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FI(一覧表示)

  • H10D86/00
    		•  絶縁性または導電性基板内または上に形成される集積装置，例．ＳＯＩ基板内，またはステンレスもしくはガラス基板上に形成されるもの［２０２５．０１］
    		HB CC 5F110
  • H10D86/01
    		•  ・製造または処理［２０２５．０１］ HB CC 5F110
  • H10D86/01,101
    		•  ・・アクティブマトリクスのパターニングに特徴のあるもの HB CC 5F110
  • H10D86/03
    		•  ・・基板がサファイアからなるもの，例．ＳＯＳ［２０２５．０１］ HB CC 5F110
  • H10D86/40
    		•  ・複数の薄膜トランジスタに特徴のあるもの［２０２５．０１］ HB CC 5F110
  • H10D86/40,101
    		•  ・・ＭＯＳＩＣに用いられるもの HB CC 5F110
  • H10D86/40,101@A
    		•  ＣＭＯＳ HB CC 5F110
  • H10D86/40,101@B
    		•  メモリ HB CC 5F110
  • H10D86/40,101@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F110
  • H10D86/40,102
    		•  ・・回路構成に特徴のあるもの，例．アクティブマトリクス回路自体 HB CC 5F110
  • H10D86/60
    		•  ・・複数の薄膜トランジスタがアクティブマトリクス中に存在するもの［２０２５．０１］ HB CC 5F110
  • H10D86/60@A
    		•  素子または配線の欠陥の防止または修正 HB CC 5F110
  • H10D86/60@B
    		•  周辺回路と一体に形成されたもの HB CC 5F110
  • H10D86/60@C
    		•  配線に特徴のあるもの HB CC 5F110
  • H10D86/60@Z
    		•  その他のもの HB CC 5F110
  • H10D86/80
    		•  ・複数の受動構成部品，例．抵抗器，キャパシタまたはインダクタ，に特徴のあるもの［２０２５．０１］ HB CC 5F081
  • H10D86/85
    		•  ・・受動構成部品のみに特徴のあるもの［２０２５．０１］ HB CC 5F081
  • H10D86/85,101
    		•  ・・・厚膜回路 HB CC 5F081
  • H10D86/85,102
    		•  ・・・薄膜回路 HB CC 5F081
  • H10D86/85,103
    		•  ・・・厚膜トリミング；薄膜トリミング HB CC 5F081
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