IPC(一覧表示)

H01L29/00	整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり，電位障壁を有するもの；電位障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（Ｈ０１Ｌ３１／００～Ｈ０１Ｌ３３／００，Ｈ１０Ｋ１０／００，Ｈ１０Ｎが優先；半導体本体または電極以外の細部Ｈ０１Ｌ２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置Ｈ０１Ｌ２７／００［２００６．０１］	(注)/(索引)	定義	CC
H01L29/02	・半導体本体［２］			CC
H01L29/04	・・半導体本体の結晶構造，例．多結晶，立方晶系または特定な結晶面の方向，に特徴のあるもの（物理的不完全性に特徴のあるものＨ０１Ｌ２９／３０）［２］			CC
H01L29/06	・・半導体本体の形状に特徴のあるもの；半導体領域の形状，相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの［２］			CC
H01L29/08	・・・整流，増幅，またはスイッチされる電流を流す電極が接続されている半導体領域をもつものであって，その電極が３つ以上の電極を持つ半導体装置の部分であるもの［２］			CC
H01L29/10	・・・整流，増幅，またはスイッチされる電流を流さない電極が接続されている半導体領域をもつものであって，その電極が３つ以上の電極を持つ半導体装置の部分であるもの［２］			CC
H01L29/12	・・構成材料に特徴のあるもの［２］		定義	CC
H01L29/15	・・・周期的または準周期的なポテンシャル変化を持つ構造，例．多重量子井戸，超格子（光の制御に応用する構造Ｇ０２Ｆ１／０１７，半導体レーザに応用する構造Ｈ０１Ｓ５／３４）［６］	(注)/(索引)		CC
H01L29/16	・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，非結合型周期表の第ＩＶ族の元素のみを含むもの［２００６．０１］			CC
H01L29/161	・・・・２９／１６に分類されている元素のうち２つ以上を含むもの［２］			CC
H01L29/165	・・・・・異なった半導体領域にあるもの［２］			CC
H01L29/167	・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの［２］			CC
H01L29/18	・・・ドーピング材料または他の不純物は別にしてＳｅまたはＴｅのみを含むもの［２］			CC
H01L29/20	・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，Ａ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ化合物のみを含むもの［２，６］			CC
H01L29/201	・・・・２つ以上の化合物を含むもの［２］			CC
H01L29/205	・・・・・異なった半導体領域にあるもの［２］			CC
H01L29/207	・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの［２］			CC
H01L29/22	・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，Ａ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ↓Ｉ化合物のみを含むもの［２］			CC
H01L29/221	・・・・２つ以上の化合物を含むもの［２］			CC
H01L29/225	・・・・・異なった半導体領域にあるもの［２］			CC
H01L29/227	・・・・さらにドーピング材料にも特徴のあるもの［２］			CC
H01L29/24	・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，Ｈ０１Ｌ２９／１６，Ｈ０１Ｌ２９／１８，Ｈ０１Ｌ２９／２０またはＨ０１Ｌ２９／２２に分類されない無機半導体材料のみを含むもの［２］			CC
H01L29/26	・・・ドーピング材料または他の不純物は別にして，Ｈ０１Ｌ２９／１６，Ｈ０１Ｌ２９／１８，Ｈ０１Ｌ２９／２０，Ｈ０１Ｌ２９／２２，Ｈ０１Ｌ２９／２４のグループの２つ以上に分類されている元素を含むもの［２］			CC
H01L29/267	・・・・異なった半導体領域にあるもの［２］			CC
H01L29/30	・・物理的不完全性に特徴のあるもの；研磨された表面又はあらされた表面を持つもの［２］			CC
H01L29/32	・・・不完全性が半導体本体の内部にあるもの［２］			CC
H01L29/34	・・・不完全性が表面にあるもの［２］			CC
H01L29/36	・・不純物の濃度又は分布に特徴のあるもの［２］			CC
H01L29/38	・・Ｈ０１Ｌ２９／０４，Ｈ０１Ｌ２９／０６，Ｈ０１Ｌ２９／１２，Ｈ０１Ｌ２９／３０，Ｈ０１Ｌ２９／３６のグループのうち２つ以上に分類されている特徴の結合に特徴のあるもの［２］			CC
H01L29/40	・電極［２］			CC
H01L29/41	・・その形状，相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの［６］			CC
