このページは、メイングループC23C14/00内の「FI」を全て表示しています。 HB:ハンドブック CC:コンコーダンス FIセクション/広域ファセット選択に戻る 一階層上へ C23C14/00 被覆形成材料の真空蒸着，スパッタリングまたはイオン注入法による被覆［４］ HB CC 4K029 C23C14/00@A 箔、粉末の製造 HB CC 4K029 C23C14/00@B 装置の清浄、汚染防止〔清浄，汚染防止法を含む〕 HB CC 4K029 C23C14/00@C 真空処理 HB CC 4K029 C23C14/00@D 磁性材料 HB CC 4K029 C23C14/00@Z その他のＰＶＤ HB CC 4K029 C23C14/02 ・被覆される材料の前処理（Ｃ２３Ｃ１４／０４が優先）［４］ HB CC 4K029 C23C14/02@A 有機質基板の前処理 HB CC 4K029 C23C14/02@B 磁性材料、半導体の前処理 HB CC 4K029 C23C14/02@Z その他の前処理 HB CC 4K029 C23C14/04 ・選択された表面部分の被覆，例．マスクを用いるもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/04@A マスク HB CC 4K029 C23C14/04@B レジスト HB CC 4K029 C23C14/04@C 転写 HB CC 4K029 C23C14/04@Z その他の選択被覆 HB CC 4K029 C23C14/06 ・被覆材料に特徴のあるもの（Ｃ２３Ｃ１４／０４が優先）［４］ HB CC 4K029 C23C14/06@A 窒化物〔ＢＮ，炭窒化物等を除く〕 HB CC 4K029 C23C14/06@B 炭化物〔Ｃを除く〕 HB CC 4K029 C23C14/06@C 硼化物〔ＢＮを除く〕 HB CC 4K029 C23C14/06@D 硫化物 HB CC 4K029 C23C14/06@E けい化物 HB CC 4K029 C23C14/06@F 炭化膜〔グラフアイトダイヤモンド〕 HB CC 4K029 C23C14/06@G その他の化合物被膜〔Ｆ化物，Ａｓ化物〕 HB CC 4K029 C23C14/06@H 炭窒化物〔炭化物，窒化物との並列も含む〕 HB CC 4K029 C23C14/06@J ＢＮ HB CC 4K029 C23C14/06@K 複合化合物被覆〔炭窒化物，多元金属化合物を除く〕 HB CC 4K029 C23C14/06@L 混合物膜〔多元金属化合物も含む〕 HB CC 4K029 C23C14/06@M 積層被覆一般〔拡散層は層に数えない，改質層は数える〕 HB CC 4K029 C23C14/06@N ・金属層を含む積層被覆 HB CC 4K029 C23C14/06@P ・金属層を含まない積層被覆 HB CC 4K029 C23C14/06@Q ・有機質層を含む積層被覆〔Ｎ，Ｐに優先〕 HB CC 4K029 C23C14/06@R 反射膜 HB CC 4K029 C23C14/06@S 超電導膜 HB CC 4K029 C23C14/06@T 磁性膜 HB CC 4K029 C23C14/06@Z その他の被覆材料 HB CC 4K029 C23C14/08 ・・酸化物（Ｃ２３Ｃ１４／１０が優先）［４］ HB CC 4K029 C23C14/08@A アルミ酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@B 鉄酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@C 亜鉛酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@D 錫酸化物またはインジウム酸化物（ＩＴＯ膜も含む） HB CC 4K029 C23C14/08@E チタン酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@F Ｚｒ、Ｈｆの酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@G 耐火性金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆを除く、例Ｖ、Ｎｂ）の酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@H 貴金属の酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@J その他の単金属酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@K 複合酸化物（ＩＴＯ膜を除く多元金属酸化物） HB CC 4K029 C23C14/08@L 酸化物超電導体 HB CC 4K029 C23C14/08@M 酸化物磁性膜 HB CC 4K029 C23C14/08@N 酸化物を含む積層 HB CC 