| H10D84/00 | 半導体層のみを備える半導体基板内または上，例．Ｓｉウェーハ上またはＳｉウェーハ上のＧａＡｓ上，に形成される集積装置［２０２５．０１］ |
| このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。［２０２５．０１］ |
Descriptions for H10D84/00 and notes/indexes are displayed on this screen.
Descriptions for H10D84/00 and notes/indexes are displayed on this screen.
| H10D84/00 | 半導体層のみを備える半導体基板内または上，例．Ｓｉウェーハ上またはＳｉウェーハ上のＧａＡｓ上，に形成される集積装置［２０２５．０１］ |
| このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。［２０２５．０１］ |