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5C127 | 冷陰極の製造 | 応用物理 |
H01J9/02@B -9/02@D |
H01J9/02@B;9/02@C;9/02@E;9/02@M;9/02@D | AA | AA00 冷陰極の用途 |
AA01 | AA02 | AA03 | AA04 | AA05 | AA06 | AA07 | AA08 | AA09 | AA10 |
・フラットパネルディスプレイ | ・CRT | ・撮像素子 | ・電子顕微鏡 | ・電子線処理・露光装置 | ・マイクロ真空管 | ・マイクロ波管 | ・センサ | ・パワースイッチング、電力変換素子 | ・サージアブソーバ | |||
AA11 | AA12 | AA13 | AA20 | |||||||||
・X線源 | ・自由電子レーザ | ・イオン源 | ・その他 | |||||||||
BA | BA00 電界放出型のエミッタ形状 |
BA01 | BA02 | BA03 | BA04 | BA05 | BA06 | BA07 | BA08 | BA09 | BA10 | |
・巨視的形状 | ・・錘状 | ・・・円錐状 | ・・・エミッタに沿う絶縁層を有するもの | ・・タワー状、針状(BA10優先) | ・・柱状 | ・・ライン状、尾根状 | ・・横型 | ・・薄膜 | ・・針状(基板上に形成されないもの) | |||
BA11 | BA12 | BA13 | BA14 | BA15 | BA20 | |||||||
・微視的形状 | ・・微粒子 | ・・繊維、ファイバー | ・・ウイスカ | ・・ナノ構造 | ・その他 | |||||||
BB | BB00 電界放出型のエミッタ材料に特徴のあるもの |
BB01 | BB02 | BB03 | BB05 | BB06 | BB07 | BB08 | BB09 | |||
・金属 | ・・金属単体 | ・・合金、金属間化合物 | ・炭素単体 | ・・ダイヤモンド | ・・カーボンナノチューブ | ・・グラファイト | ・・フラーレン | |||||
BB11 | BB12 | BB13 | BB15 | BB16 | BB17 | BB18 | BB19 | BB20 | ||||
・半導体 | ・・単体 | ・・化合物 | ・炭化物 | ・窒化物 | ・硼化物 | ・酸化物 | ・有機物 | ・その他 | ||||
CC | CC00 製法に特徴のある製造対象 |
CC01 | CC02 | CC03 | CC04 | CC05 | CC06 | CC07 | CC08 | CC09 | CC10 | |
・放出素子 | ・・電界放出型 | ・・・エミッタ(材料に特徴のあるものはBB00) | ・・・・スピント法によるもの | ・・・・グレイ法によるもの | ・・・・転写モールド法によるもの | ・・・エミッタの表面被覆 | ・・・ゲート電極 | ・・・ゲート絶縁膜 | ・・・カソード電極 | |||
CC11 | CC12 | CC13 | CC15 | CC16 | CC17 | CC18 | CC19 | CC20 | ||||
・・表面伝導型 | ・・・導電性薄膜 | ・・・素子電極 | ・・MIM型 | ・・・上部電極 | ・・・下部電極 | ・・・絶縁層 | ・・強誘電体型 | ・・・誘電体層 | ||||
CC21 | CC22 | CC24 | CC25 | CC26 | CC27 | CC29 | CC30 | |||||
・・弾道電子型 | ・・・ドリフト層 | ・・PN接合逆バイアス半導体型 | ・・・N層 | ・・ショットキー接合型 | ・・・ショットキー電極 | ・・PN接合順バイアス半導体型 | ・・・P層 | |||||
CC31 | CC33 | CC35 | CC37 | CC39 | ||||||||
・変調電極 | ・偏向電極 | ・集束電極 | ・遮蔽電極 | ・電圧印加用電極、端子 | ||||||||
CC41 | CC45 | CC46 | CC47 | CC48 | CC49 | |||||||
・陽極 | ・電流制限素子 | ・・抵抗体 | ・・ダイオード | ・・トランジスタ | ・・トレンチ溝 | |||||||
CC51 | CC52 | CC53 | ||||||||||
・配線(電界放出型のカソード電極はDD10) | ・・配線間絶縁層 | ・・配線と電極との接続 | ||||||||||
CC61 | CC62 | CC63 | CC65 | CC66 | CC67 | CC68 | CC69 | CC70 | ||||
