FI(一覧表示)

G03F1/00	フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿，例．マスク，フォトマスク又はレチクル；そのためのマスクブランク又はペリクル；特にそれに適合した容器；その準備［３，２０１２．０１］	(注)/(索引)	HB	CC	2H195

G03F1/00@A	バーコード用		HB	CC	2H195

G03F1/00@B	シャドーマスク用		HB	CC	2H195

G03F1/00@C	ＴＶ，ビデオ画像から		HB	CC	2H195

G03F1/00@D	パターンの作成		HB	CC	2H195

G03F1/00@E	スキャナーによる作成		HB	CC	2H195

G03F1/00@F	・スキャナー入力準備		HB	CC	2H195

G03F1/00@G	・倍率測定		HB	CC	2H195

G03F1/00@H	・スキャナー細部		HB	CC	2H195

G03F1/00@J	・ドラム		HB	CC	2H195

G03F1/00@K	・ドラムへの原稿取付		HB	CC	2H195

G03F1/00@L	コンピュータによる画像処理		HB	CC	2H195

G03F1/00@M	・レイアウト処理		HB	CC	2H195

G03F1/00@N	・トリミング処理		HB	CC	2H195

G03F1/00@P	画像変形		HB	CC	2H195

G03F1/00@Q	画像拡大、縮小		HB	CC	2H195

G03F1/00@R	エッジ処理		HB	CC	2H195

G03F1/00@S	縁取り		HB	CC	2H195

G03F1/00@T	抜きマスクの作成		HB	CC	2H195

G03F1/00@V	原稿の検査		HB	CC	2H195

G03F1/00@W	・検版		HB	CC	2H195

G03F1/00@X	・ページ配列の検査		HB	CC	2H195

G03F1/00@Y	原稿の修正		HB	CC	2H195

G03F1/00@Z	その他のもの		HB	CC	2H195

G03F1/20	・荷電粒子線［ＣＰＢ］の放射，例．電子線，によって画像化するためのマスク又はマスクブランク；その準備［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/22	・１００ｎｍ以下の波長の放射によって画像化するためのマスク又はマスクブランク，例．Ｘ線マスク，極端紫外［ＥＵＶ］マスク；その準備［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/24	・・反射マスク；その準備［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/26	・位相シフトマスク［ＰＳＭ］；ＰＳＭブランク；その準備［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/28	・・同一のＰＳＭ上に３種以上の位相；その準備［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/29	・・リムＰＳＭ又はアウトリガーＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/30	・・交互ＰＳＭ，例．渋谷・レベンソンＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/32	・・減衰ＰＳＭ［ａｔｔ－ＰＳＭ］，例．ハーフトーンＰＳＭ又は半透明な位相シフト部を有するＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/34	・・フェーズ・エッジＰＳＭ，例．クロムレスＰＳＭ；その準備［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/36	・近接効果補正に特徴を有するマスク；その準備，例．光近接効果補正［ＯＰＣ］デザインプロセス［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/38	・補助的な特徴を有するマスク，例．特別なコーティング又はアライメント若しくは試験のためのマーク；その準備［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/40	・・静電放電［ＥＳＤ］に関連する特徴，例．帯電防止コーティング又はマスク基板の周囲の導電性金属層［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/42	・・アライメント又は重ね合わせ（レジストレーション）の特徴，例．マスク基板上のアライメントマーク［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/44	・・試験又は測定の特徴，例．格子パターン，フォーカスモニター，のこぎり歯状スケール又はノッチ状スケール［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/46	・・反射防止コーティング［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/48	・・保護コーティング［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/50	・グループＧ０３Ｆ１／２０からＧ０３Ｆ１／２６に包含されないマスクブランク；その準備［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/52	・反射材［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/54	・吸収材，例．不透明な材料［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/56	・・有機的な吸収材，例．フォトレジスト［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/58	・・２つ以上の異なる吸収材層，例．積層された複数層の吸収材［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/60	・基板［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/62	・ペリクル又はペリクル構造体，例．支持フレーム上に薄膜を備えるもの；その準備［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/64	・・そのフレームに特徴のあるもの，例．その構造又は材料［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/66	・容器，特にマスク，マスクブランク又はペリクルに適合するもの；その準備［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/68	・グループＧ０３Ｆ１／２０からＧ０３Ｆ１／５０に包含されない準備プロセス［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/70	・・マスクの基本的レイアウト又はデザインをリソグラフィプロセスの要求に適合させること，例．画像化のためのマスクパターンの再修正［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/72	・・マスク欠陥の修理又は修正［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/74	・・・荷電粒子線［ＣＰＢ］，例．集束イオンビーム，によるもの［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/76	・・画像化によるマスクのパターン形成［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/78	・・・荷電粒子線［ＣＰＢ］，例．電子線，によるもの［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/80	・・エッチング［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/82	・・補助的なプロセス，例．クリーニング［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/84	・・・検査［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/86	・・・・荷電粒子線［ＣＰＢ］によるもの［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/88	・レリーフ状原稿作成のために写真プロセスによって準備されたもの［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/90	・モンタージュプロセスによって準備されたもの［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/92	・印刷表面から準備されたもの［２０１２．０１］		HB	CC	2H195

G03F1/92@A	手工によるもの		HB	CC	2H195

G03F1/92@B	・感圧材料の利用		HB	CC	2H195

G03F1/92@C	・感熱材料の利用		HB	CC	2H195

G03F1/92@D	・レイアウトテーブル		HB	CC	2H195

G03F1/92@E	・貼り込み用具		HB	CC	2H195

G03F1/92@F	・レイアウトシート		HB	CC	2H195

G03F1/92@G	・貼り込み用素材		HB	CC	2H195

G03F1/92@H	・マスキングフィルム		HB	CC	2H195

G03F1/92@Z	その他		HB	CC	2H195

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