4K029 C23C14/08@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/10 ・・ガラスまたはシリカ［４］ HB CC 4K029 C23C14/12 ・・有機質材料［４］ HB CC 4K029 C23C14/14 ・・金属質材料，ほう素またはけい素［４］ HB CC 4K029 C23C14/14@A けい素 HB CC 4K029 C23C14/14@B Ａｌ〔Ａｌ５０％以上の合金を含む〕 HB CC 4K029 C23C14/14@C Ｚｎ〔Ｚｎ合金を含む，例Ｚｎ－Ｍｇ合金〕 HB CC 4K029 C23C14/14@D 金属質材料〔その他金属を特定したもの，Ｂを含む〕 HB CC 4K029 C23C14/14@E 非晶質金属質材料 HB CC 4K029 C23C14/14@F 磁性金属薄膜〔磁気記録媒体等〕 HB CC 4K029 C23C14/14@G 金属層のみからなる積層被膜 HB CC 4K029 C23C14/14@Z その他の金属質薄膜 HB CC 4K029 C23C14/16 ・・・金属質基板上またはほう素もしくはけい素の基板上に被覆するもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/16@A 鋼板 HB CC 4K029 C23C14/16@B 超硬合金 HB CC 4K029 C23C14/16@C 装飾品 HB CC 4K029 C23C14/16@D 磁石 HB CC 4K029 C23C14/16@Z その他、金属質〔硼素，けい素を含む〕基板に特徴があるもの HB CC 4K029 C23C14/18 ・・・その他の無機質基板上に被覆するもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/20 ・・・有機質基板上に被覆するもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/20@A 樹脂基板上への被覆 HB CC 4K029 C23C14/20@B 塗膜上への被覆 HB CC 4K029 C23C14/20@C 二層塗膜上への被覆 HB CC 4K029 C23C14/20@D 金属層の接着，転写 HB CC 4K029 C23C14/20@Z その他、有機質〔紙、繊維、等〕基板に特徴があるもの HB CC 4K029 C23C14/22 ・被覆の方法に特徴のあるもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/22@A 真空蒸着とイオン注入の併用〔ビ－ムの同時照射１４／４８を除く〕 HB CC 4K029 C23C14/22@B スパツタリングとイオン注入の併用〔ビ－ムの同時照射１４／４８を除く〕 HB CC 4K029 C23C14/22@C 真空蒸着とスパツタリングの併用 HB CC 4K029 C23C14/22@D マイクロ波を用いた被覆方法一般 HB CC 4K029 C23C14/22@E 磁性膜の被覆方法一般 HB CC 4K029 C23C14/22@F 補助的なエネルギ－照射〔光照射を含む〕 HB CC 4K029 C23C14/22@Z その他被覆方法に特徴 HB CC 4K029 C23C14/24 ・・真空蒸着［４］ HB CC 4K029 C23C14/24@A 蒸発源容器本体〔材質、形状、構造、内面被覆〕 HB CC 4K029 C23C14/24@B 蒸発源容器の加熱，冷却 HB CC 4K029 C23C14/24@C 蒸発源容器の数，位置移動 HB CC 4K029 C23C14/24@D 蒸発源材料の供給、補給 HB CC 4K029 C23C14/24@E 蒸発源材料自体 HB CC 4K029 C23C14/24@F 電弧放電による蒸発，ア－ク放電蒸着 HB CC 4K029 C23C14/24@G 真空蒸着〔シヤツタ－，マスク〕 HB CC 4K029 C23C14/24@H 真空蒸着膜形成用基板本体 HB CC 4K029 C23C14/24@J 真空蒸着膜形成用基板の保持移動 HB CC 4K029 C23C14/24@K 真空蒸着膜形成用基板の加熱冷却 HB CC 4K029 C23C14/24@L 真空蒸着における加熱冷却〔基板の加熱，冷却を除く〕 HB CC 4K029 C23C14/24@M 真空蒸着における給排気，ガス組成 HB CC 4K029 C23C14/24@N 真空蒸着〔被膜を指定したもの〕 HB CC 4K029 C23C14/24@P 真空蒸着〔磁性，磁石〕 HB CC 4K029 C23C14/24@Q 真空蒸着〔超電導被膜〕 HB CC 4K029 C23C14/24@R 真空蒸着方法〔数値限定のあるもの〕 HB CC 4K029 C23C14/24@S 真空蒸着方法〔数値限定のないもの〕 HB CC 4K029 C23C14/24@T 上記に分類されない真空蒸着装置 HB CC 4K029 C23C14/24@U 