・支持基板 | ・・絶縁基板 | ・・導体・半導体基板 | ・支持基板と放出素子との間の被膜 | ・・絶縁膜 | ・・導電・半導電膜 | ・基板を加工し、放出素子などを形成するもの | ・全体(工程順序などに特徴) | ・その他 | ||||
DD | DD00 特徴のある製造対象(CC00)の製造方法 |
DD01 | DD02 | DD03 | DD04 | DD05 | DD06 | DD07 | DD08 | DD09 | DD10 | |
・成膜方法 | ・・真空蒸着 | ・・・イオンプレーティング | ・・・レーザアベレーション | ・・・パターン蒸着 | ・・・・回転蒸着 | ・・スパッタリング | ・・CVD | ・・・プラズマアシストCVD | ・・・MOCVD | |||
DD12 | DD13 | DD14 | DD15 | DD16 | DD17 | DD18 | DD19 | DD20 | ||||
・・・熱CVD | ・・塗布 | ・・・スプレー | ・・・スピンコート | ・・・パターン塗布 | ・・・・インクジェット | ・・印刷 | ・・・パターン印刷 | ・・ディッピング | ||||
DD22 | DD23 | DD24 | DD25 | DD26 | DD27 | DD28 | ||||||
・・材料の埋め込み(モールド) | ・・転写 | ・・LB法 | ・・めっき | ・・・電解めっき | ・・・無電解めっき | ・・電着 | ||||||
DD32 | DD33 | DD34 | DD35 | DD38 | DD39 | DD40 | ||||||
・・結晶成長 | ・・・単結晶 | ・・・多結晶 | ・・・非晶質、アモルファス | ・・使用材料に特徴のあるもの | ・・成膜前の前処理 | ・・・保護膜、犠牲層の形成 | ||||||
DD41 | DD42 | DD43 | DD45 | |||||||||
・被膜のパターニング、成形 | ・・パターンマスク、レジスト形成 | ・・露光 | ・・レーザー加工 | |||||||||
DD52 | DD53 | DD54 | DD55 | DD56 | DD57 | DD58 | DD59 | |||||
・・エッチング | ・・・ドライエッチング | ・・・・プラズマエッチング | ・・・・イオンビームエッチング | ・・・・・RIE | ・・・ウェットエッチング | ・・・異方性エッチング | ・・・リフトオフ | |||||
DD61 | DD62 | DD63 | DD64 | DD65 | DD66 | DD67 | DD68 | DD69 | DD70 | |||
・被膜やパターンの後処理 | ・・加熱、冷却 | ・・・乾燥 | ・・・焼成 | ・・イオン注入 | ・・電子線照射 | ・・プラズマ処理(プラズマエッチング→DD72) | ・・光(レーザ)、マイクロ波の照射 | ・・機械的加工 | ・・電界印加 | |||
DD72 | DD76 | DD77 | DD78 | DD79 | DD80 | |||||||
・・エッチング(プラズマエッチングを含む) | ・・酸化・還元処理 | ・・・熱酸化 | ・・・陽極酸化 | ・・・気相酸化 | ・・窒化処理 | |||||||
DD82 | DD83 | DD84 | DD85 | DD87 | DD88 | DD90 | ||||||
・・フォーミング | ・・・フォーミング電圧に特徴があるもの | ・・活性化 | ・・安定化 | ・・平坦化 | ・・粗面化 | ・・材料膜・塊に内包される放出材料の露出工程 | ||||||
DD92 | DD93 | DD94 | DD99 | |||||||||
・エージング、予備駆動 | ・脱ガス、フラッシング、クリーニング | ・工程制御のための測定 | ・その他 | |||||||||
EE | EE00 解決課題 |
EE01 | EE02 | EE03 | EE04 | EE05 | EE06 | EE07 | EE08 | |||
・放出電流 | ・・電流量、密度 | ・・安定 | ・・均一 | ・・集束 | ・・低電圧 | ・・長寿命 | ・・効率 | |||||
EE11 | EE12 | EE13 | EE14 | EE15 | EE16 | EE17 | EE18 | EE20 | ||||
・エミッタ | ・・短絡・破壊防止 | ・・応答性 | ・・大面積、薄型、軽量 | ・・低コスト、工程簡略化 | ・・機械的強度 | ・・再現性、信頼性 | ・環境対策 | ・その他 |