|
このページは、H10B内の「メイングループ」または、「ファセット」等が選択できます。 |
HB:ハンドブック | ||||
|
希望する「メイングループ」または、「ファセット」等を選択してください。 |
CC:コンコーダンス | ||||
| 揮発性記憶装置［２０２３．０１］ | |||||
|
|
スタティックランダムアクセスメモリ［ＳＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
|
|
ダイナミックランダムアクセスメモリ［ＤＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
| 不揮発性記憶装置［２０２３．０１］ | |||||
|
|
読み出し専用メモリ［ＲＯＭ］装置［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
|
|
フローティングゲートを含む電気的消去・書き込み可能なＲＯＭ［ＥＥＰＲＯＭ］装置［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
|
|
電荷トラッピングゲート絶縁体を含むＥＥＰＲＯＭ装置［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
|
|
強誘電性のメモリトランジスタを含む強誘電体メモリ［ＦｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
|
|
強誘電性のメモリキャパシタを含む強誘電体メモリ［ＦｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
|
|
磁気メモリ装置，例．磁気抵抗ＲＡＭ［ＭＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ | HB | CC | 4M119 | |
|
|
抵抗変化メモリ装置，例．抵抗ＲＡＭ［ＲｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
|
|
グループＨ１０Ｂ４１／００～Ｈ１０Ｂ６３／００に包含されない，消去可能でプログラム可能なＲＯＭ［ＥＰＲＯＭ］装置，例．紫外線による消去可能でプログラム可能なＲＯＭ［ＵＶＥＰＲＯＭ］装置［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
|
|
このサブクラスに包含される，少なくとも１つの記憶装置を備える，複数の装置の組立体［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F037 | |
|
|
このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |