FI(一覧表示)

  • H10F30/00
  • 個々の輻射線感応半導体装置であって,輻射線が装置を通る電流の流れを制御するもの,例.光検出器[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/10
  • ・電位障壁を有さず,赤外線,可視光または紫外線の輻射に感応する装置,例.フォトレジスタ[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/20
  • ・電位障壁を有する装置,例. フォトトランジスタ[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/21
  • ・・赤外線,可視光または紫外線の輻射に感応する装置[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/22
  • ・・・1つのみの電位障壁を有する装置,例.フォトダイオード[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/221
  • ・・・・電位障壁がPNホモ接合であるもの[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/222
  • ・・・・電位障壁がPNヘテロ接合であるもの[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/223
  • ・・・・電位障壁がPIN障壁であるもの[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/225
  • ・・・・電位障壁がアバランシェモードで動作するもの,例.アバランシェフォトダイオード[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/227
  • ・・・・電位障壁がショットキー障壁であるもの[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/24
  • ・・・2つのみの電位障壁を有する装置,例.バイポーラフォトトランジスタ[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/26
  • ・・・3つ以上の電位障壁を有する装置,例.フォトサイリスタ[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/28
  • ・・・電界効果作用に特徴のある装置,例.接合型電界効果フォトトランジスタ[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/282
  • ・・・・絶縁ゲート電界効果トランジスタ[IGFET],例.MISFET[金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ]フォトトランジスタ[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/29
  • ・・超短波の輻射線,例.X線,ガンマ線または粒子線,に感応する装置[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/292
  • ・・・バルク効果輻射線検出器,例.Ge-Li補償PINガンマ線検出器[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/295
  • ・・・表面障壁または浅いPN接合の輻射線検出器,例.表面障壁アルファ粒子検出器[2025.01] HB CC 5F149
  • H10F30/298
  • ・・・電界効果作用に特徴のある装置,例.MIS型検出器[2025.01] HB CC 5F149
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