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Fタームリスト

２Ｈ０９２から分割，リスト再作成（Ｈ２４）
2H192 液晶５－２（スイッチング素子） 光制御　　　　　　　
G02F1/136 -1/1368
G02F1/136-1/1368 AA AA00
表示方式 		AA01
・セグメント表示
AA11 AA12
・マトリクス表示 ・・単純マトリクス
AA22 AA23 AA24 AA25
・・アクティブマトリクス ・・・二端子素子 ・・・三端子素子 ・・・両基板に能動素子、能動素子用配線
AA32 AA33
・・分割マトリクス ・・多重マトリクス
AA42 AA43 AA44 AA45 AA46
・・画素毎に構造が異なる ・・・画素毎に表示電極が異なる ・・・画素毎に能動素子が異なる ・・・画素毎に容量素子が異なる ・・・マルチギャップ（透過反射マルチ除く）
AA51
・複数の表示領域（分割マトリクスを除く）
AA61 AA62 AA63
・複数のパネル ・・複数パネル、液晶層を積層配置 ・・複数パネルを平面配置（大画面化）
BA BA00
表示電極（縦電界） 		BA01 BA02
・表示電極（画素電極、対向電極）に特徴 ・・表示電極の断面形状に特徴（散乱反射を除く）
BA12 BA13 BA14 BA15 BA16 BA17
・・表示電極の平面形状（配向規制を除く） ・・・画素電極の形状に特徴 ・・・コモン、セグメント配線の形状に特徴 ・・・二端子素子用対向配線の形状に特徴 ・・・三端子素子用対向電極の形状に特徴 ・・・・分割された対向電極
BA22 BA23 BA24 BA25
・・配向規制のための電極形状 ・・・開口、スリット ・・・・点状開口 ・・・・線状開口、線状スリット
BA32
・・画素電極と対向しない対向電極、斜電界
BA42
・・表示電極が多層電極（透過反射を除く）
BA51
・表示電極用配線（補助配線）
BB BB00
表示電極（横電界） 		BB01 BB02 BB03 BB04
・線状電極と線状電極とによる横電界 ・・画素電極が対向電極よりも上層 ・・画素電極と対向電極とが同一層 ・・画素電極が対向電極よりも下層
BB11 BB12 BB13
・線状電極と面状電極とによる横電界 ・・画素電極が面状電極 ・・対向電極が面状電極
BB21
・３電極以上による横電界
BB31 BB32 BB33
・対向基板にも電極 ・・対向基板にも横電界印加用電極 ・・縦電界と横電界を併用
BB41 BB42
・表示電極（画素電極、対向電極）に特徴 ・・表示電極の断面形状（散乱反射を除く）
BB52 BB53 BB54 BB55
・・表示電極の平面形状に特徴 ・・・横電界方向分割「＜＜」「＝∥」 ・・・・３方向以上に分割、曲線状電極 ・・・・分割領域境界の電極形状に特徴
BB63 BB64 BB66
・・・画素電極と対向電極との間隔が異なる ・・・・平行電極の幅／間隔が異なる ・・・表示電極端部の電極形状に特徴
BB72 BB73
・・表示電極が多層電極 ・・線状表示電極が透明電極
BB81 BB82 BB83 BB84 BB86
・対向電極用配線に特徴 ・・対向電極用配線の形状に特徴 ・・・冗長・並行（格子状配線除く） ・・・信号配線と平行な配線、格子状配線 ・・多層配線構造
BB91
・対向電極が能動素子と接続
BC BC00
表示電極（共通） 		BC01 BC02
・画素配列に特徴 ・・デルタ配列
BC11 BC12 BC13 BC14
・サブ画素 ・・同じ電圧を印加するもの ・・・島状サブ画素電極を連結したもの ・・・冗長構成
BC22 BC23 BC24 BC26
・・異なる電圧を印加するもの ・・・サブ画素電極間を容量結合したもの ・・・サブ画素毎に能動素子 ・・同じ電圧を印加した後、異ならせるもの
BC31 BC32 BC33 BC34 BC35
