IPCメイングループ選択

熱電装置または熱磁気装置［２０２３．０１］
H10N10/00	異種材料の接合からなる熱電装置，すなわちゼーベック効果またはペルチェ効果を示す装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ１９／００）［２０２３．０１］	(注)/(索引)	定義	CC
H10N15/00	異種材料の接合を有しない熱電装置；熱磁気装置，例．ネルンスト－エッチングスハウゼン効果を利用するもの（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ１９／００）［２０２３．０１］		定義	CC
H10N19/00	グループＨ１０Ｎ１０／００～Ｈ１０Ｎ１５／００に包含される，少なくとも１つの熱電素子または熱磁気素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］		定義	CC
圧電装置，電歪装置または磁歪装置［２０２３．０１］
H10N30/00	圧電装置または電歪装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ３９／００）［２０２３．０１］		定義	CC
H10N35/00	磁歪装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ３９／００）［２０２３．０１］		定義	CC
H10N39/00	グループＨ１０Ｎ３０／００～Ｈ１０Ｎ３５／００に包含される，少なくとも１つの圧電素子，電歪素子または磁歪素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］		定義	CC
電流磁気装置または類似の磁気効果装置［２０２３．０１］
H10N50/00	電流磁気装置（ホール効果装置Ｈ１０Ｎ５２／００；集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ５９／００）［２０２３．０１］		定義	CC
H10N52/00	ホール効果装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ５９／００）［２０２３．０１］		定義	CC
H10N59/00	グループＨ１０Ｎ５０／００～Ｈ１０Ｎ５２／００に包含される，少なくとも１つの電流磁気素子またはホール効果素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ［ＭＲＡＭ］装置Ｈ１０Ｂ６１／００）［２０２３．０１］		定義	CC
超電導装置［２０２３．０１］
H10N60/00	超電導装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ６９／００）［２０２３．０１］		定義	CC
H10N69/00	グループＨ１０Ｎ６０／００に包含される，少なくとも１つの超電導素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］		定義	CC
他の電気的固体装置［２０２３．０１］
H10N70/00	電位障壁を有しない，整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適した固体装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ７９／００）［２０２３．０１］		定義	CC
H10N79/00	グループＨ１０Ｎ７０／００に包含される，少なくとも１つの固体素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体（ＲｅＲＡＭ装置Ｈ１０Ｂ６３／００；ＰＣＲＡＭ装置Ｈ１０Ｂ６３／１０）［２０２３．０１］		定義	CC
H10N80/00	バルク負性抵抗効果装置（集積装置または複数の装置の組立体Ｈ１０Ｎ８９／００）［２０２３．０１］		定義	CC
H10N89/00	グループＨ１０Ｎ８０／００に包含される，少なくとも１つのバルク負性抵抗効果素子を備える，集積装置または複数の装置の組立体［２０２３．０１］		定義	CC
H10N97/00	他に分類されない電気的固体薄膜または厚膜装置［２０２３．０１］		定義	CC
H10N99/00	このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２３．０１］		定義	CC

このページは、H10N内の「メイングループ」が選択できます。	CC:コンコーダンス
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