板以外のもの） | ・・・材料に特徴のあるもの＊ | ||||||
| AD51 | AD52 | AD53 | AD54 | AD56 | AD58 | |||||||
| ・・配線パターン | ・・・コントロールライン | ・・・・コントロールラインが２本 | ・・・・コントロールラインが３本以上 | ・・・多層配線 | ・・・材料に特徴のあるもの＊ | |||||||
| AD61 | AD62 | AD63 | AD66 | AD67 | AD68 | |||||||
| ・・電極 | ・・・コンタクト構造 | ・・・材料に特徴のあるもの＊ | ・・絶縁膜 | ・・・層間絶縁膜 | ・・・材料に特徴のあるもの＊ | |||||||
| BA | BA00 基板及び薄膜の製造方法 |
BA01 | BA02 | BA03 | BA04 | BA05 | BA06 | BA07 | BA08 | BA09 | ||
| ・基板の形成 | ・薄膜の形成 | ・・気相法 | ・・・ＰＶＤ，物理蒸着法 | ・・・・ＤＣスパッタ | ・・・・ＡＣスパッタ | ・・・・ＲＦスパッタ | ・・・・マグネトロンスパッタ | ・・・・ターゲットに特徴のあるもの | ||||
| BA11 | BA12 | BA13 | BA14 | BA15 | BA16 | BA17 | BA18 | |||||
| ・・・・真空蒸着法 | ・・・・・同時蒸着法 | ・・・・・積層蒸着法 | ・・・・ＭＢＥ，ＭＥＥ，ＡＬＥ，ＭＬＥ | ・・・ＣＶＤ．化学蒸着法 | ・・・・熱ＣＶＤ | ・・・・光ＣＶＤ | ・・・・ＭＯ－ＣＶＤ | |||||
| BA21 | BA22 | BA23 | BA24 | BA25 | BA26 | BA28 | BA29 | BA30 | ||||
| ・・液相法 | ・・・プラズマスプレー法 | ・・・溶液法 | ・・・ドクターブレード法 | ・・・スクリーン印刷法 | ・・固相法 | ・・熱処理方法、アニール | ・・・温度、雰囲気に特徴のあるもの | ・・・時間に特徴のあるもの | ||||
| BB | BB00 デバイスの製造方法 |
BB01 | BB02 | BB03 | BB04 | BB07 | BB08 | BB09 | BB10 | |||
| ・電極の形成方法 | ・・カウンタ電極 | ・・ベース電極 | ・・コンタクト電極 | ・接合部の形成方法 | ・・熱酸化 | ・・絶縁物の蒸着 | ・・ＤＣスパッタ | |||||
| BB11 | BB12 | BB13 | BB14 | BB15 | BB16 | BB17 | BB18 | BB19 | BB20 | |||
| ・・ＡＣスパッタ | ・・ＲＦスパッタ | ・・酸素ガスプラズマイオンによる酸化 | ・・ガス材料＊ | ・・・ＳｉＨ４ | ・・・Ａｒ | ・・・オゾン | ・・ガス圧 | ・・酸素圧 | ・・放電電圧 | |||
| BC | BC00 その他の製造方法 |
BC01 | BC02 | BC03 | BC04 | BC05 | BC06 | BC07 | BC08 | BC09 | ||
| ・パターンの形成方法 | ・・リフトオフ | ・・・ステンシル形成 | ・・ドライエッチング | ・・ウェットエッチング | ・・ストッパを用いたもの | ・・材料を改質するもの | ・・・イオンビーム照射 | ・・・レーザ照射 | ||||
| BC11 | BC12 | BC15 | BC16 | BC17 | BC18 | BC19 | BC20 | |||||
| ・・スクリーン印刷 | ・・レジストに特徴 | ・洗浄、クリーニング | ・・スパッタエッチング | ・・・ガスに特徴のあるもの＊ | ・・・・フッ化炭素 | ・・・・Ａｒ | ・・・ガス圧＊ | |||||
| BC21 | BC22 | BC23 | BC26 | BC27 | BC28 | BC29 | ||||||
| ・素子分離形成 | ・・グランドプレーンの形成 | ・・シールドの形成 | ・絶縁膜の形成 | ・・陽極酸化 | ・・絶縁物質の蒸着 | ・・・ＳｉＯの蒸着 | ||||||
| CA | CA00 超電導材料 |
CA01 | CA02 | CA03 | CA04 | CA06 | CA07 | CA08 | ||||
| ・金属＊ | ・・磁気的性質に特徴のあるもの | ・・・第１種超電導体 | ・・・第２種超電導体 | ・・硬度に特徴のあるもの | ・・・Ｈａｒｄ | ・・・Ｓｏｆｔ | ||||||
| CA11 | CA12 | CA13 | CA14 | CA15 | CA16 | CA17 | CA18 | CA19 | ||||
| ・・材料に特徴のあるもの＊ | ・・・元素＊ | ・・・・Ｎｂ | ・・・・Ｐｂ | ・・・・Ｇａ | ・・・化合物＊ | ・・・・Ｎｂ系の化合物 | ・・・・Ｖ系の化合物 | ・・・合金 | ||||
| CA21 | ||||||||||||
| ・有機物 | ||||||||||||
| CA31 | CA32 | CA33 | CA34 | CA35 | CA36 | CA39 | CA40 | |||||
| ・酸化物 | ・・ＢＰＢＯ | ・・Ｌａ系 | ・・Ｌｎ系（ランタニド） | ・・Ｂｉ系 | ・・Ｔｌ系 | ・その他の物質＊ | ・・半導体 | |||||
| CA41 | CA42 | CA43 | CA44 | CA45 | CA47 | |||||||
| ・臨界温度 | ・・液体水素の沸点未満 | ・・液体水素の沸点以上 | ・・液体窒素の沸点以上 | ・・水の融点以上と記載されているもの | ・ｎ型の超電導体 |