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CC:コンコーダンス |
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| 赤外線，可視光，短波長の電磁波，または粒子線輻射に感応する半導体装置で，これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの；それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置；それらの細部（Ｈ１０Ｋ３０／００が優先；１つ以上の電気光源を有する輻射線感応構成部品の組合せ以外で，１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品から成る装置Ｈ０１Ｌ２７／００）［２００６．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・細部［２］ | CC | ||
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| ・・容器；封緘（光起電装置のためＨ０１Ｌ３１／０４８；有機感光装置のためＨ１０Ｋ３０／８８）［２０１４．０１］ | 定義 | ||
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| ・・被覆（Ｈ０１Ｌ３１／０４１が優先）［５，２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・電極［５］ | CC | ||
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| ・・装置と結合した光学素子または光学装置（Ｈ０１Ｌ３１／０２３６が優先；光起電素子のためＨ０１Ｌ３１／０５４；光起電モジュールのためＨ０２Ｓ４０／２０）［５，２０１４．０１］ | CC | ||
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| ・・特別の表面構造［５］ | CC | ||
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| ・・冷却，加熱，換気または温度補償のための装置（光起電装置のためＨ０１Ｌ３１／０５２）［５，２０１４．０１］ | |||
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| ・半導体本体に特徴のあるもの［５］ | CC | ||
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| ・・材料に特徴のあるもの［５］ | CC | ||
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| ・・・無機物材料［５］ | |||
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| ・・・・セレンまたはテルル［５］ | |||
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| ・・・・ドーピング材料または他の不純物は別として，周期表の第ＩＶ族の元素のみを含むもの［２００６．０１］ | |||
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| ・・・・・ドーピング材料に特徴のあるもの［５］ | |||
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| ・・・・ドーピング材料または他の不純物は別として，Ａ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ↓Ｉ化合物，例．ＣｄＳ，ＺｎＳ，ＨｇＣｄＴｅ，のみを含むもの［５］ | |||
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| ・・・・ドーピング材料または他の不純物は別として，Ａ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ化合物のみを含むもの［５］ | |||
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| ・・・・ドーピング材料または他の不純物は別として，Ａ↓Ｉ↓ＶＢ↓Ｉ↓Ｖ化合物，例．ＳｉＣ，のみを含むもの［５］ | |||
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| ・・・・ドーピング材料または他の不純物は別として，グループＨ０１Ｌ３１／０２７２～Ｈ０１Ｌ３１／０３１２に分類されない化合物のみを含むもの［５］ | |||
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| ・・・・ドーピング材料または他の不純物は別として，グループＨ０１Ｌ３１／０２７２～Ｈ０１Ｌ３１／０３２の２つ以上に分類される半導体材料を含むもの［５］ | |||
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| ・・・・・異なる半導体領域におけるもの，例．Ｃｕ↓２Ｘ／ＣｄＸヘテロ接合，Ｘは周期表の第ＶＩ族の元素である［２００６．０１］ | |||
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| ・・半導体本体の形状にまたは半導体領域の形状，相対的大きさまたは配列に特徴のあるもの［５］ | CC | ||
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| ・・それらの結晶構造または結晶面の特定の方向に特徴のあるもの［５］ | CC | ||
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| ・・・多結晶の半導体を含むもの（Ｈ０１Ｌ３１／０３９２が優先）［５］ | |||
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| ・・・アモルファス半導体を含むもの（Ｈ０１Ｌ３１／０３９２が優先）［５］ | |||
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| ・・・他の非単結晶材料を含むもの，例．絶縁材料に埋め込まれた半導体粒子（Ｈ０１Ｌ３１／０３９２が優先）［５］ | |||
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| ・・・金属または絶縁基板に堆積させた薄膜を含むもの［５］ | CC | ||
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| ・光起電［ＰＶ］変換装置として使用されるもの（製造中の試験Ｈ０１Ｌ２１／６６；製造後の試験Ｈ０２Ｓ５０／１０）［２，２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・粒子線輻射により引き起こされる損傷を防止するための対策，例．宇宙応用のため［２０１４．０１］ | CC | ||
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| ・・ＰＶモジュールまたは１つ１つのＰＶ素子のアレイ（ＰＶモジュールの支持構造Ｈ０２Ｓ２０／００）［５，２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・機械的に積み重ねられたＰＶ素子［２０１４．０１］ | CC | ||