・表示電極がコンタクトホールを介して接続 ・・コンタクトホールに特徴 ・・・コンタクトホールの形状に特徴 ・・・コンタクトホール上層の構造に特徴 ・・・コンタクトホール下層の構造に特徴
BC42 BC44
・・画素電極と能動素子との接続電極に特徴 ・・能動素子よりも下層に画素電極
BC51
・配向規制用電極
BC61 BC62 BC63 BC64
・反射型、透過反射型（光導電体層を除く） ・・透過反射型表示 ・・・透過領域と反射領域 ・・・・マルチギャップ
BC72 BC74 BC75 BC77
・・表示電極が反射電極 ・・表示電極とは別の反射層 ・・・誘電体多層膜、反射増加膜 ・・対向基板に反射層、反射電極
BC82 BC83 BC85
・・散乱反射（無指向性） ・・・反射面形状に特徴 ・・指向反射
CA CA00
二端子素子 		CA01 CA02 CA03
・二端子素子の種類 ・・ＭＩＭ素子 ・・半導体素子（光導電体素子を除く）
CA11 CA12
・一つの（サブ）画素電極に複数の能動素子 ・・バックトゥバック、ダイオードリング
CA21
・二端子素子の形状に特徴
CA31 CA32 CA33
・走査配線に特徴 ・・走査配線の形状に特徴 ・・多層配線構造
CB CB00
三端子素子（素子構造） 		CB01 CB02 CB03 CB05 CB06 CB08
・三端子素子の種類 ・・トップゲート（半導体上にゲート） ・・・順スタガ（半導体下にＳ・Ｄ） ・・ボトムゲート（半導体下にゲート） ・・・逆コプレナ（半導体下にＳ・Ｄ） ・・上下ゲート（半導体の上下にゲート）
CB11 CB12 CB13 CB14
・一つの（サブ）画素電極に複数の能動素子 ・・複数の画素スイッチング用能動素子 ・・・直列配置 ・・・並列配置
CB22 CB23 CB24 CB26
・・液晶制御用の画素内回路 ・・・メモリ回路 ・・・相補型トランジスタをもつもの ・・非液晶制御用回路（センサ回路を除く）
CB31 CB32 CB33 CB34 CB35 CB36 CB37
・半導体層、不純物半導体層に特徴 ・・半導体層の材料に特徴 ・・・単結晶半導体に特徴 ・・・多結晶半導体に特徴 ・・・アモルファス半導体に特徴 ・・・有機半導体 ・・・酸化物半導体
CB42 CB44 CB45 CB46
・・（不純物）半導体層の断面形状に特徴 ・・（不純物）半導体層の平面形状に特徴 ・・・素子部の平面形状に特徴 ・・・信号配線領域に（不純物）半導体層
CB52 CB53 CB54 CB56
・・チャネル領域に特徴 ・・不純物領域、ＬＤＤに特徴 ・・不純物半導体層に特徴 ・・多層半導体、多層不純物半導体
CB61
・低抵抗層（不純物半導体層を除く）
CB71 CB72
・チャネル保護膜 ・・チャネル保護膜の形状に特徴
CB81 CB82 CB83
・ゲート絶縁膜に特徴 ・・ゲート絶縁膜の形状に特徴 ・・多層ゲート絶縁膜（陽極酸化膜を除く）
CC CC00
三端子素子（電極、配線構造） 		CC01 CC02 CC04 CC05 CC07
・ゲート電極、走査配線に特徴 ・・ゲート電極の形状に特徴 ・・ゲート電極が走査配線の一部 ・・・走査配線と信号配線との交点 ・・ゲート電極と走査配線とが異なる構造
CC12 CC14 CC15 CC16 CC17
・・走査配線の断面形状に特徴 ・・走査配線の平面形状に特徴 ・・・蛇行・屈曲形状（デルタ配列を除く） ・・・冗長・並行形状（ハシゴ、リング） ・・・幅変化、分岐（Ｇ、容量以外）
CC22 CC24 CC26
・・走査配線が複数行の画素電極に接続 ・・複数行の走査配線を隣接して配置 ・・走査配線を画素電極の周囲以外に配置
CC32 CC33
・・多層電極・多層配線構造 ・・・コンタクトホールを介して配線接続
CC41 CC42 CC44
・ソース・ドレイン電極、信号配線に特徴 ・・ソース・ドレイン電極の形状に特徴 ・・信号配線と能動素子との接続電極