真空蒸着の制御、検出 HB CC 4K029 C23C14/24@V 真空蒸着の連続処理 HB CC 4K029 C23C14/24@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/26 ・・・ソースの抵抗加熱または誘導加熱によるもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/26@A 抵抗加熱 HB CC 4K029 C23C14/26@B 誘導加熱 HB CC 4K029 C23C14/26@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/28 ・・・波動エネルギーまたは粒子放射によるもの（Ｃ２３Ｃ１４／３２～Ｃ２３Ｃ１４／４８が優先）［４］ HB CC 4K029 C23C14/30 ・・・・電子衝撃によるもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/30@A 蒸発源〔構造、移動、冷却、補給、検知、制御〕 HB CC 4K029 C23C14/30@B 電子線源〔電子銃の構造、電子ビ－ムの偏向〕 HB CC 4K029 C23C14/30@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/32 ・・・爆発によるもの；蒸発およびその後の蒸気のイオン化によるもの（Ｃ２３Ｃ１４／３４～Ｃ２３Ｃ１４／４８が優先）［４］ HB CC 4K029 C23C14/32@A 蒸発源 HB CC 4K029 C23C14/32@B イオン化部 HB CC 4K029 C23C14/32@C 加速部 HB CC 4K029 C23C14/32@D 基板部 HB CC 4K029 C23C14/32@E ガス供給排気部 HB CC 4K029 C23C14/32@F イオンビ－ム蒸着 HB CC 4K029 C23C14/32@G ・クラスタ－イオンビ－ム蒸着 HB CC 4K029 C23C14/32@H ＨＣＤ HB CC 4K029 C23C14/32@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/34 ・・スパッタリング［４］ HB CC 4K029 C23C14/34@A タ－ゲツトの材質〔複合タ－ゲツトを含む〕 HB CC 4K029 C23C14/34@B タ－ゲツトの形状 HB CC 4K029 C23C14/34@C タ－ゲツトの設置〔周辺装置，複数タ－ゲツトを含む〕 HB CC 4K029 C23C14/34@D 対向タ－ゲツト式スパツタリング HB CC 4K029 C23C14/34@E 同軸型スパツタリング HB CC 4K029 C23C14/34@F スパツタガン HB CC 4K029 C23C14/34@G シヤツタ－ HB CC 4K029 C23C14/34@H スパツタリング膜形成用基板本体 HB CC 4K029 C23C14/34@J スパツタリング膜形成用基板の保持移動 HB CC 4K029 C23C14/34@K スパツタリング膜形成用基板の加熱冷却 HB CC 4K029 C23C14/34@L スパツタリングにおける加熱冷却〔基板の加熱冷却を除く〕 HB CC 4K029 C23C14/34@M スパツタリングにおける給排気、ガス組成 HB CC 4K029 C23C14/34@N スパツタリング〔被膜を指定したもの〕 HB CC 4K029 C23C14/34@P スパツタリング〔磁性、磁石〕 HB CC 4K029 C23C14/34@Q スパツタリング〔超電導被膜〕 HB CC 4K029 C23C14/34@R スパツタリング方法〔数値限定のあるもの〕 HB CC 4K029 C23C14/34@S スパツタリング方法〔数値限定のないもの〕 HB CC 4K029 C23C14/34@T 上記に分類されないスパツタリング装置 HB CC 4K029 C23C14/34@U スパツタリングの制御、検出 HB CC 4K029 C23C14/34@V スパツタリングの連続処理 HB CC 4K029 C23C14/34@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/35 ・・・磁界の適用によるもの，例．マグネトロンスパッタリング［５］ HB CC 4K029 C23C14/35@A エロ－ジヨン領域の拡大 HB CC 4K029 C23C14/35@B ・磁石の移動 HB CC 4K029 C23C14/35@C ・磁界の制御 HB CC 4K029 C23C14/35@D ・・磁性体タ－ゲツトに対する漏洩磁界の形成 HB CC 4K029 C23C14/35@E 平行磁界の形成 HB CC 4K029 C23C14/35@F マイクロ波の利用 HB CC 4K029 C23C14/35@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/36 ・・・ダイオードスパッタリング（Ｃ２３Ｃ１４／３５が優先）［４，５］ HB CC 4K029 C23C14/38 ・・・・直流グロー放電によるもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/40 ・・・・交流放電を伴うもの，例．