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HB:ハンドブック | ||||
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CC:コンコーダンス | |||||
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フローティングゲートを含む電気的消去・書き込み可能なＲＯＭ［ＥＥＰＲＯＭ］装置［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・・異なる高さのソースとドレインを有するもの，例．傾斜チャネルを有するもの［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・・・垂直部分を含むチャネル，例．Ｕ字型チャネル［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・・セル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・・メモリ領域にセル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・・周辺セルおよびメモリセルの同時製造［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・・・周辺トランジスタを一種類のみ含むもの［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・・・・コントロールゲート層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・・・・ゲート間誘電体層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・・・・フローティングゲート層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・・・・トンネル誘電体層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・・・異なる種類の周辺トランジスタを含むもの［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・コントロールゲートがドープ領域であるもの，例．単層ポリメモリセル［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |
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・フローティングゲートが複数の構成部品で共有される電極であるもの［２０２３．０１］ | HB | CC | 5F083 | |