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4K030 | CVD | 無機化学 |
C23C16/00 -16/56 |
C23C16/00-16/56 | AA | AA00 原料ガスが特定されたもの |
AA01 | AA02 | AA03 | AA04 | AA05 | AA06 | AA07 | AA08 | AA09 | AA10 |
・主反応ガスが特定されたもの | ・・ハロゲン化物系主反応ガス | ・・・塩化物系 | ・・・弗化物系 | ・・水素化物系主反応ガス | ・・・シラン系 | ・・・ジボラン系 | ・・・ホスフィン系 | ・・炭化水素化合物系主反応ガス | ・・・飽和炭化水素系 | |||
AA11 | AA12 | AA13 | AA14 | AA16 | AA17 | AA18 | AA20 | |||||
・・金属有機化合物系主反応ガス | ・・金属カーボニル化合物系主反応ガス | ・・NH3系主反応ガス | ・・O2系,CO系,CO2系主反応ガス | ・キャリヤーガスが特定されたもの | ・・H2系キャリヤーガス | ・・N2系キャリヤーガス | ・ドーピングガスが特定されたもの | |||||
AA22 | AA24 | |||||||||||
・増感剤を用いるもの | ・その他の原料ガス | |||||||||||
BA | BA00 皮膜材質が特定されたもの |
BA01 | BA02 | BA03 | BA04 | BA05 | BA06 | BA07 | BA08 | BA09 | BA10 | |
・金属成分を含む皮膜 | ・・Al | ・・Be | ・・Bi | ・・Co | ・・Cr | ・・Fe | ・・Ga | ・・Ge | ・・Hf | |||
BA11 | BA12 | BA13 | BA14 | BA15 | BA16 | BA17 | BA18 | BA19 | BA20 | |||
・・In | ・・Mo | ・・Nb(Cb) | ・・Ni | ・・Sb | ・・Sn | ・・Ta | ・・Ti | ・・V | ・・W | |||
BA21 | BA22 | BA24 | BA25 | BA26 | BA27 | BA28 | BA29 | BA30 | ||||
・・Zn | ・・Zr | ・非金属成分を含む皮膜 | ・・As | ・・B | ・・C | ・・・ダイヤモンド状C | ・・Si | ・・・アモルファスSi | ||||
BA31 | BA32 | BA33 | BA35 | BA36 | BA37 | BA38 | BA39 | BA40 | ||||
・・・水素化Si | ・・Se | ・・Te | ・化合物成分を含む皮膜 | ・・炭化物 | ・・・SiC | ・・窒化物 | ・・・BN | ・・・SiN | ||||
BA41 | BA42 | BA43 | BA44 | BA45 | BA46 | BA47 | BA48 | BA49 | BA50 | |||
・・炭窒化物 | ・・酸化物 | ・・・Al―O系 | ・・・Si―O系 | ・・・Sn―O系 | ・・・Ti―O系 | ・・・Zn―O系 | ・・ケイ化物 | ・・ホウ化物 | ・・硫化物 | |||
BA51 | BA53 | BA54 | BA55 | BA56 | BA57 | BA58 | BA59 | |||||
・・リン化物 | ・周期率表により表現された成分を含む皮膜 | ・・2族元素 | ・・3族元素 | ・・5族元素 | ・・6族元素 | ・・遷移元素 | ・・希土類元素 | |||||
BA61 | ||||||||||||
・その他の成分を含む皮膜 | ||||||||||||
BB | BB00 皮膜構造が特定されたもの |
BB01 | BB02 | BB03 | BB04 | BB05 | BB06 | |||||
・結晶形態が特定されたもの | ・・単結晶からなるもの | ・・多結晶からなるもの | ・・・微細結晶からなるもの | ・・アモルファス,非晶質,非結晶 | ・・混晶からなるもの | |||||||
BB11 | BB12 | BB13 | BB14 | |||||||||
・被覆形態が特定されたもの | ・・多層被覆からなるもの | ・・・2層被覆からなるもの | ・・部分的な被覆を有するもの | |||||||||
CA | CA00 基体が特定されたもの |
CA01 | CA02 | CA03 | CA04 | CA05 | CA06 | CA07 | CA08 | |||
・基体の材質が特定されたもの | ・・金属,合金からなるもの | ・・・超硬合金,サーメットからなるもの | ・・半導体からなるもの | ・・セラミックからなるもの | ・・ガラスからなるもの | ・・プラスチックからなるもの | ・・繊維からなるもの | |||||
CA11 | CA12 | CA13 | CA14 | CA15 | CA16 | CA17 | CA18 | |||||
・基体の形状が特定されたもの | ・・ウェハー,フィルム,箔 | ・・線,フィラメント,ファイバー | ・・管 | ・・・管の内面 | ・・・管の外面 | ・・ストリップ,帯,板 | ・・粒子,粉末 | |||||
DA | DA00 前処理及びまたは後処理を行うもの |
DA01 | DA02 | DA03 | DA04 | DA05 | DA06 | DA08 | DA09 | |||
・前処理を行うもの | ・・基体の前処理を行うもの | ・・・クリーニング | ・・・エッチング | ・・・マスキング | ・・反応室の前処理を行うもの | ・後処理を行うもの | ・・熱処理 | |||||
EA | EA00 原料ガスの処理に関するもの |
EA01 | EA03 | EA04 | EA05 | EA06 | EA08 | |||||
・ガス発生,供給に関するもの | ・反応室へのガス導入に関するもの | ・・吹出ノズル | ・・・形状 | ・・・配置 | ・反応室内でのガス攪拌に関するもの | |||||||