高周波放電［４］ HB CC 4K029 C23C14/42 ・・・トリオードスパッタリング（Ｃ２３Ｃ１４／３５が優先）［４，５］ HB CC 4K029 C23C14/44 ・・・・高周波および追加的な直流電圧の適用によるもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/46 ・・・外部のイオン源により作られたイオンビームによるもの（Ｃ２３Ｃ１４／４０が優先）［４］ HB CC 4K029 C23C14/46@A 反応性 HB CC 4K029 C23C14/46@B ビ－ム源及びビ－ムの処理 HB CC 4K029 C23C14/46@C タ－ゲツト部 HB CC 4K029 C23C14/46@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/48 ・・イオン注入法［４］ HB CC 4K029 C23C14/48@A 注入条件の限定〔注入量，加速電圧，入射角等〕 HB CC 4K029 C23C14/48@B 注入条件の検出または制御 HB CC 4K029 C23C14/48@C 蓄積電荷の除去 HB CC 4K029 C23C14/48@D イオンビ－ムミキシング〔ビ－ムアシストを含む〕 HB CC 4K029 C23C14/48@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/50 ・・基板保持具［４］ HB CC 4K029 C23C14/50@A 固着手段〔吸着〕 HB CC 4K029 C23C14/50@B 固着手段〔弾性〕 HB CC 4K029 C23C14/50@C 固着手段〔中間層〕 HB CC 4K029 C23C14/50@D 固着手段一般 HB CC 4K029 C23C14/50@E 基板の加熱，冷却 HB CC 4K029 C23C14/50@F 基板の保持〔マスク・シヤツタ－〕 HB CC 4K029 C23C14/50@G 公転 HB CC 4K029 C23C14/50@H ・自公転 HB CC 4K029 C23C14/50@J 自転のみ HB CC 4K029 C23C14/50@K 被蒸着物の移動〔脱着・搬出入・振動・直線移動〕 HB CC 4K029 C23C14/50@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/52 ・・被覆工程の観察のための手段［４］ HB CC 4K029 C23C14/54 ・・被覆工程の制御または調整［４］ HB CC 4K029 C23C14/54@A 膜材料供給部の制御 HB CC 4K029 C23C14/54@B 真空槽内雰囲気〔給排気・プラズマ等〕の制御 HB CC 4K029 C23C14/54@C 膜形成部の制御 HB CC 4K029 C23C14/54@D ・基板及び被膜の温度制御 HB CC 4K029 C23C14/54@E 被膜の光学的検知 HB CC 4K029 C23C14/54@F フイ－ドバツク制御 HB CC 4K029 C23C14/54@G マスク、シヤツタ－の制御 HB CC 4K029 C23C14/54@Z その他の制御 HB CC 4K029 C23C14/56 ・・連続被覆のために特に適合した装置；真空を維持するための装置，例．真空ロック［４］ HB CC 4K029 C23C14/56@A 長尺物基体の連続処理 HB CC 4K029 C23C14/56@B ・移動に関するもの HB CC 4K029 C23C14/56@C ・シ－ルに関するもの HB CC 4K029 C23C14/56@D ・加熱冷却 HB CC 4K029 C23C14/56@E ・スパツタリングに関するもの HB CC 4K029 C23C14/56@F 長尺物を除く基体の連続処理 HB CC 4K029 C23C14/56@G ・移動及び搬出入に関するもの HB CC 4K029 C23C14/56@H ・スパツタリングに関するもの HB CC 4K029 C23C14/56@J マスク、シヤツタ－ HB CC 4K029 C23C14/56@K 磁性膜 HB CC 4K029 C23C14/56@L コンデンサ－用電極箔 HB CC 4K029 C23C14/56@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/58 ・後処理［４］ HB CC 4K029 C23C14/58@A 熱処理〔Ｃ優先〕 HB CC 4K029 C23C14/58@B ＰＶＤ膜上に新たな膜形成を伴うもの HB CC 4K029 C23C14/58@C エネルギ－ビ－ム照射 HB CC 4K029 C23C14/58@D 磁性膜の後処理 HB CC 4K029 C23C14/58@Z その他の後処理 HB CC 4K029 TOP
