Fタームリスト

4K030 CVD 無機化学      
C23C16/00 -16/56
C23C16/00-16/56 AA AA00
原料ガスが特定されたもの
AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA09 AA10
・主反応ガスが特定されたもの ・・ハロゲン化物系主反応ガス ・・・塩化物系 ・・・弗化物系 ・・水素化物系主反応ガス ・・・シラン系 ・・・ジボラン系 ・・・ホスフィン系 ・・炭化水素化合物系主反応ガス ・・・飽和炭化水素系
AA11 AA12 AA13 AA14 AA16 AA17 AA18 AA20
・・金属有機化合物系主反応ガス ・・金属カーボニル化合物系主反応ガス ・・NH3系主反応ガス ・・O2系,CO系,CO2系主反応ガス ・キャリヤーガスが特定されたもの ・・H2系キャリヤーガス ・・N2系キャリヤーガス ・ドーピングガスが特定されたもの
AA22 AA24
・増感剤を用いるもの ・その他の原料ガス
BA BA00
皮膜材質が特定されたもの
BA01 BA02 BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 BA08 BA09 BA10
・金属成分を含む皮膜 ・・Al ・・Be ・・Bi ・・Co ・・Cr ・・Fe ・・Ga ・・Ge ・・Hf
BA11 BA12 BA13 BA14 BA15 BA16 BA17 BA18 BA19 BA20
・・In ・・Mo ・・Nb(Cb) ・・Ni ・・Sb ・・Sn ・・Ta ・・Ti ・・V ・・W
BA21 BA22 BA24 BA25 BA26 BA27 BA28 BA29 BA30
・・Zn ・・Zr ・非金属成分を含む皮膜 ・・As ・・B ・・C ・・・ダイヤモンド状C ・・Si ・・・アモルファスSi
BA31 BA32 BA33 BA35 BA36 BA37 BA38 BA39 BA40
・・・水素化Si ・・Se ・・Te ・化合物成分を含む皮膜 ・・炭化物 ・・・SiC ・・窒化物 ・・・BN ・・・SiN
BA41 BA42 BA43 BA44 BA45 BA46 BA47 BA48 BA49 BA50
・・炭窒化物 ・・酸化物 ・・・Al―O系 ・・・Si―O系 ・・・Sn―O系 ・・・Ti―O系 ・・・Zn―O系 ・・ケイ化物 ・・ホウ化物 ・・硫化物
BA51 BA53 BA54 BA55 BA56 BA57 BA58 BA59
・・リン化物 ・周期率表により表現された成分を含む皮膜 ・・2族元素 ・・3族元素 ・・5族元素 ・・6族元素 ・・遷移元素 ・・希土類元素
BA61
・その他の成分を含む皮膜
BB BB00
皮膜構造が特定されたもの
BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB06
・結晶形態が特定されたもの ・・単結晶からなるもの ・・多結晶からなるもの ・・・微細結晶からなるもの ・・アモルファス,非晶質,非結晶 ・・混晶からなるもの
BB11 BB12 BB13 BB14
・被覆形態が特定されたもの ・・多層被覆からなるもの ・・・2層被覆からなるもの ・・部分的な被覆を有するもの
CA CA00
基体が特定されたもの
CA01 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CA07 CA08
・基体の材質が特定されたもの ・・金属,合金からなるもの ・・・超硬合金,サーメットからなるもの ・・半導体からなるもの ・・セラミックからなるもの ・・ガラスからなるもの ・・プラスチックからなるもの ・・繊維からなるもの
CA11 CA12 CA13 CA14 CA15 CA16 CA17 CA18
・基体の形状が特定されたもの ・・ウェハー,フィルム,箔 ・・線,フィラメント,ファイバー ・・管 ・・・管の内面 ・・・管の外面 ・・ストリップ,帯,板 ・・粒子,粉末
DA DA00
前処理及びまたは後処理を行うもの
DA01 DA02 DA03 DA04 DA05 DA06 DA08 DA09
・前処理を行うもの ・・基体の前処理を行うもの ・・・クリーニング ・・・エッチング ・・・マスキング ・・反応室の前処理を行うもの ・後処理を行うもの ・・熱処理
EA EA00
原料ガスの処理に関するもの
EA01 EA03 EA04 EA05 EA06 EA08
・ガス発生,供給に関するもの ・反応室へのガス導入に関するもの ・・吹出ノズル ・・・形状 ・・・配置 ・反応室内でのガス攪拌に関するもの