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| ・・・バイパスダイオードを含むもの（接続箱の中のバイパスダイオードＨ０２Ｓ４０／３４）［２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・装置と一体化または直接結合したバイパスダイオード，例．光起電素子と同じ基板内または上に一体化または形成されたバイパスダイオード，を備えるもの［２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・薄膜太陽電池，例．１つの薄膜ａ－Ｓｉ，ＣＩＳまたはＣｄＴｅ太陽電池，を含むもの［２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・同じ基板上に堆積された複数の薄膜太陽電池により構成されたＰＶモジュール［２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・・モジュール内でＰＶ素子を接続するためのパターニング方法に特徴があるもの，例．導電層または活性層のレーザーによる切断［２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・・モジュール内の隣接するＰＶ素子の電気的相互接続のための特定の構造，を備えるもの（Ｈ０１Ｌ３１／０４６３が優先）［２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・・モジュールを通して光を部分的に透過させるための特定の手段，例．窓用の部分的に透明な薄膜太陽モジュール，を備えるもの［２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・半導体基板内に形成された複数の垂直接合または複数のＶグルーブ接合を有するＰＶ素子のアレイ［２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・１つの半導体基板上に平面に，例．周期的に，形成されたＰＶ素子のアレイ；ＰＶ素子のマイクロアレイ（同じ基板上に堆積された複数の薄膜太陽電池により構成されたＰＶモジュールＨ０１Ｌ３１／０４６）［２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・モジュールの封緘［５，２０１４．０１］ | CC | ||
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| ・・・・保護バックシート［２０１４．０１］ | CC | ||
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| ・・・ＰＶモジュール内のＰＶ素子間の電気的相互接続手段，例．ＰＶ素子の直列接続（電極Ｈ０１Ｌ３１／０２２４；１つの共通基板上に形成された薄膜太陽電池の電気的相互接続Ｈ０１Ｌ３１／０４６；モジュール内の隣接する薄膜太陽電池の電気的相互接続のための特定の構造Ｈ０１Ｌ３１／０４６５；２以上のＰＶモジュール間の電気的接続に特に適合した電気的相互接続手段Ｈ０２Ｓ４０／３６）［５，２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化した冷却手段，例．強制冷却のための一体化されたペルチェ素子またはＰＶ素子と直接結合したヒートシンク（ＰＶモジュールと結合した冷却手段Ｈ０２Ｓ４０／４２）［５，２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・ＰＶ素子と直接結合した熱エネルギーを利用する手段を含むもの，例．一体化されたゼーベック素子［２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化したエネルギー蓄積手段，例．ＰＶ素子と一体化したコンデンサー（ＰＶモジュールと結合したエネルギー蓄積手段Ｈ０２Ｓ４０／３８）［２０１４．０１］ | CC | ||
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| ・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化した光学素子，例．光反射手段または集光手段［２０１４．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・ＰＶ素子と直接結合したまたは一体化した光学素子により，例．ルミネッセント材料，蛍光性集光器またはアップコンバージョン装置を用いることにより，光が吸収され，かつ異なる波長で再放射されるもの［５，２０１４．０１］ | CC | ||
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| ・・・背面反射器［ＢＳＲ］タイプである光反射手段［２０１４．０１］ | CC | ||
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| ・・電位障壁に特徴のあるもの［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・電位障壁が点接触型であるもの（Ｈ０１Ｌ３１／０７が優先）［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・電位障壁が金属―絶縁体―半導体型のみからなるもの［５，２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・電位障壁がこう配ギャップのみからなるもの［５，２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・電位障壁がＰＮホモ接合型のみからなるもの，例．バルクシリコンＰＮホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンＰＮホモ接合太陽電池［５，２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・多接合またはタンデムの太陽電池［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・ドーピング材料または他の不純物は別として，ＡＩＩＩＢＶ化合物のみを含む装置，例．ＧａＡｓまたはＩｎＰ太陽電池［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・電位障壁がショットキー型のみからなるもの［５，２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・電位障壁がＰＮヘテロ接合型のみからなるもの［５，２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・多接合またはタンデムの太陽電池［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・ＡＩＩＢＶＩ化合物半導体のみからなる，例．ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・ＡＩＩＩＢＶ化合物半導体のみからなる，例．ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓまたはＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓ太陽電池［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・周期表の第ＩＶ族の元素とのヘテロ接合からなる，例．