IPCメイングループ選択

揮発性記憶装置［２０２３．０１］
H10B10/00	スタティックランダムアクセスメモリ［ＳＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	定義	CC
H10B12/00	ダイナミックランダムアクセスメモリ［ＤＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	定義	CC
不揮発性記憶装置［２０２３．０１］
H10B20/00	読み出し専用メモリ［ＲＯＭ］装置［２０２３．０１］	定義	CC
H10B41/00	フローティングゲートを含む電気的消去・書き込み可能なＲＯＭ［ＥＥＰＲＯＭ］装置［２０２３．０１］	定義	CC
H10B43/00	電荷トラッピングゲート絶縁体を含むＥＥＰＲＯＭ装置［２０２３．０１］	定義	CC
H10B51/00	強誘電性のメモリトランジスタを含む強誘電体メモリ［ＦｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	定義	CC
H10B53/00	強誘電性のメモリキャパシタを含む強誘電体メモリ［ＦｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	定義	CC
H10B61/00	磁気メモリ装置，例．磁気抵抗ＲＡＭ［ＭＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	定義	CC
H10B63/00	抵抗変化メモリ装置，例．抵抗ＲＡＭ［ＲｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］	定義	CC
H10B69/00	グループＨ１０Ｂ４１／００～Ｈ１０Ｂ６３／００に包含されない，消去可能でプログラム可能なＲＯＭ［ＥＰＲＯＭ］装置，例．紫外線による消去可能でプログラム可能なＲＯＭ［ＵＶＥＰＲＯＭ］装置［２０２３．０１］	定義	CC
H10B80/00	このサブクラスに包含される，少なくとも１つの記憶装置を備える，複数の装置の組立体［２０２３．０１］	定義	CC
H10B99/00	このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２３．０１］		CC

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