CC52 CC54 CC55 CC56 CC57 CC58
・・信号配線の断面形状に特徴 ・・信号配線の平面形状に特徴 ・・・蛇行・屈曲形状（デルタ配列を除く） ・・・冗長・並行形状（ハシゴ、リング） ・・・幅変化、分岐（Ｓ・Ｄ以外） ・・・走査配線と平行
CC62 CC64 CC66
・・信号配線が複数列の画素電極に接続 ・・複数列の信号配線を隣接して配置 ・・信号配線を画素電極の周囲以外に配置
CC72 CC73 CC75
・・多層電極・多層配線（半導体層を除く） ・・・コンタクトホールを介して配線接続 ・・信号配線が透明導電膜を含む
DA DA00
容量、抵抗 		DA01 DA02
・補助容量の配置 ・・走査配線（Ｃｓオンゲート）
DA12 DA13 DA14 DA15
・・容量配線（Ｃｓオンコモン） ・・・容量配線の形状（容量部を除く） ・・・・冗長・並行（格子状配線を除く） ・・・・信号配線と平行な配線、格子状配線
DA23 DA24
・・・多層配線構造 ・・・透明導電膜を含む
DA32
・・横電界対向電極用配線
DA41 DA42 DA43 DA44
・補助容量の素子構造に特徴 ・・画素電極に接続された容量電極 ・・・能動素子と画素電極との接続電極 ・・・半導体層
DA52
・・容量配線などに接続された容量電極
DA62 DA63 DA65 DA67
・・容量絶縁膜に特徴 ・・・容量絶縁膜の薄膜化 ・・１つの画素電極に複数の補助容量 ・・立体的な補助容量、水平方向の補助容量
DA71 DA72 DA73 DA74
・寄生容量に特徴 ・・寄生容量の低減構造 ・・・表示電極と走査配線間（能動素子） ・・・表示電極と信号配線間
DA81 DA82
・その他の容量素子（サブ画素間容量を除く） ・・周辺領域の容量素子
DA91
・抵抗素子（単なる配線抵抗を除く）
EA EA00
遮光膜、着色層、絶縁膜 		EA01 EA02 EA03 EA04 EA06 EA07
・遮光膜 ・・アクティブ基板側遮光膜 ・・・導電性遮光膜に特徴 ・・・・電極、配線からなる遮光膜 ・・・非導電性遮光膜に特徴 ・・・・着色層からなる遮光膜
EA13 EA14 EA15 EA17
・・・能動素子の上層の遮光膜に特徴 ・・・能動素子の側面の遮光膜 ・・・能動素子の下層の遮光膜に特徴 ・・・画素電極間の遮光膜に特徴
EA22 EA23 EA25 EA26 EA28
・・対向基板（非アクティブ基板）側遮光膜 ・・・導電性遮光膜に特徴 ・・・非導電性遮光膜に特徴 ・・・・着色層からなる遮光膜 ・・・能動素子用遮光膜に特徴
EA32 EA34
・・周辺領域の遮光膜 ・・多層遮光膜構造（積層着色層を除く）
EA41 EA42 EA43 EA44
・着色層（カラーフィルタ） ・・アクティブ基板側着色層 ・・対向基板（非アクティブ基板）側着色層 ・・周辺領域の着色層
EA52 EA53 EA54 EA56
・・色彩に特徴 ・・・４色以上（白画素を除く）の着色層 ・・・白画素を含む ・・着色層のオーバーコート層に特徴
EA61 EA62 EA64 EA66 EA67 EA68
・絶縁層に特徴（配向部材を除く） ・・表示電極の上の絶縁層に特徴 ・・表示電極の間の絶縁層に特徴 ・・表示電極の下の絶縁層に特徴 ・・・平坦化膜 ・・・凹凸膜（散乱反射、ギャップ調整を除く）
EA72 EA74 EA76
・・配線の上下の絶縁層に特徴 ・・能動素子の上の絶縁層に特徴 ・・能動素子の下の絶縁層に特徴
FA FA00
周辺領域の電極、配線 		FA01 FA02
・周辺領域のダミー画素 ・・ダミー能動素子付きダミー画素
FA11 FA12 FA13 FA14 FA15
・トランスファ（基板間導通部）に特徴 ・・シール内側にトランスファ ・・・表示領域にトランスファ ・・シール領域にトランスファ ・・シール外側にトランスファ
FA22 FA24 FA26
