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このページは、メイングループH10W10/00内の「IPC」を全て表示しています。 |
CC:コンコーダンス |
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| 集積装置の構成部品間における半導体本体内の分離領域［２０２６．０１］ | CC | ||
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| ・誘電材料を含む分離領域［２０２６．０１］ | CC | ||
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| ・・シリコンの局所酸化［ＬＯＣＯＳ］により形成されるもの，例．封止界面局所酸化［ＳＩＬＯ］または側壁マスク分離［ＳＷＡＭＩ］［２０２６．０１］ | CC | ||
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| ・・誘電材料を用いたトレンチ再充填により形成されるもの，例．シャロートレンチ分離［２０２６．０１］ | CC | ||
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| ・エアギャップ［２０２６．０１］ | CC | ||
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| ・ＰＮ接合を含む分離領域［２０２６．０１］ | CC | ||
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| ・多結晶半導体材料を含む分離領域［２０２６．０１］ | CC | ||
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| ・電界効果に基づく分離領域［２０２６．０１］ | CC |