C23C14/00 被覆形成材料の真空蒸着，スパッタリングまたはイオン注入法による被覆［４］ HB CC 4K029 C23C14/00@A 箔、粉末の製造 HB CC 4K029 C23C14/00@B 装置の清浄、汚染防止〔清浄，汚染防止法を含む〕 HB CC 4K029 C23C14/00@C 真空処理 HB CC 4K029 C23C14/00@D 磁性材料 HB CC 4K029 C23C14/00@Z その他のＰＶＤ HB CC 4K029 C23C14/02 ・被覆される材料の前処理（Ｃ２３Ｃ１４／０４が優先）［４］ HB CC 4K029 C23C14/02@A 有機質基板の前処理 HB CC 4K029 C23C14/02@B 磁性材料、半導体の前処理 HB CC 4K029 C23C14/02@Z その他の前処理 HB CC 4K029 C23C14/04 ・選択された表面部分の被覆，例．マスクを用いるもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/04@A マスク HB CC 4K029 C23C14/04@B レジスト HB CC 4K029 C23C14/04@C 転写 HB CC 4K029 C23C14/04@Z その他の選択被覆 HB CC 4K029 C23C14/06 ・被覆材料に特徴のあるもの（Ｃ２３Ｃ１４／０４が優先）［４］ HB CC 4K029 C23C14/06@A 窒化物〔ＢＮ，炭窒化物等を除く〕 HB CC 4K029 C23C14/06@B 炭化物〔Ｃを除く〕 HB CC 4K029 C23C14/06@C 硼化物〔ＢＮを除く〕 HB CC 4K029 C23C14/06@D 硫化物 HB CC 4K029 C23C14/06@E けい化物 HB CC 4K029 C23C14/06@F 炭化膜〔グラフアイトダイヤモンド〕 HB CC 4K029 C23C14/06@G その他の化合物被膜〔Ｆ化物，Ａｓ化物〕 HB CC 4K029 C23C14/06@H 炭窒化物〔炭化物，窒化物との並列も含む〕 HB CC 4K029 C23C14/06@J ＢＮ HB CC 4K029 C23C14/06@K 複合化合物被覆〔炭窒化物，多元金属化合物を除く〕 HB CC 4K029 C23C14/06@L 混合物膜〔多元金属化合物も含む〕 HB CC 4K029 C23C14/06@M 積層被覆一般〔拡散層は層に数えない，改質層は数える〕 HB CC 4K029 C23C14/06@N ・金属層を含む積層被覆 HB CC 4K029 C23C14/06@P ・金属層を含まない積層被覆 HB CC 4K029 C23C14/06@Q ・有機質層を含む積層被覆〔Ｎ，Ｐに優先〕 HB CC 4K029 C23C14/06@R 反射膜 HB CC 4K029 C23C14/06@S 超電導膜 HB CC 4K029 C23C14/06@T 磁性膜 HB CC 4K029 C23C14/06@Z その他の被覆材料 HB CC 4K029 C23C14/08 ・・酸化物（Ｃ２３Ｃ１４／１０が優先）［４］ HB CC 4K029 C23C14/08@A アルミ酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@B 鉄酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@C 亜鉛酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@D 錫酸化物またはインジウム酸化物（ＩＴＯ膜も含む） HB CC 4K029 C23C14/08@E チタン酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@F Ｚｒ、Ｈｆの酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@G 耐火性金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆを除く、例Ｖ、Ｎｂ）の酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@H 貴金属の酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@J その他の単金属酸化物 HB CC 4K029 C23C14/08@K 複合酸化物（ＩＴＯ膜を除く多元金属酸化物） HB CC 4K029 C23C14/08@L 酸化物超電導体 HB CC 4K029 C23C14/08@M 酸化物磁性膜 HB CC 4K029 C23C14/08@N 酸化物を含む積層 HB CC 4K029 