EA11 | EA12 | EA13 | EA14 | |||||||||
・反応室からのガス排出に関するもの | ・・排出ガスの処理,再利用 | ・・・排出ガスからの有価物の回収 | ・・・排出ガスの循環再利用 | |||||||||
FA | FA00 原料ガスの励起,活性化に関するもの |
FA01 | FA02 | FA03 | FA04 | FA06 | FA07 | FA08 | FA10 | |||
・プラズマによる | ・・ECRブラズマによる | ・・容量結合型プラズマによる | ・・誘導結合型プラズマによる | ・光による | ・・レーザーによる | ・・紫外光,赤外光による | ・熱による | |||||
FA12 | FA14 | FA15 | FA17 | |||||||||
・高エネルギービームによる | ・励起,活性化手段を併用するもの | ・・プラズマと光を併用するもの | ・その他の手段による励起,活性化 | |||||||||
GA | GA00 基体の支持,搬送に関するもの |
GA01 | GA02 | GA03 | GA04 | GA05 | GA06 | GA07 | GA08 | GA09 | ||
・基体の支持 | ・・支持体,サセプタ,基台自体 | ・・基体の傾斜支持 | ・・基体の移動支持 | ・・・基体の回転支持 | ・・・・基体を水平面内で回転支持するもの | ・・・・基体を垂直面内で回転支持するもの | ・・・基体と支持体が相対的運動を行うもの | ・・・・基体が支持体に対し相対的回転を行うもの | ||||
GA11 | GA12 | GA13 | GA14 | |||||||||
・搬送 | ・・基体の搬送 | ・・・ボート自体 | ・・・連続状基体の搬送 | |||||||||
HA | HA00 被覆処理に関するもの |
HA01 | HA02 | HA03 | HA04 | HA06 | HA07 | HA08 | ||||
・多段工程からなるもの | ・・CVD以外の被覆工程を含むもの | ・・・CVDが前(上流)工程であるもの | ・・・CVDが後(下流)工程であるもの | ・電界,磁界を利用するもの | ・・電界のみを利用するもの | ・・磁界のみを利用するもの | ||||||
HA11 | HA12 | HA13 | HA14 | HA15 | HA16 | HA17 | ||||||
・検出,測定,制御を行うもの | ・・検出,測定,制御の対象 | ・・・皮膜,基体が対象となるもの | ・・・・皮膜のみ | ・・・原料ガスが対象となるもの | ・・・原料ガスの励起,活性化に関するもの | ・・検出,測定のみを行うもの | ||||||
JA | JA00 処理条件に関するもの |
JA01 | JA02 | JA03 | JA04 | JA05 | JA06 | JA07 | JA08 | JA09 | JA10 | |
・長さ,厚さ | ・位置 | ・距離,間隔 | ・方向,角度 | ・流量 | ・濃度,組成,比率 | ・分布 | ・勾配 | ・圧力,真空度 | ・温度 | |||
JA11 | JA12 | JA13 | JA14 | JA15 | JA16 | JA17 | JA18 | JA19 | JA20 | |||
・時間 | ・速度 | ・強度 | ・電界 | ・磁界 | ・電力 | ・電圧 | ・周波数 | ・位相 | ・その他の処理条件 | |||
KA | KA00 反応装置に関するもの |
KA01 | KA02 | KA03 | KA04 | KA05 | KA06 | KA08 | KA09 | KA10 | ||
・反応室型式 | ・・水平形反応室 | ・・・拡散炉形反応室 | ・・縦形反応室 | ・・円筒形,シリンダ形反応室 | ・・懸垂形,倒置形反応室 | ・反応室に関するもの | ・・反応管,炉心管自体 | ・・シール装置 | ||||
KA11 | KA12 | KA14 | KA15 | KA16 | KA17 | KA18 | KA19 | KA20 | ||||
・・開閉装置 | ・・拡散板,仕切板,しゃへい板 | ・電極 | ・・形状 | ・・・円筒状電極 | ・・吹出ノズル兼用電極 | ・・基体兼用電極 | ・・補助電極 | ・・・バイアス電極 | ||||
KA22 | KA23 | KA24 | KA25 | KA26 | KA28 | KA30 | ||||||
・加熱,冷却装置 | ・・基体,支持体の加熱 | ・・・基体のみの加熱 | ・・原料ガスの加熱 | ・・冷却 | ・真空装置 | ・プラズマ発生装置 | ||||||
KA32 | KA34 | KA36 | KA37 | KA39 | ||||||||
・電界発生装置 | ・磁界発生装置 | ・光学装置 | ・・窓,ミラー | ・検出,測定装置 | ||||||||
KA41 | KA43 | KA45 | KA46 | KA47 | KA49 | |||||||
・制御装置 | ・安全装置 | ・装置構成部材 | ・・その材質 | ・・・被覆層をもつもの | ・その他の反応装置 | |||||||
LA | LA00 膜特性,用途に関するもの |
LA01 | LA02 | LA03 | LA04 | LA05 | LA06 | LA07 | ||||
・膜特性に関するもの | ・・絶縁性膜 | ・・超電導性膜 | ・・光導電性膜 | ・・磁性膜 | ・・・軟質磁性膜 | ・・・硬質磁性膜 | ||||||
LA11 | LA12 | LA13 | LA14 | LA15 | LA16 | LA17 | LA18 | LA19 | LA20 | |||
・用途に関するもの | ・・化合物半導体 | ・・・2―6族化合物半導体 | ・・・3―5族化合物半導体 | ・・集積回路 | ・・光起電力素子 | ・・電子写真感光体 | ・・表示素子 | ・・記録媒体 | ・・・磁気記録媒体 | |||
LA21 | LA22 | LA23 | LA24 | LA25 | LA26 | |||||||
・・工具 | ・・・切削工具 | ・・摺動部材 | ・・装飾品,日用品 | ・・粒子,粉体,焼結体 | ・・電磁鋼板 |