EA11 EA12 EA13 EA14
・反応室からのガス排出に関するもの ・・排出ガスの処理,再利用 ・・・排出ガスからの有価物の回収 ・・・排出ガスの循環再利用
FA FA00
原料ガスの励起,活性化に関するもの
FA01 FA02 FA03 FA04 FA06 FA07 FA08 FA10
・プラズマによる ・・ECRブラズマによる ・・容量結合型プラズマによる ・・誘導結合型プラズマによる ・光による ・・レーザーによる ・・紫外光,赤外光による ・熱による
FA12 FA14 FA15 FA17
・高エネルギービームによる ・励起,活性化手段を併用するもの ・・プラズマと光を併用するもの ・その他の手段による励起,活性化
GA GA00
基体の支持,搬送に関するもの
GA01 GA02 GA03 GA04 GA05 GA06 GA07 GA08 GA09
・基体の支持 ・・支持体,サセプタ,基台自体 ・・基体の傾斜支持 ・・基体の移動支持 ・・・基体の回転支持 ・・・・基体を水平面内で回転支持するもの ・・・・基体を垂直面内で回転支持するもの ・・・基体と支持体が相対的運動を行うもの ・・・・基体が支持体に対し相対的回転を行うもの
GA11 GA12 GA13 GA14
・搬送 ・・基体の搬送 ・・・ボート自体 ・・・連続状基体の搬送
HA HA00
被覆処理に関するもの
HA01 HA02 HA03 HA04 HA06 HA07 HA08
・多段工程からなるもの ・・CVD以外の被覆工程を含むもの ・・・CVDが前(上流)工程であるもの ・・・CVDが後(下流)工程であるもの ・電界,磁界を利用するもの ・・電界のみを利用するもの ・・磁界のみを利用するもの
HA11 HA12 HA13 HA14 HA15 HA16 HA17
・検出,測定,制御を行うもの ・・検出,測定,制御の対象 ・・・皮膜,基体が対象となるもの ・・・・皮膜のみ ・・・原料ガスが対象となるもの ・・・原料ガスの励起,活性化に関するもの ・・検出,測定のみを行うもの
JA JA00
処理条件に関するもの
JA01 JA02 JA03 JA04 JA05 JA06 JA07 JA08 JA09 JA10
・長さ,厚さ ・位置 ・距離,間隔 ・方向,角度 ・流量 ・濃度,組成,比率 ・分布 ・勾配 ・圧力,真空度 ・温度
JA11 JA12 JA13 JA14 JA15 JA16 JA17 JA18 JA19 JA20
・時間 ・速度 ・強度 ・電界 ・磁界 ・電力 ・電圧 ・周波数 ・位相 ・その他の処理条件
KA KA00
反応装置に関するもの
KA01 KA02 KA03 KA04 KA05 KA06 KA08 KA09 KA10
・反応室型式 ・・水平形反応室 ・・・拡散炉形反応室 ・・縦形反応室 ・・円筒形,シリンダ形反応室 ・・懸垂形,倒置形反応室 ・反応室に関するもの ・・反応管,炉心管自体 ・・シール装置
KA11 KA12 KA14 KA15 KA16 KA17 KA18 KA19 KA20
・・開閉装置 ・・拡散板,仕切板,しゃへい板 ・電極 ・・形状 ・・・円筒状電極 ・・吹出ノズル兼用電極 ・・基体兼用電極 ・・補助電極 ・・・バイアス電極
KA22 KA23 KA24 KA25 KA26 KA28 KA30
・加熱,冷却装置 ・・基体,支持体の加熱 ・・・基体のみの加熱 ・・原料ガスの加熱 ・・冷却 ・真空装置 ・プラズマ発生装置
KA32 KA34 KA36 KA37 KA39
・電界発生装置 ・磁界発生装置 ・光学装置 ・・窓,ミラー ・検出,測定装置
KA41 KA43 KA45 KA46 KA47 KA49
・制御装置 ・安全装置 ・装置構成部材 ・・その材質 ・・・被覆層をもつもの ・その他の反応装置
LA LA00
膜特性,用途に関するもの
LA01 LA02 LA03 LA04 LA05 LA06 LA07
・膜特性に関するもの ・・絶縁性膜 ・・超電導性膜 ・・光導電性膜 ・・磁性膜 ・・・軟質磁性膜 ・・・硬質磁性膜
LA11 LA12 LA13 LA14 LA15 LA16 LA17 LA18 LA19 LA20
・用途に関するもの ・・化合物半導体 ・・・2―6族化合物半導体 ・・・3―5族化合物半導体 ・・集積回路 ・・光起電力素子 ・・電子写真感光体 ・・表示素子 ・・記録媒体 ・・・磁気記録媒体
LA21 LA22 LA23 LA24 LA25 LA26
・・工具 ・・・切削工具 ・・摺動部材 ・・装飾品,日用品 ・・粒子,粉体,焼結体 ・・電磁鋼板
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