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| 5E049 | 磁性薄膜 | 電気機器 |
| H01F10/00 -10/32;41/14-41/34 | ||
| H01F10/00-10/32;41/14-41/34 | AA | AA00 磁性材料（金属・合金） |
AA01 | AA04 | AA07 | AA09 | AA10 | |||||
| ・Ｆｅを主とする金属・合金 | ・Ｃｏを主とする金属・合金 | ・Ｎｉを主とする金属・合金 | ・置換・含有成分に特徴のあるもの＊ | ・その他の金属・合金＊ | ||||||||
| AB | AB00 磁性材料（無機化合物） |
AB01 | AB02 | AB03 | AB04 | AB05 | AB06 | AB07 | AB09 | AB10 | ||
| ・鉄化合物 | ・・ＦｅＯｘ | ・・鉄の複合酸化物（フェライト） | ・・・ＡＯＦｅ２Ｏ３（スピネル） | ・・・ＡＯｎＦｅ２Ｏ３（マグネトプランバイト） | ・・・Ａ３Ｆｅ５Ｏ１２（ガーネット） | ・・鉄酸化物以外の鉄化合物＊ | ・置換・含有成分に特徴のあるもの＊ | ・その他の無機化合物＊ | ||||
| AC | AC00 磁性材料（構造・その他） |
AC01 | AC03 | AC05 | AC08 | AC10 | ||||||
| ・アモルファス（非晶質） | ・単結晶 | ・積層磁性材料 | ・不特定の磁性材料 | ・その他の磁性材料＊ | ||||||||
| BA | BA00 磁気特性・用途 |
BA01 | BA05 | BA06 | BA07 | BA08 | ||||||
| ・硬質（磁石用） | ・半硬質 | ・・磁気記録用 | ・・・面内磁化 | ・・・垂直磁化 | ||||||||
| BA11 | BA12 | BA14 | BA16 | |||||||||
| ・軟質・高透磁率 | ・・磁気ヘッド | ・・変成器コア用 | ・・磁気センサー用 | |||||||||
| BA22 | BA23 | BA25 | BA27 | BA29 | BA30 | |||||||
| ・磁気光学・光磁性・熱磁性 | ・・光磁気記録 | ・磁気バブル用 | ・電（磁）波吸収 | ・マイクロ波素子用 | ・その他の磁気特性・用途＊ | |||||||
| H01F10/00;41/32;41/34 | CB | CB00 磁性薄膜の構造 |
CB01 | CB02 | CB06 | CB10 | ||||||
| ・積層体よりなるもの | ・・中間層に非磁性体 | ・線状体（ワイヤ） | ・その他の構造＊ | |||||||||
| CC | CC00 磁性薄膜の表面被覆 |
CC01 | CC05 | CC08 | ||||||||
| ・無機材料によるもの | ・有機材料によるもの | ・多層被覆 | ||||||||||
| H01F10/26-10/32 | DB | DB00 基体・中間層 |
DB01 | DB02 | DB04 | DB06 | DB08 | DB10 | ||||
| ・基体 | ・・金属・合金よりなるもの | ・・無機化合物よりなるもの | ・・有機材料よりなるもの | ・・形状に特徴のある基体 | ・・その他の基体＊ | |||||||
| DB11 | DB12 | DB14 | DB16 | DB18 | DB20 | |||||||
| ・中間層 | ・・金属・合金よりなるもの | ・・無機化合物よりなるもの | ・・有機材料よりなるもの | ・・形状に特徴のある中間層 | ・・その他の中間層＊ | |||||||
| H01F41/14-41/30 | EB | EB00 磁性薄膜の形成方法一般 |
EB01 | EB03 | EB05 | EB06 | ||||||
| ・形成時に磁界を印加するもの | ・形成前の処理に特徴 | ・形成後の処理に特徴 | ・・加熱するもの | |||||||||
| H01F41/14;41/16;41/30 | FC | FC00 その他の形成方法 |
FC01 | FC03 | FC06 | FC08 | FC10 | |||||
| ・イオン注入法 | ・プラズマ溶射法 | ・不特定の形成方法 | ・複数の形成法に共通 | ・その他の形成法＊ | ||||||||
| H01F41/18 | GC | GC00 スパッタリング法 |
GC01 | GC02 | GC04 | GC06 | GC08 | |||||
| ・スパッタリング法 | ・・ターゲットに特徴 | ・・高周波（ＲＦ）スパッタリング法 | ・・イオンビームスパッタリング法 | ・・反応性スパッタリング法 | ||||||||
| H01F41/20 | HC | HC00 蒸着法 |
HC01 | HC02 | HC03 | HC05 | HC06 | |||||
| ・真空蒸着法 | ・・蒸着源に特徴 | ・・反応性蒸着法 | ・イオンプレーティング法 | ・・反応性イオンプレーティング法 | ||||||||
| H01F41/22 | JC | JC00 加熱法 |
JC01 | JC03 | JC05 | |||||||
| ・熱処理によるもの | ・熱分解によるもの | ・化学蒸着法 | ||||||||||
| H01F41/24 | KC | KC00 液体からの形成方法 |
KC01 | KC02 | KC04 | KC10 | ||||||
| ・無電解めっき法 | ・・めっき浴に特徴 | ・・基板に特徴 | ・その他の形成方法＊ | |||||||||
| H01F41/26 | LC | LC00 電解めっき法 |
LC01 | LC02 | LC04 | LC06 | ||||||
| ・電解めっき法 | ・・めっき浴に特徴 | ・・基板に特徴 | ・・電解条件に特徴 | |||||||||
| H01F41/28 | MC | MC00 液相エピタキシャル法 |
MC01 | MC02 | MC03 | MC05 | MC07 | MC09 | ||||
| ・液相エピタキシャル法 | ・・ディッピングに特徴 | ・・・温度に特徴 | ・・チッピングに特徴 | ・・フラックス成分に特徴 | ・・基板に特徴 | |||||||
| MC11 | MC12 | |||||||||||
| ・液相エピタキシャル装置 | ・・基板保持装置 |