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FI(一覧表示)

  • H10D64/00
    		•  電位障壁を有する装置の電極［２０２５．０１］ HB CC 4M104
  • H10D64/01
    		•  ・製造または処理［２０２５．０１］ HB CC 4M104
  • H10D64/01@A
    		•  前処理に関するもの HB CC 4M104
  • H10D64/01@B
    		•  後処理に関するもの HB CC 4M104
  • H10D64/01@C
    		•  試験または検査に関するもの HB CC 4M104
  • H10D64/01@D
    		•  露光処理に特徴を有するもの HB CC 4M104
  • H10D64/01@E
    		•  エッチング，リフトオフまたは研磨によるもの HB CC 4M104
  • H10D64/01@K
    		•  部分的変質法によるもの HB CC 4M104
  • H10D64/01@L
    		•  電極取出用の孔開に関するもの HB CC 4M104
  • H10D64/01@M
    		•  導電層の形成に関するもの HB CC 4M104
  • H10D64/01@S
    		•  絶縁層の形成に関するもの HB CC 4M104
  • H10D64/01@Z
    		•  その他のもの HB CC 4M104
  • H10D64/20
    		•  ・形状，相対的な大きさまたは配置に特徴のある電極［２０２５．０１］ HB CC 4M104
  • H10D64/20@F
    		•  フィールドプレート HB CC 4M104
  • H10D64/20@Z
    		•  その他のもの HB CC 4M104
  • H10D64/23
    		•  ・・整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流す電極，例．ソース，ドレイン，アノードまたはカソード［２０２５．０１］ HB CC 4M104
  • H10D64/23@D
    		•  ダイオード用のもの HB CC 4M104
  • H10D64/23@B
    		•  バイポーラトランジスタ用のもの HB CC 4M104
  • H10D64/23@M
    		•  ＭＩＳまたはＭＯＳトランジスタ用のもの HB CC 4M104
  • H10D64/23@J
    		•  接合型またはＭＥＳ型用のもの HB CC 4M104
  • H10D64/23@Z
    		•  その他のもの HB CC 4M104
  • H10D64/27
    		•  ・・整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流さない電極，例．ゲート［２０２５．０１］ HB CC 4M104
  • H10D64/27@G
    		•  ＭＩＳまたはＭＯＳゲート用のもの HB CC 4M104
  • H10D64/27@Z
    		•  その他のもの HB CC 4M104
  • H10D64/60
    		•  ・材料に特徴のある電極［２０２５．０１］ HB CC 4M104
  • H10D64/62
    		•  ・・半導体とオーミック接続された電極［２０２５．０１］ HB CC 4M104
  • H10D64/62@A
    		•  シリコンを用いているもの HB CC 4M104
  • H10D64/62@D
    		•  ・シリコン電極上にシリサイドが形成されているもの HB CC 4M104
  • H10D64/62@R
    		•  金属または金属化合物を用いているもの HB CC 4M104
  • H10D64/62@S
    		•  シリサイドを用いているもの HB CC 4M104
  • H10D64/62@B
    		•  半導体本体がシリコン以外のもの HB CC 4M104
  • H10D64/62@Z
    		•  その他のもの HB CC 4M104
  • H10D64/64
    		•  ・・半導体に対するショットキー障壁を備える電極［２０２５．０１］ HB CC 4M104
  • H10D64/64@A
    		•  シリコンを用いているもの HB CC 4M104
  • H10D64/64@D
    		•  ・シリコン電極上にシリサイドが形成されているもの HB CC 4M104
  • H10D64/64@R
    		•  金属または金属化合物を用いているもの HB CC 4M104
  • H10D64/64@S
    		•  シリサイドを用いているもの HB CC 4M104
  • H10D64/64@B
    		•  半導体本体がシリコン以外のもの HB CC 4M104
  • H10D64/64@Z
    		•  その他のもの HB CC 4M104
  • H10D64/66
    		•  ・・絶縁体を介して半導体と容量結合された導体を有する電極，例．ＭＩＳ電極［２０２５．０１］ HB CC 4M104
  • H10D64/66@A
    		•  シリコンを用いているもの HB CC 4M104
  • H10D64/66@D
    		•  ・シリコン電極上にシリサイドが形成されているもの HB CC 4M104
  • H10D64/66@R
    		•  金属または金属化合物を用いているもの HB CC 4M104
  • H10D64/66@S
    		•  シリサイドを用いているもの HB CC 4M104
  • H10D64/66@B
    		•  半導体本体がシリコン以外のもの HB CC 4M104
  • H10D64/66@Z
    		•  その他のもの HB CC 4M104
  • H10D64/68
    		•  ・・・絶縁体，例．ゲート絶縁体，に特徴のあるもの［２０２５．０１］ HB CC 4M104
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