FI(一覧表示)

  • C23C16/00
  • ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着[CVD]法(反応性スパッタリングまたは真空蒸着C23C14/00)[2006.01] HB CC 4K030
  • C23C16/01
  • ・一時的な基板上に行うもの,例.エッチングによって結果的に除去されるような基板の上[7] HB CC 4K030
  • C23C16/02
  • ・被覆される材料の前処理(C23C16/04が優先)[4] HB CC 4K030
  • C23C16/04
  • ・選択された表面部分への被覆,例.マスクを用いるもの[4] HB CC 4K030
  • C23C16/06
  • ・金属質材料の析出に特徴のあるもの[4] HB CC 4K030
  • C23C16/08
  • ・・金属ハロゲン化物からのもの[4] HB CC 4K030
  • C23C16/10
  • ・・・クロムのみの析出[4] HB CC 4K030
  • C23C16/12
  • ・・・アルミニウムのみの折出[4] HB CC 4K030
  • C23C16/14
  • ・・・その他の1金属元素のみの析出[4] HB CC 4K030
  • C23C16/16
  • ・・金属カルボニル化合物からのもの[4] HB CC 4K030
  • C23C16/18
  • ・・金属有機質化合物からのもの[4] HB CC 4K030
  • C23C16/20
  • ・・・アルミニウムのみの析出[4] HB CC 4K030
  • C23C16/22
  • ・金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの[4] HB CC 4K030
  • C23C16/24
  • ・・けい素のみの析出[4] HB CC 4K030
  • C23C16/26
  • ・・炭素のみの析出[4] HB CC 4K030
  • C23C16/27
  • ・・・ダイヤモンドのみの析出[7] HB CC 4K030
  • C23C16/28
  • ・・その他の1非金属元素のみの析出[4] HB CC 4K030
  • C23C16/30
  • ・・化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物[4] HB CC 4K030
  • C23C16/32
  • ・・・炭化物[4] HB CC 4K030
  • C23C16/34
  • ・・・窒化物[4] HB CC 4K030
  • C23C16/36
  • ・・・炭窒化物[4] HB CC 4K030
  • C23C16/38
  • ・・・ほう化物[4] HB CC 4K030
  • C23C16/40
  • ・・・酸化物[4] HB CC 4K030
  • C23C16/42
  • ・・・けい化物[4] HB CC 4K030
  • C23C16/44
  • ・被覆の方法に特徴のあるもの(C23C16/04が優先)[4] HB CC 4K030
  • C23C16/44@A
  • 方法 HB CC 4K030
  • C23C16/44@B
  • 装置と関連するもの HB CC 4K030
  • C23C16/44@E
  • ・廃ガスの処理 HB CC 4K030
  • C23C16/44@F
  • ・基体の搬送 HB CC 4K030
  • C23C16/44@G
  • ・基台の駆動 HB CC 4K030
  • C23C16/44@J
  • ・反応物の除去、付着防止 HB CC 4K030
  • C23C16/44@Z
  • その他 HB CC 4K030
  • C23C16/442
  • ・・流体床法を用いるもの[7] HB CC 4K030
  • C23C16/448
  • ・・反応性ガス流を発生させるために用いる方法に特徴があるもの,例.先行する材料の蒸発または昇華によるもの[7] HB CC 4K030
  • C23C16/452
  • ・・・反応室に導入する前に反応ガス流を活性化させることによるもの,例.反応種のイオン化または添加によるもの[7] HB CC 4K030
  • C23C16/453
  • ・・反応ガスをバーナーまたはトーチへ通すもの,例.空気圧CVD(C23C16/513が優先;溶解被覆材料の,火炎またはプラズマによるスプレー用のものC23C4/00)[7] HB CC 4K030
  • C23C16/455
  • ・・ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの[7] HB CC 4K030
  • C23C16/458
  • ・・反応室の基板を支えるのに使われる方法に特徴があるもの[7] HB CC 4K030
  • C23C16/46
  • ・・基板を加熱するのに使われる方法に特徴があるもの(C23C16/48,C23C16/50が優先)[4] HB CC 4K030
  • C23C16/48
  • ・・放射によるもの,例.光分解,放射線分解,粒子放射[4] HB CC 4K030
  • C23C16/50
  • ・・放電を用いるもの[4] HB CC 4K030
  • C23C16/503
  • ・・・交流または直流放電を使用するもの[7] HB CC 4K030
  • C23C16/505
  • ・・・高周波放電によるもの[7] HB CC 4K030
  • C23C16/507
  • ・・・・外部電極,例.トンネル型のリアクトル,を用いるもの[7] HB CC 4K030
  • C23C16/509
  • ・・・・内部電極を用いるもの[7] HB CC 4K030
  • C23C16/511
  • ・・・マイクロ波放電を用いるもの[7] HB CC 4K030
  • C23C16/513
  • ・・・プラズマジェットを用いるもの[7] HB CC 4K030
  • C23C16/515
  • ・・・パルス放電を用いるもの[7] HB CC 4K030
  • C23C16/517
  • ・・・C23C16/503~C23C16/515のグループのうち二つ以上に分類される放電の組み合わせを用いるもの[7] HB CC 4K030
  • C23C16/52
  • ・・被覆工程の制御または調整[4] HB CC 4K030
  • C23C16/54
  • ・・連続被覆に特に適合した装置[4] HB CC 4K030
  • C23C16/56
  • ・後処理[4] HB CC 4K030
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