このページは、メイングループH10B51/00内の「IPC」を全て表示しています。 CC:コンコーダンス IPCセクション選択に戻る 一階層上へ H10B51/00 強誘電性のメモリトランジスタを含む強誘電体メモリ［ＦｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ 定義 CC H10B51/10 ・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC H10B51/20 ・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC H10B51/30 ・メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC H10B51/40 ・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC H10B51/50 ・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC TOP
H10B51/00 強誘電性のメモリトランジスタを含む強誘電体メモリ［ＦｅＲＡＭ］装置［２０２３．０１］ 定義 CC H10B51/10 ・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC H10B51/20 ・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC H10B51/30 ・メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC H10B51/40 ・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC H10B51/50 ・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC