FI(一覧表示)

  • H10F77/00
  • このサブクラスに包含される装置の構造的細部(輻射線が電流の流れを制御する少なくとも1つの素子を備える,集積装置または複数の装置の組立体,の構造的細部H10F39/00)[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F77/10
  • ・半導体本体[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/12
  • ・・活性材料[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/121
  • ・・・セレンのみまたはテルルのみからなるもの[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/122
  • ・・・IV族の材料のみからなるもの[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/1223
  • ・・・・ドーパントに特徴のあるもの[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/1226
  • ・・・・複数のIV族元素からなるもの,例.SiC[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/123
  • ・・・II-VI族の材料のみからなるもの,例.CdS,ZnSまたはHgCdTe[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/124
  • ・・・III-V族の材料のみからなるもの,例.GaAs[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/14
  • ・・半導体本体の形状;半導体本体の内部の半導体領域の形状,相対的大きさまたは配列[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/14,100
  • ・・・光起電装置の半導体本体の形状;光起電装置の半導体本体の内部の半導体領域の形状,相対的大きさまたは配列 HB CC 5F188
  • H10F77/14,120
  • ・・・・量子構造,例.超格子,多重量子井戸 HB CC 5F188
  • H10F77/14,122
  • ・・・・・量子ドット HB CC 5F188
  • H10F77/14,124
  • ・・・・・ナノロッド HB CC 5F188
  • H10F77/14,140
  • ・・・・球状 HB CC 5F188
  • H10F77/16
  • ・・材料の構造,例.結晶構造,膜構造または結晶面の方位[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/162
  • ・・・非単結晶材料,例.絶縁材料に埋め込まれた半導体粒子(H10F77/169が優先)[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/164
  • ・・・・多結晶半導体[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/166
  • ・・・・アモルファス半導体[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/169
  • ・・・金属基板または絶縁基板上の半導体薄膜[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/20
  • ・電極[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/20,100
  • ・・光起電装置の電極 HB CC 5F188
  • H10F77/20,120
  • ・・・集電電極の構造 HB CC 5F188
  • H10F77/20,140
  • ・・・導電ペースト HB CC 5F188
  • H10F77/20,160
  • ・・・透明電極 HB CC 5F188
  • H10F77/30
  • ・コーティング(粒子線輻射により引き起こされる光起電セルへの損傷を防ぐための装置H10F77/80)[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/40
  • ・光学素子または光学装置(表面テクスチャH10F77/70)[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/42
  • ・・光起電セルと直接関連づけられまたは集積されたもの,例.光反射手段または集光手段[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/45
  • ・・・波長変換手段,例.ルミネッセント材料,蛍光性集光器またはアップコンバージョン装置を用いることによるもの[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/48
  • ・・・背面反射器[BSR][2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/50
  • ・封緘または容器(光起電モジュールのためのものH10F19/80)[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/60
  • ・冷却,加熱,換気または温度変動補償のための装置[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/63
  • ・・光起電セルと直接関連づけられまたは集積された冷却装置,例.光起電セルと直接関連づけられたヒートシンク又は能動冷却のために集積されたペルチェ素子[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/67
  • ・・・光起電セルと直接関連づけられる熱エネルギーを利用するための手段を含むもの,例.集積されたゼーベック素子[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/70
  • ・表面テクスチャ,例.ピラミッド構造[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/70,100
  • ・・光起電装置の表面テクスチャ HB CC 5F188
  • H10F77/70,120
  • ・・・薄膜太陽電池の表面テクスチャ HB CC 5F188
  • H10F77/80
  • ・粒子線輻射により引き起こされる光起電セルへの損傷を防止するための装置,例.宇宙応用のため[2025.01] HB CC 5F188
  • H10F77/90
  • ・光起電セルと直接関連づけられまたは集積されたエネルギー蓄積手段,例.光起電セルと集積されたコンデンサ[2025.01] HB CC 5F188
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