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CC:Concordance | |||
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Select the desired 「MainGroup」. | ||||
| 個々の装置［２０２５．０１］ | ||||
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抵抗器，キャパシタまたはインダクタ［２０２５．０１］ | CC | ||
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ダイオード（可変容量ダイオードＨ１０Ｄ１／６４；ゲートダイオードＨ１０Ｄ１２／００）［２０２５．０１］ | CC | ||
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バイポーラトランジスタ［ＢＪＴ］［２０２５．０１］ | CC | ||
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電界効果により制御されるバイポーラ装置，例．絶縁ゲートバイポーラトランジスタ［ＩＧＢＴ］［２０２５．０１］ | CC | ||
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サイリスタ［２０２５．０１］ | CC | ||
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電界効果トランジスタ［ＦＥＴ］（絶縁ゲートバイポーラトランジスタＨ１０Ｄ１２／００）［２０２５．０１］ | CC | ||
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電荷転送装置［２０２５．０１］ | CC | ||
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グループＨ１０Ｄ１／００～Ｈ１０Ｄ４４／００に包含されない個々の装置［２０２５．０１］ | CC | ||
| 構造上の細部［２０２５．０１］ | ||||
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電位障壁を有する装置の半導体本体，またはその領域［２０２５．０１］ | CC | ||
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電位障壁を有する装置の電極［２０２５．０１］ | CC | ||
| 集積装置；複数の装置の組立体［２０２５．０１］ | ||||
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このサブクラスに包含される，少なくとも１つの装置を備える，複数の装置の組立体［２０２５．０１］ | CC | ||
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半導体層のみを備える半導体基板内または上，例．Ｓｉウェーハ上またはＳｉウェーハ上のＧａＡｓ上，に形成される集積装置［２０２５．０１］ | CC | ||
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絶縁性または導電性基板内または上に形成される集積装置，例．ＳＯＩ基板内，またはステンレスもしくはガラス基板上に形成されるもの［２０２５．０１］ | CC | ||
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同一基板上のバルク構成部品とＳＯＩまたはＳＯＳ構成部品を備える集積装置［２０２５．０１］ | CC | ||
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３次元集積装置［２０２５．０１］ | CC | ||
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グループＨ１０Ｄ８４／００～Ｈ１０Ｄ８８／００に包含されない集積装置の観点［２０２５．０１］ | CC | ||
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このサブクラスの他のグループに分類されない主題事項［２０２５．０１］ | CC | ||