FI(一覧表示)

  • H10F39/00
  • グループH10F30/00に包含される,少なくとも1つの素子を備える,集積装置または複数の装置の組立体,例.フォトダイオードアレイを備える輻射線検出器[2025.01] HB CC 4M118
  • H10F39/10
  • ・集積装置[2025.01] HB CC 4M118
  • H10F39/10@K
  • 特殊用途用固体撮像素子;特定用途用受光素子 HB CC 4M118
  • H10F39/10@J
  • ・光通信用受光素子 HB CC 4M118
  • H10F39/10@Z
  • その他のもの HB CC 4M118
  • H10F39/12
  • ・・固体撮像装置[2025.01] HB CC 4M118
  • H10F39/12@G
  • H10F39/15,39/18以外の固体撮像装置,例.CID型,FET型,SIT型またはCPD型 HB CC 4M118
  • H10F39/12@D
  • パッケージ;フィルタ;チップ;表面層 HB CC 4M118
  • H10F39/12@Z
  • その他のもの HB CC 4M118
  • H10F39/15
  • ・・・電荷結合型[CCD]固体撮像装置[2025.01] HB CC 4M118
  • H10F39/15@B
  • CCD型,例.FT方式,IL方式,LA方式,CS方式,クロスゲート方式または一次元用 HB CC 4M118
  • H10F39/15@H
  • ・時間遅延積分[TDI]型 HB CC 4M118
  • H10F39/15@Z
  • その他のもの HB CC 4M118
  • H10F39/18
  • ・・・相補型金属-酸化膜-半導体[CMOS]固体撮像装置;フォトダイオードアレイ固体撮像装置[2025.01] HB CC 4M118
  • H10F39/18@A
  • プレナ固体撮像素子,例.MOS型 HB CC 4M118
  • H10F39/18@F
  • ・ハイブリッド固体撮像素子 HB CC 4M118
  • H10F39/18@E
  • ・・光導電層積層型 HB CC 4M118
  • H10F39/18@C
  • 薄膜固体撮像素子 HB CC 4M118
  • H10F39/18@Z
  • その他のもの HB CC 4M118
  • H10F39/90
  • ・複数の装置の組立体[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F39/95
  • ・・グループH10F39/10に包含される,少なくとも1つの集積装置を備えるもの,例.集積化された固体撮像装置を備えるもの[2025.01] HB CC 4M118
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