ＩＴＯ／Ｓｉ，ＧａＡｓ／ＳｉまたはＣｄＴｅ／Ｓｉ太陽電池［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・ＡＩＶＢＩＶヘテロ接合からなる，例．Ｓｉ／Ｇｅ，ＳｉＧｅ／ＳｉまたはＳｉ／ＳｉＣ太陽電池［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・・結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる，例．薄い真性層を備えたヘテロ接合［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・ＡＩＢＩＩＩＣＶＩ化合物を含む，例．ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２ ［ＣＩＳ］ヘテロ接合太陽電池［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・電位障壁がＰＩＮ型のみからなるもの，例．ＰＩＮアモルファスシリコン太陽電池［５，２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・多接合またはタンデムの太陽電池［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・単結晶または多結晶材料からなる装置［２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・グループＨ０１Ｌ３１／０６１からＨ０１Ｌ３１／０７５の２つ以上に分類される異なる種類の電位障壁を含むもの［５，２０１２．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの，例．光―抵抗器（フォト―レジスター）［２］ | CC | ||
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| ・・赤外線，可視光線または紫外線の放射に感応する装置（Ｈ０１Ｌ３１／１０１が優先）［５］ | |||
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| ・・電位障壁に特徴のあるもの，例．フォトトランジスタ［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・赤外線，可視光線または紫外線の放射に感応する装置［５］ | |||
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| ・・・・唯一の電位障壁に特徴のあるもの［２００６．０１］ | |||
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| ・・・・・電位障壁がＰＮホモ接合型からなるもの［５］ | |||
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| ・・・・・電位障壁がＰＩＮ型からなるもの［５］ | |||
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| ・・・・・電位障壁がアバランシェモードで作用するもの，例．アバランシェフォトダイオード［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・・・電位障壁がショットキー型であるもの［５］ | CC | ||
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| ・・・・・電位障壁がＰＮヘテロ接合型であるもの［５］ | |||
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| ・・・・２つの電位障壁に特徴のあるもの，例．バイポーラフォトトランジスタ［２００６．０１］ | |||
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| ・・・・すくなくとも３つの電位障壁に特徴のあるもの，例．フォトサイリスタ［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・・電界効果作用に特徴のあるもの，例．接合型電界効果フォトランジスタ［５］ | |||
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| ・・・・・導体―絶縁体―半導体型であるもの，例．金属―絶縁体―半導体電界効果トランジスタ［５］ | |||
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| ・・・超短波，例．Ｘ線，ガンマ線または粒子放射，に感応する装置［５］ | |||
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| ・・・・バルク効果放射検知器型のもの，例．ゲルマニウム―リチウム補償ＰＩＮガンマ線検知器［５］ | |||
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| ・・・・表面障壁または薄いＰＮ接合検知器型のもの，例．表面障壁アルファ粒子検知器［５］ | |||
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| ・・・・電界効果作用に特徴のあるもの，例．ＭＩＳ型検知器［５］ | |||
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| ・１つ以上の電気光源，例．エレクトロルミネッセンス光源，と構造的に結合されたもの，例．１つの共通基板内または上に形成されたもの，およびその電気光源と電気的または光学的に結合されたもの（エレクトロルミネッセンス光源それ自体Ｈ０５Ｂ３３／００）［２，５］ | 定義 | CC | |
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| ・・輻射線に感応する半導体装置によって制御される光源，例．像変換器，像増幅器または像蓄積装置［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・光源および放射に感応する装置すべてが電位障壁に特徴のある半導体装置であるもの［２００６．０１］ | |||
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| ・・・・１つの共通基板内または上に形成されたもの［５］ | |||
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| ・・光源によって制御される輻射線に感応する半導体装置［２］ | CC | ||
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| ・・・光源および放射に感応する装置すべてが電位障壁に特徴のある半導体装置であるもの［２００６．０１］ | |||
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| ・・・・１つの共通基板内または上に形成されたもの［５］ | |||
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| ・これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置［２］ | 定義 | CC | |
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| ・・このような装置またはそれらの部品がアモルファス半導体材料からなるもの［５］ |