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  • H10B12/00
    		•  ダイナミックランダムアクセスメモリ［ＤＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ HB CC 5F083
  • H10B12/00,601
    		•  ・１ＭＯＳトランジスタ―１キャパシタ型ＤＲＡＭ HB CC 5F083
  • H10B12/00,611
    		•  ・・キャパシタ構造に特徴のあるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,615
    		•  ・・・プレーナ型キャパシタ HB CC 5F083
  • H10B12/00,621
    		•  ・・・スタック型キャパシタ HB CC 5F083
  • H10B12/00,621@A
    		•  横方向にフィンを形成しているもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,621@B
    		•  縦方向の面を利用するもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,621@C
    		•  ・ストレージ電極にくぼみ面を有するもの，例．クラウン型またはＣＵＰ型キャパシタ HB CC 5F083
  • H10B12/00,621@Z
    		•  その他のスタック型キャパシタ，例．単純スタック型またはスタック型の各種変形 HB CC 5F083
  • H10B12/00,625
    		•  ・・・トレンチ型キャパシタ HB CC 5F083
  • H10B12/00,625@A
    		•  基板をセルプレートとして用いるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,625@B
    		•  基板をストレージノードとして用いるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,625@C
    		•  トレンチ内にセルプレートとストレージノードを各々独立に設けるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,625@Z
    		•  その他のトレンチ型キャパシタ HB CC 5F083
  • H10B12/00,631
    		•  ・・・空乏層容量を利用したキャパシタ HB CC 5F083
  • H10B12/00,651
    		•  ・・・キャパシタ絶縁膜に特徴のあるもの，例．絶縁膜材料に特徴のあるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,661
    		•  ・・・その他のキャパシタ HB CC 5F083
  • H10B12/00,671
    		•  ・・トランジスタ構造に特徴のあるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,671@A
    		•  縦型トランジスタ HB CC 5F083
  • H10B12/00,671@B
    		•  ・溝型トランジスタ HB CC 5F083
  • H10B12/00,671@C
    		•  ＳＯＩ上にトランジスタを形成したもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,671@Z
    		•  その他のトランジスタ HB CC 5F083
  • H10B12/00,681
    		•  ・・その他，例．レイアウト，に特徴のあるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,681@A
    		•  ワード線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,681@B
    		•  ビット線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,681@C
    		•  接地線または電源線のレイアウト，構造または材料に特徴のあるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,681@D
    		•  素子分離構造に特徴のあるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,681@E
    		•  チップ全体またはそれに近いレイアウトプランに特徴のあるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,681@F
    		•  周辺回路部の構造またはレイアウトに特徴のあるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,681@G
    		•  ・センスアンプに特徴のあるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,681@Z
    		•  その他 HB CC 5F083
  • H10B12/00,691
    		•  ・・誤動作防止に特徴のあるもの HB CC 5F083
  • H10B12/00,801
    		•  ・１ＭＯＳトランジスタ―１キャパシタ型以外のＤＲＡＭ HB CC 5F083
  • H10B12/00,821
    		•  ・ＭＯＳ―他のトランジスタからなるＤＲＡＭ HB CC 5F083
  • H10B12/00,841
    		•  ・バイポーラ，ＭＯＳ以外のダイナミックランダムアクセスメモリ構造 HB CC 5F083
  • H10B12/00,861
    		•  ・・接合型またはＳＩＴトランジスタメモリ HB CC 5F083
  • H10B12/10
    		•  ・バイポーラ構成部品からなるＤＲＡＭ装置［２０２３．０１］ HB CC 5F083
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