・・トランスファ電極、配線に特徴 ・・導通部材に特徴 ・・トランスファ周辺の構造に特徴
FA31 FA32 FA34 FA35 FA37 FA39
・引き出し配線に特徴 ・・引き出し配線の形状に特徴 ・・セル内配線と異なる層構造 ・・・コンタクトホールを介して配線接続 ・・引き出し配線の抵抗・容量に特徴 ・・引き出し配線周辺の構造に特徴
FA42 FA44 FA46 FA48
・・表示領域内の引き出し配線 ・・走査配線等の両側引き出し（分割マを除く） ・・容量配線、横電界配線の引き出しに特徴 ・・三端子素子用対向電極の引き出しに特徴
FA52 FA54
・・内部駆動回路と外部端子間の配線に特徴 ・・外部駆動回路間の引き出し配線
FA61 FA62 FA64 FA65
・外部端子に特徴（検査端子を除く） ・・外部端子の形状に特徴 ・・外部端子の層構造に特徴 ・・・コンタクトホールで引出し配線と接続
FA72 FA73 FA74 FA76
・・外部端子の配置に特徴 ・・・１辺のみに外部端子 ・・・基板側面・裏面に外部端子 ・・外部端子周辺の構造に特徴
FA81
・周辺領域（駆動回路を含む）の保護構造
FB FB00
駆動回路 		FB01 FB02 FB03 FB05 FB06 FB07 FB09
・内部駆動回路に特徴 ・・液晶基板上に一体形成（モノリシック） ・・・走査配線（三端子）駆動回路に特徴 ・・・信号配線（三端子）駆動回路に特徴 ・・・・サンプリング回路に特徴 ・・・・リセット、プリチャージ回路に特徴 ・・・その他の配線（三端子）駆動回路
FB13 FB15
・・・配線駆動回路以外（電源回路など） ・・・駆動回路の能動素子が他と異なる
FB22 FB23 FB25 FB27
・・液晶基板上にチップを配置（ＣＯＧ） ・・・配線駆動回路以外（電源回路など） ・・・チップ端子に特徴 ・・・一体形成とチップとを併用
FB32 FB33 FB34
・・内部駆動回路の配置に特徴 ・・・シール領域、シール内側に駆動回路 ・・・１辺のみに駆動回路
FB41 FB42 FB43 FB44 FB46 FB48
・外部駆動回路に特徴 ・・フレキシブル配線板（ＦＰＣ）に特徴 ・・・フレシキブル配線板の形状に特徴 ・・・・切り欠き・開口 ・・・回路搭載ＦＰＣ（ＣＯＦ、ＴＡＢ） ・・・多層配線、裏面配線
FB52
・・プリント回路基板（ＰＣＢ）に特徴
FB62
・・外部駆動回路の配置に特徴
FB71 FB72 FB73 FB74 FB75 FB76
・駆動回路の接続手段に特徴 ・・異方性導電樹脂（ＡＣＦなど）に特徴 ・・半田に特徴 ・・コネクタに特徴 ・・・導電性ゴム、リードピンに特徴 ・・ワイヤーボンディングに特徴
FB81 FB82
・駆動回路の接続方法、接続装置に特徴 ・・駆動回路接続用アライメントマーク
GA GA00
欠陥防止 		GA01 GA02 GA03 GA04 GA06
・シールド電極 ・・パネル内側のシールド電極 ・・・電極、配線をシールド電極として利用 ・・・周辺領域のシールド電極 ・・パネル外側のシールド電極
GA11 GA12 GA13 GA14 GA15
・ショートリング ・・直接接続されたショートリング ・・抵抗、容量素子を介したショートリング ・・放電領域を介したショートリング ・・能動素子を介したショートリング
GA21
・イオントラップ電極
GA31
・その他、帯電、静電気対策のための構造
GA41 GA42 GA43
・断線防止のための構造（多層、並行を除く） ・短絡防止のための構造 ・素子欠陥防止構造（冗長サブ画素を除く）
GB GB00
センサ 		GB01 GB02 GB03 GB04 GB05 GB07
・パネル一体型センサ（イメージセンサ） ・・光センサ ・・・光センサ素子に特徴 ・・・・光センサの配置に特徴 ・・・・・周辺領域に光センサ素子 ・・・・複数の光センサの協同による検知
GB13 GB14 GB15 GB16