C23C14/08@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/10 ・・ガラスまたはシリカ［４］ HB CC 4K029 C23C14/12 ・・有機質材料［４］ HB CC 4K029 C23C14/14 ・・金属質材料，ほう素またはけい素［４］ HB CC 4K029 C23C14/14@A けい素 HB CC 4K029 C23C14/14@B Ａｌ〔Ａｌ５０％以上の合金を含む〕 HB CC 4K029 C23C14/14@C Ｚｎ〔Ｚｎ合金を含む，例Ｚｎ－Ｍｇ合金〕 HB CC 4K029 C23C14/14@D 金属質材料〔その他金属を特定したもの，Ｂを含む〕 HB CC 4K029 C23C14/14@E 非晶質金属質材料 HB CC 4K029 C23C14/14@F 磁性金属薄膜〔磁気記録媒体等〕 HB CC 4K029 C23C14/14@G 金属層のみからなる積層被膜 HB CC 4K029 C23C14/14@Z その他の金属質薄膜 HB CC 4K029 C23C14/16 ・・・金属質基板上またはほう素もしくはけい素の基板上に被覆するもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/16@A 鋼板 HB CC 4K029 C23C14/16@B 超硬合金 HB CC 4K029 C23C14/16@C 装飾品 HB CC 4K029 C23C14/16@D 磁石 HB CC 4K029 C23C14/16@Z その他、金属質〔硼素，けい素を含む〕基板に特徴があるもの HB CC 4K029 C23C14/18 ・・・その他の無機質基板上に被覆するもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/20 ・・・有機質基板上に被覆するもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/20@A 樹脂基板上への被覆 HB CC 4K029 C23C14/20@B 塗膜上への被覆 HB CC 4K029 C23C14/20@C 二層塗膜上への被覆 HB CC 4K029 C23C14/20@D 金属層の接着，転写 HB CC 4K029 C23C14/20@Z その他、有機質〔紙、繊維、等〕基板に特徴があるもの HB CC 4K029 C23C14/22 ・被覆の方法に特徴のあるもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/22@A 真空蒸着とイオン注入の併用〔ビ－ムの同時照射１４／４８を除く〕 HB CC 4K029 C23C14/22@B スパツタリングとイオン注入の併用〔ビ－ムの同時照射１４／４８を除く〕 HB CC 4K029 C23C14/22@C 真空蒸着とスパツタリングの併用 HB CC 4K029 C23C14/22@D マイクロ波を用いた被覆方法一般 HB CC 4K029 C23C14/22@E 磁性膜の被覆方法一般 HB CC 4K029 C23C14/22@F 補助的なエネルギ－照射〔光照射を含む〕 HB CC 4K029 C23C14/22@Z その他被覆方法に特徴 HB CC 4K029 C23C14/24 ・・真空蒸着［４］ HB CC 4K029 C23C14/24@A 蒸発源容器本体〔材質、形状、構造、内面被覆〕 HB CC 4K029 C23C14/24@B 蒸発源容器の加熱，冷却 HB CC 4K029 C23C14/24@C 蒸発源容器の数，位置移動 HB CC 4K029 C23C14/24@D 蒸発源材料の供給、補給 HB CC 4K029 C23C14/24@E 蒸発源材料自体 HB CC 4K029 C23C14/24@F 電弧放電による蒸発，ア－ク放電蒸着 HB CC 4K029 C23C14/24@G 真空蒸着〔シヤツタ－，マスク〕 HB CC 4K029 C23C14/24@H 真空蒸着膜形成用基板本体 HB CC 4K029 C23C14/24@J 真空蒸着膜形成用基板の保持移動 HB CC 4K029 C23C14/24@K 真空蒸着膜形成用基板の加熱冷却 HB CC 4K029 C23C14/24@L 真空蒸着における加熱冷却〔基板の加熱，冷却を除く〕 HB CC 4K029 C23C14/24@M 真空蒸着における給排気，ガス組成 HB CC 4K029 C23C14/24@N 真空蒸着〔被膜を指定したもの〕 HB CC 4K029 C23C14/24@P 真空蒸着〔磁性，磁石〕 HB CC 4K029 C23C14/24@Q 真空蒸着〔超電導被膜〕 HB CC 4K029 C23C14/24@R 真空蒸着方法〔数値限定のあるもの〕 HB CC 4K029 C23C14/24@S 真空蒸着方法〔数値限定のないもの〕 HB CC 4K029 C23C14/24@T 上記に分類されない真空蒸着装置 HB CC 4K029 C23C14/24@U 真空蒸着の制御、検出 HB CC 4K029 C23C14/24@V 