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IPC(一覧表示)

  • H10B41/00
    		• フローティングゲートを含む電気的消去・書き込み可能なＲＯＭ［ＥＥＰＲＯＭ］装置［２０２３．０１］ 定義 CC
  • H10B41/10
    		• ・上から見たレイアウトに特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/20
    		• ・三次元配置，例．異なる高さに配置されたセル，に特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/23
    		• ・・異なる高さのソースとドレインを有するもの，例．傾斜チャネルを有するもの［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/27
    		• ・・・垂直部分を含むチャネル，例．Ｕ字型チャネル［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/30
    		• ・メモリコア領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/35
    		• ・・セル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/40
    		• ・周辺回路領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/41
    		• ・・メモリ領域にセル選択トランジスタを有するもの，例．ＮＡＮＤ［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/42
    		• ・・周辺セルおよびメモリセルの同時製造［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/43
    		• ・・・周辺トランジスタを一種類のみ含むもの［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/44
    		• ・・・・コントロールゲート層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/46
    		• ・・・・ゲート間誘電体層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/47
    		• ・・・・フローティングゲート層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/48
    		• ・・・・トンネル誘電体層を周辺トランジスタの一部としても用いるもの［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/49
    		• ・・・異なる種類の周辺トランジスタを含むもの［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/50
    		• ・コアと周辺回路領域との間の境界領域に特徴のあるもの［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/60
    		• ・コントロールゲートがドープ領域であるもの，例．単層ポリメモリセル［２０２３．０１］ CC
  • H10B41/70
    		• ・フローティングゲートが複数の構成部品で共有される電極であるもの［２０２３．０１］ CC
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