H01L29/417	・・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流すもの［６］			CC
H01L29/423	・・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流さないもの［６］			CC
H01L29/43	・・構成材料に特徴のあるもの［６］			CC
H01L29/45	・・・オーミック電極［６］			CC
H01L29/47	・・・ショットキー障壁電極［６］			CC
H01L29/49	・・・金属－絶縁半導体電極［６］			CC
H01L29/51	・・・・それと結合する絶縁材料［６］
H01L29/66	・半導体装置の型［２］			CC
H01L29/68	・・整流，増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの（Ｈ０１Ｌ２９／９６が優先）［２］			CC
H01L29/70	・・・バイポーラ装置［２］			CC
H01L29/72	・・・・トランジスタ型装置，すなわち，供給される制御信号に連続的に応答できるもの［２］
H01L29/73	・・・・・バイポーラ接合トランジスタ［５］			CC
H01L29/732	・・・・・・縦型トランジスタ［６］			CC
H01L29/735	・・・・・・横型（ラテラル）トランジスタ［６］
H01L29/737	・・・・・・ヘテロ接合トランジスタ［６］			CC
H01L29/739	・・・・・電界効果により制御されるもの［６］			CC
H01L29/74	・・・・サイリスタ型装置，例．４層再生作用をもつもの［２］			CC
H01L29/744	・・・・・ゲートターンオフサイリスタ［６］			CC
H01L29/745	・・・・・・電界効果によりターンオフするもの［６］
H01L29/747	・・・・・双方向サイリスタ，例．トライアック［２］			CC
H01L29/749	・・・・・電界効果によりターンオンするもの［６］			CC
H01L29/76	・・・ユニポーラ装置［２］			CC
H01L29/762	・・・・電荷転送装置［６］			CC
H01L29/765	・・・・・電荷結合装置［６］
H01L29/768	・・・・・・絶縁ゲートにより生ずる電界効果をもつもの［６］
H01L29/772	・・・・電界効果トランジスタ［６］			CC
H01L29/775	・・・・・一次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの，例．量子線ＦＥＴ［６］
H01L29/778	・・・・・二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの，例．ＨＥＭＴ［６］			CC
H01L29/78	・・・・・絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの［２］			CC
H01L29/786	・・・・・・薄膜トランジスタ［６］			CC
H01L29/788	・・・・・・浮遊ゲートを有するもの［５］			CC
H01L29/792	・・・・・・電荷トラッピングゲート絶縁体，例．ＭＮＯＳメモリトランジスタ，を有するもの［５］			CC
H01L29/80	・・・・・ＰＮ接合ゲートまたは他の整流接合ゲートによって生じる電界効果を有するもの［２］			CC
H01L29/808	・・・・・・ＰＮ接合ゲートを有するもの［５］			CC
H01L29/812	・・・・・・ショットキーゲートを有するもの［５］			CC
H01L29/82	・・装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの（Ｈ０１Ｌ２９／９６が優先）［２，６］			CC
H01L29/84	・・外からの機械的力，例．圧力，の変化によって制御可能なもの（Ｈ０１Ｌ２９／９６が優先）［２，６］			CC
H01L29/86	・・整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流す１つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの（Ｈ０１Ｌ２９／９６が優先）［２］			CC
H01L29/8605	・・・ＰＮ接合をもつ抵抗器［６］
H01L29/861	・・・ダイオード［６］			CC
H01L29/862	・・・・点接触ダイオード［６］
H01L29/864	・・・・トランジットタイムダイオード，例．ＩＭＰＡＴＴ，ＴＲＡＰＡＴＴダイオード［６］			CC
H01L29/866	・・・・ツェナーダイオード［６］			CC
H01L29/868	・・・・ＰＩＮダイオード［６］			CC
H01L29/87	・・・・サイリスタダイオード，例．ショックレーダイオード，ブレイクオーバーダイオード［６］			CC
H01L29/872	・・・・ショットキーダイオード［６］			CC
H01L29/88	・・・・トンネル効果ダイオード［２］			CC
H01L29/885	・・・・・エサキダイオード［６］
H01L29/92	・・・電位障壁を有するコンデンサ［２００６．０１］			CC
H01L29/93	・・・・可変容量ダイオード，例．バラクタ［２］			CC
H01L29/94	・・・・金属―絶縁体―半導体，例．ＭＯＳ［２］			CC
H01L29/96	・・Ｈ０１Ｌ２９／６８，Ｈ０１Ｌ２９／８２，Ｈ０１Ｌ２９／８４，またはＨ０１Ｌ２９／８６のグループの２つ以上に包含される型のもの［２］			CC