真空蒸着の連続処理 HB CC 4K029 C23C14/24@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/26 ・・・ソースの抵抗加熱または誘導加熱によるもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/26@A 抵抗加熱 HB CC 4K029 C23C14/26@B 誘導加熱 HB CC 4K029 C23C14/26@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/28 ・・・波動エネルギーまたは粒子放射によるもの（Ｃ２３Ｃ１４／３２～Ｃ２３Ｃ１４／４８が優先）［４］ HB CC 4K029 C23C14/30 ・・・・電子衝撃によるもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/30@A 蒸発源〔構造、移動、冷却、補給、検知、制御〕 HB CC 4K029 C23C14/30@B 電子線源〔電子銃の構造、電子ビ－ムの偏向〕 HB CC 4K029 C23C14/30@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/32 ・・・爆発によるもの；蒸発およびその後の蒸気のイオン化によるもの（Ｃ２３Ｃ１４／３４～Ｃ２３Ｃ１４／４８が優先）［４］ HB CC 4K029 C23C14/32@A 蒸発源 HB CC 4K029 C23C14/32@B イオン化部 HB CC 4K029 C23C14/32@C 加速部 HB CC 4K029 C23C14/32@D 基板部 HB CC 4K029 C23C14/32@E ガス供給排気部 HB CC 4K029 C23C14/32@F イオンビ－ム蒸着 HB CC 4K029 C23C14/32@G ・クラスタ－イオンビ－ム蒸着 HB CC 4K029 C23C14/32@H ＨＣＤ HB CC 4K029 C23C14/32@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/34 ・・スパッタリング［４］ HB CC 4K029 C23C14/34@A タ－ゲツトの材質〔複合タ－ゲツトを含む〕 HB CC 4K029 C23C14/34@B タ－ゲツトの形状 HB CC 4K029 C23C14/34@C タ－ゲツトの設置〔周辺装置，複数タ－ゲツトを含む〕 HB CC 4K029 C23C14/34@D 対向タ－ゲツト式スパツタリング HB CC 4K029 C23C14/34@E 同軸型スパツタリング HB CC 4K029 C23C14/34@F スパツタガン HB CC 4K029 C23C14/34@G シヤツタ－ HB CC 4K029 C23C14/34@H スパツタリング膜形成用基板本体 HB CC 4K029 C23C14/34@J スパツタリング膜形成用基板の保持移動 HB CC 4K029 C23C14/34@K スパツタリング膜形成用基板の加熱冷却 HB CC 4K029 C23C14/34@L スパツタリングにおける加熱冷却〔基板の加熱冷却を除く〕 HB CC 4K029 C23C14/34@M スパツタリングにおける給排気、ガス組成 HB CC 4K029 C23C14/34@N スパツタリング〔被膜を指定したもの〕 HB CC 4K029 C23C14/34@P スパツタリング〔磁性、磁石〕 HB CC 4K029 C23C14/34@Q スパツタリング〔超電導被膜〕 HB CC 4K029 C23C14/34@R スパツタリング方法〔数値限定のあるもの〕 HB CC 4K029 C23C14/34@S スパツタリング方法〔数値限定のないもの〕 HB CC 4K029 C23C14/34@T 上記に分類されないスパツタリング装置 HB CC 4K029 C23C14/34@U スパツタリングの制御、検出 HB CC 4K029 C23C14/34@V スパツタリングの連続処理 HB CC 4K029 C23C14/34@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/35 ・・・磁界の適用によるもの，例．マグネトロンスパッタリング［５］ HB CC 4K029 C23C14/35@A エロ－ジヨン領域の拡大 HB CC 4K029 C23C14/35@B ・磁石の移動 HB CC 4K029 C23C14/35@C ・磁界の制御 HB CC 4K029 C23C14/35@D ・・磁性体タ－ゲツトに対する漏洩磁界の形成 HB CC 4K029 C23C14/35@E 平行磁界の形成 HB CC 4K029 C23C14/35@F マイクロ波の利用 HB CC 4K029 C23C14/35@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/36 ・・・ダイオードスパッタリング（Ｃ２３Ｃ１４／３５が優先）［４，５］ HB CC 4K029 C23C14/38 ・・・・直流グロー放電によるもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/40 ・・・・交流放電を伴うもの，例．