FI(一覧表示)

  • H10B43/00
  • 電荷トラッピングゲート絶縁体を含むEEPROM装置[2023.01] HB CC 5F083
  • H10B43/10
  • ・上から見たレイアウトに特徴のあるもの[2023.01] HB CC 5F083
  • H10B43/20
  • ・三次元配置,例.異なる高さに配置されたセル,に特徴のあるもの[2023.01] HB CC 5F083
  • H10B43/23
  • ・・異なる高さのソースとドレインを有するもの,例.傾斜チャネルを有するもの[2023.01] HB CC 5F083
  • H10B43/27
  • ・・・垂直部分を含むチャネル,例.U字型チャネル[2023.01] HB CC 5F083
  • H10B43/30
  • ・メモリコア領域に特徴のあるもの[2023.01] HB CC 5F083
  • H10B43/35
  • ・・セル選択トランジスタを有するもの,例.NAND[2023.01] HB CC 5F083
  • H10B43/40
  • ・周辺回路領域に特徴のあるもの[2023.01] HB CC 5F083
  • H10B43/50
  • ・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの[2023.01] HB CC 5F083
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