・・・光センサ用の制御素子 ・・・・光センサがＴＦＴのＳ・Ｄに接続 ・・・・光センサがＴＦＴのゲートに接続 ・・・・一つの光センサに複数の制御素子
GB23 GB24 GB25
・・・光センサの光学的要素に特徴 ・・・・光センサのＢＭ、ＣＦに特徴 ・・・・光センサの光源に特徴
GB32 GB33 GB34 GB36
・・電気センサ、磁気センサ ・・・一方の基板の電極のみの電磁気センサ ・・・両方の基板の電極による電磁気センサ ・・・電磁気センサ用の制御素子
GB42 GB43
・・センサ駆動回路を基板上に一体形成 ・・センサ駆動方法に特徴
GB51 GB52 GB53
・その他のパネル一体型センサ ・・光センサ（外光検知など） ・・温度センサ
GB61
・パネル非一体型タッチ（イメージ）センサ
GB71 GB72 GB73
・その他のパネル非一体型センサ ・・光センサ（外光検知など） ・・温度センサ
GC GC00
光導電体層、強誘電体層 		GC01 GC02 GC04 GC05
・光導電体層（光センサ除く） ・・光導電体層に特徴 ・・遮光膜、光吸収膜に特徴 ・・反射膜、誘電体多層膜に特徴
GC12 GC13 GC15 GC16
・・電極構造に特徴 ・・・アクティブマトリックス ・・駆動方法に特徴 ・・・書込光、読出光の制御に特徴
GC21 GC22
・強誘電体層 ・・アクティブマトリックス
GD GD00
他の構成要素 		GD01 GD02 GD03 GD04 GD06
・機械的要素に特徴（絶縁層を除く） ・・基板に特徴 ・・・半導体基板 ・・・・透過性半導体基板 ・・・能動素子側基板が樹脂基板
GD12 GD13 GD14
・・配向部材に特徴 ・・・配向分割（電極による配向分割除く） ・・・・凸部、凹部による配向分割
GD22 GD23 GD25 GD26
・・スペーサに特徴 ・・・柱状スペーサに特徴 ・・シール材に特徴（トランスファを除く） ・・・注入口に特徴
GD32
・・パネル支持手段に特徴
GD41 GD42 GD43 GD44 GD45 GD46 GD47
・光学要素に特徴（ＢＭ、ＣＦ、反射を除く） ・・偏光板に特徴 ・・位相差板に特徴 ・・散乱、拡散板に特徴（散乱反射を除く） ・・反射防止膜に特徴 ・・プリズム、レンズに特徴 ・・照明装置に特徴
GD51 GD52 GD53 GD54
・他に分類されない電気的要素 ・・ヒータ電極 ・・液晶転移用の電極 ・・高分子安定化（ＰＳ）用の電極
GD61
・液晶パネルの駆動方法に特徴
GD71 GD72 GD73 GD74 GD75
・マーク ・・アライメントマーク（回路接続用を除く） ・・・パターン形成用アライメントマーク ・・・基板貼合せ用アライメントマーク ・・・基板切断用アライメントマーク
GD81
・その他、補助的要素に特徴
HA HA00
製造方法 		HA01 HA02
・成膜前処理に特徴 ・・親水・疎水処理
HA11 HA12 HA13 HA14 HA15
・成膜方法に特徴 ・・蒸着（物理蒸着、化学蒸着）に特徴 ・・・物理蒸着（スパッタリング等）に特徴 ・・・化学蒸着（プラズマＣＶＤ等）に特徴 ・・・蒸着マスクに特徴
HA22 HA23 HA24 HA26 HA27
・・塗布、印刷に特徴 ・・・金属層、半導体層の塗布、印刷 ・・・・半導体層を転写 ・・メッキ、電着に特徴 ・・・金属層、半導体層のメッキ、電着
HA31 HA32 HA33 HA35 HA36
・パターニングに特徴 ・・フォトリソグラフィに特徴 ・・・感光性膜に直接パターン形成 ・・・フォトマスクに特徴（ハーフマスク除く） ・・・・他の部材をフォトマスクとするもの
HA43 HA44 HA45 HA47 HA49
・・・１つのレジストで複数のパターニング ・・・・ハーフトーンマスク ・・・・多重露光 ・・・その他、露光工程数の削減 ・・・複数の領域に分割して露光
HA53 HA54 HA55
