| H10D12/00 | 電界効果により制御されるバイポーラ装置，例．絶縁ゲートバイポーラトランジスタ［ＩＧＢＴ］［２０２５．０１］ |
| このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。［２０２５．０１］ |
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| このグループでは，装置の製造または処理が新規かつ非自明であるとみなされる場合は，当該装置それ自身も分類する。［２０２５．０１］ |