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HB:ハンドブック | ||||
CC:コンコーダンス |
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個々の輻射線感応半導体装置であって,輻射線が装置を通る電流の流れを制御するもの,例.光検出器[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・電位障壁を有さず,赤外線,可視光または紫外線の輻射に感応する装置,例.フォトレジスタ[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・電位障壁を有する装置,例. フォトトランジスタ[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・赤外線,可視光または紫外線の輻射に感応する装置[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・・1つのみの電位障壁を有する装置,例.フォトダイオード[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・・・電位障壁がPNホモ接合であるもの[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・・・電位障壁がPNヘテロ接合であるもの[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・・・電位障壁がPIN障壁であるもの[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・・・電位障壁がアバランシェモードで動作するもの,例.アバランシェフォトダイオード[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・・・電位障壁がショットキー障壁であるもの[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・・2つのみの電位障壁を有する装置,例.バイポーラフォトトランジスタ[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・・3つ以上の電位障壁を有する装置,例.フォトサイリスタ[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・・電界効果作用に特徴のある装置,例.接合型電界効果フォトトランジスタ[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・・・絶縁ゲート電界効果トランジスタ[IGFET],例.MISFET[金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ]フォトトランジスタ[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・超短波の輻射線,例.X線,ガンマ線または粒子線,に感応する装置[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・・バルク効果輻射線検出器,例.Ge-Li補償PINガンマ線検出器[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・・表面障壁または浅いPN接合の輻射線検出器,例.表面障壁アルファ粒子検出器[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |
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・・・電界効果作用に特徴のある装置,例.MIS型検出器[2025.01] | HB | CC | 5F149 | |