・・・露光以外に特徴（エッチングを除く） ・・・・プリベーク、ポストベークに特徴 ・・・・現像、リンスに特徴
HA62 HA63 HA64 HA65 HA66 HA70
・・エッチングに特徴 ・・・ドライエッチングに特徴 ・・・ウェットエッチングに特徴 ・・・レジストレスエッチング（補修を除く） ・・・複数のエッチングの組合せ ・・リフトオフ
HA72 HA80
・・インプリントリソグラフィ ・・残渣除去
HA81 HA82 HA84 HA86 HA88 HA90
・成膜後処理（パターニングを除く）に特徴 ・・結晶化に特徴 ・・不純物ドーピングに特徴 ・・陽極酸化に特徴 ・・機械的研磨（ＣＭＰ） ・・その他の熱処理に特徴
HA91 HA93 HA95
・製造装置に特徴（回路接続、検査補修を除く） ・多面取り ・有機導電性材料（有機半導体を除く）
HB HB00
欠陥検査、欠陥補修 		HB01 HB02 HB03 HB04 HB05
・欠陥検査 ・・検査の種類 ・・・点灯検査 ・・・電気的に検知する検査 ・・・複数の検査
HB12 HB13 HB14
・・検査のための構造に特徴 ・・・検査回路を液晶基板上に一体形成 ・・・検査端子に特徴
HB22 HB23 HB25
・・検査方法に特徴 ・・・検査信号に特徴 ・・検査装置に特徴
HB31 HB32 HB33 HB34 HB36 HB37 HB38 HB40
・欠陥補修 ・・欠陥補修箇所 ・・・能動素子の欠陥補修 ・・・表示電極の欠陥補修 ・・・配線部の欠陥補修 ・・・・断線欠陥補修 ・・・・短絡欠陥補修（表示電極との短絡除く） ・・・駆動回路の欠陥補修
HB42 HB43 HB44 HB46 HB48 HB49 HB50
・・欠陥補修方法 ・・・電気的な接続による補修 ・・・・補修用能動素子を接続 ・・・・欠陥表示電極に電極、配線を接続 ・・・・迂回路を接続 ・・・・・表示領域の補修専用配線 ・・・・・周辺領域の補修専用配線
HB54
・・・・欠陥部に新規な配線を接続
HB63 HB64 HB65
・・・電気的な切断による補修に特徴 ・・・・切断するための構造に特徴 ・・・・レーザー以外の切断方法
HB73 HB75
・・・駆動方法により補修 ・・・光学的に補修
HB82
・・欠陥補修装置に特徴
HB91
・再利用
JA JA00
液晶の動作原理 		JA01 JA02 JA03 JA05 JA06 JA07
・配向効果に基づくもの ・・縦電界駆動 ・・・水平配向 ・・・ツイスト配向 ・・・・９０°（ＴＮ） ・・・・１８０°～３６０°（ＳＴＮ）
JA13 JA15 JA17 JA18
・・・垂直配向（ＶＡ） ・・・ハイブリッド配向（ＨＡＮ） ・・・ベンド配向（ＯＣＢ） ・・・・転移型
JA23 JA24 JA25 JA28
・・・強誘電性液晶を用いるもの ・・・・強誘電（双安定） ・・・・反強誘電 ・・・その他の配向状態
JA32 JA33 JA34 JA35
・・横電界駆動 ・・・水平配向 ・・・垂直配向 ・・・ツイスト、ＨＡＮ、ＯＣＢ、強誘電他
JA42
・・複屈折性の波長分散によるカラー表示
JA51 JA52 JA53
・配向効果に基づかないもの ・・選択反射、干渉を制御（ＦＣなど） ・・散乱特性を制御（高分子分散など）
JA61 JA62 JA63 JA64
・動作原理に付与される特徴 ・・多色性色素を含むもの ・・双安定（強誘電、ＦＣを除く） ・・ブルー相、非線形効果（カー効果）
JA71
・電気的効果以外の動作原理
JB JB00
特殊用途 		JB01 JB02 JB03 JB04 JB05
・表示（一般的な表示を除く） ・・プロジェクタ ・・両面表示 ・・マルチビュー、立体表示 ・・視野角可変表示
JB11 JB12 JB13
・表示以外 ・・光量調節 ・・光変調（偏向、位相変調など）
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