高周波放電［４］ HB CC 4K029 C23C14/42 ・・・トリオードスパッタリング（Ｃ２３Ｃ１４／３５が優先）［４，５］ HB CC 4K029 C23C14/44 ・・・・高周波および追加的な直流電圧の適用によるもの［４］ HB CC 4K029 C23C14/46 ・・・外部のイオン源により作られたイオンビームによるもの（Ｃ２３Ｃ１４／４０が優先）［４］ HB CC 4K029 C23C14/46@A 反応性 HB CC 4K029 C23C14/46@B ビ－ム源及びビ－ムの処理 HB CC 4K029 C23C14/46@C タ－ゲツト部 HB CC 4K029 C23C14/46@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/48 ・・イオン注入法［４］ HB CC 4K029 C23C14/48@A 注入条件の限定〔注入量，加速電圧，入射角等〕 HB CC 4K029 C23C14/48@B 注入条件の検出または制御 HB CC 4K029 C23C14/48@C 蓄積電荷の除去 HB CC 4K029 C23C14/48@D イオンビ－ムミキシング〔ビ－ムアシストを含む〕 HB CC 4K029 C23C14/48@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/50 ・・基板保持具［４］ HB CC 4K029 C23C14/50@A 固着手段〔吸着〕 HB CC 4K029 C23C14/50@B 固着手段〔弾性〕 HB CC 4K029 C23C14/50@C 固着手段〔中間層〕 HB CC 4K029 C23C14/50@D 固着手段一般 HB CC 4K029 C23C14/50@E 基板の加熱，冷却 HB CC 4K029 C23C14/50@F 基板の保持〔マスク・シヤツタ－〕 HB CC 4K029 C23C14/50@G 公転 HB CC 4K029 C23C14/50@H ・自公転 HB CC 4K029 C23C14/50@J 自転のみ HB CC 4K029 C23C14/50@K 被蒸着物の移動〔脱着・搬出入・振動・直線移動〕 HB CC 4K029 C23C14/50@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/52 ・・被覆工程の観察のための手段［４］ HB CC 4K029 C23C14/54 ・・被覆工程の制御または調整［４］ HB CC 4K029 C23C14/54@A 膜材料供給部の制御 HB CC 4K029 C23C14/54@B 真空槽内雰囲気〔給排気・プラズマ等〕の制御 HB CC 4K029 C23C14/54@C 膜形成部の制御 HB CC 4K029 C23C14/54@D ・基板及び被膜の温度制御 HB CC 4K029 C23C14/54@E 被膜の光学的検知 HB CC 4K029 C23C14/54@F フイ－ドバツク制御 HB CC 4K029 C23C14/54@G マスク、シヤツタ－の制御 HB CC 4K029 C23C14/54@Z その他の制御 HB CC 4K029 C23C14/56 ・・連続被覆のために特に適合した装置；真空を維持するための装置，例．真空ロック［４］ HB CC 4K029 C23C14/56@A 長尺物基体の連続処理 HB CC 4K029 C23C14/56@B ・移動に関するもの HB CC 4K029 C23C14/56@C ・シ－ルに関するもの HB CC 4K029 C23C14/56@D ・加熱冷却 HB CC 4K029 C23C14/56@E ・スパツタリングに関するもの HB CC 4K029 C23C14/56@F 長尺物を除く基体の連続処理 HB CC 4K029 C23C14/56@G ・移動及び搬出入に関するもの HB CC 4K029 C23C14/56@H ・スパツタリングに関するもの HB CC 4K029 C23C14/56@J マスク、シヤツタ－ HB CC 4K029 C23C14/56@K 磁性膜 HB CC 4K029 C23C14/56@L コンデンサ－用電極箔 HB CC 4K029 C23C14/56@Z その他 HB CC 4K029 C23C14/58 ・後処理［４］ HB CC 4K029 C23C14/58@A 熱処理〔Ｃ優先〕 HB CC 4K029 C23C14/58@B ＰＶＤ膜上に新たな膜形成を伴うもの HB CC 4K029 C23C14/58@C エネルギ－ビ－ム照射 HB CC 4K029 C23C14/58@D 磁性膜の後処理 HB CC 4K029 C23C14/58@Z その他の後処理 HB CC 4K029