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CC:コンコーダンス |
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| 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置［２００６．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・半導体装置またはその部品の製造または処理［２，８］ | CC | ||
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| ・・その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので，グループＨ０１Ｌ２１／１８またはＨ０１Ｌ２１／３４に分類されないもの［５］ | CC | ||
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| ・・・無機物層からなるもの［５］ | |||
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| ・・電位障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない周期表第ＩＶ族の元素またはＡ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ化合物から成る半導体本体を有する装置［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・・基板上への半導体材料の析出，例．エピタキシャル成長［２］ | CC | ||
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| ・・・・・物理的析出を用いるもの，例．真空蒸着，スパッタリング［２］ | CC | ||
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| ・・・・・固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの，すなわち化学的析出を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・・液相成長を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料，例．ドーピング材料，電極材料，の拡散；不純物材料の再分布，例．さらなるドーパントの導入または除去をしないもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・・気相から固体へのまたは固体から気相への拡散を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・・固相，例．ドープされた酸化物層，から固体へのまたは固体から固相への拡散を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・・液相から固体へのまたは固体から液相への拡散を用いるもの，例．合金拡散法［２］ | CC | ||
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| ・・・・半導体本体と不純物材料，例．ドーピング材料，電極材料，の合金［２］ | CC | ||
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| ・・・・波または粒子の輻射線の照射［２］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・・元素を変換する核反応を引き起こすため［６］ | CC | ||
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| ・・・・・高エネルギーの輻射線を有するもの（Ｈ０１Ｌ２１／２６１が優先）［２，６］ | CC | ||
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| ・・・・・・イオン注入法［２］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・・・・マスクを用いるもの［５］ | CC | ||
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| ・・・・・・電磁波，例．レーザ光線，を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・グループＨ０１Ｌ２１／２０～Ｈ０１Ｌ２１／２６８に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造［２０２５．０１］ | CC | ||
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| ・・・・・電極用の導電または絶縁材料の析出［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・気体または蒸気からの析出，例．凝結［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・液体からの析出，例．電解液からの析出［２］ | CC | ||
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| ・・・・Ｈ０１Ｌ２１／２０～Ｈ０１Ｌ２１／２６に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理（半導体本体上への電極の製造Ｈ０１Ｌ２１／２８，Ｈ１０Ｄ６４／０１）［２］ | CC | ||
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| ・・・・・半導体本体を別個の部品に細分割するため，例．分離する（切断Ｈ０１Ｌ２１／３０４）［６］ | CC | ||
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| ・・・・・表面の物理的性質または形状を変換するため，例．エッチング，ポリシング，切断［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・機械的処理，例．研摩，ポリシング，切断［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・化学的または電気的処理，例．電解エッチング（絶縁層の形成Ｈ０１Ｌ２１／３１；絶縁層の後処理Ｈ０１Ｌ２１／３１０５）［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・・電解エッチング［６］ | CC | ||
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| ・・・・・・・プラズマエッチング；反応性イオンエッチング［６］ | CC | ||
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| ・・・・・・・マスクを用いるもの（Ｈ０１Ｌ２１／３０６３，Ｈ０１Ｌ２１／３０６５が優先）［２，６］ | CC | ||
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| ・・・・・半導体本体上への絶縁層の形成，例．マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの（封緘層Ｈ０１Ｌ２１／５６）；これらの層の後処理；これらの層のための材料の選択［２００６．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・・・後処理［５］ | |||
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| ・・・・・・・絶縁層のエッチング［５］ | |||
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| ・・・・・・・絶縁層のドーピング［５］ | |||
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| ・・・・・・有機物層，例．フォトレジスト（Ｈ０１Ｌ２１／３１０５，Ｈ０１Ｌ２１／３２が優先）［２，５］ | CC | ||
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| ・・・・・・無機物層（Ｈ０１Ｌ２１／３１０５，Ｈ０１Ｌ２１／３２が優先）［２，５］ | CC | ||
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| ・・・・・・・酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・・窒化物からなるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・マスクを用いるもの［２，５］ | CC | ||
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| ・・・・・・絶縁層へ非絶縁層，例．導電層または抵抗層，の付着；これらの層の後処理（電極の製造Ｈ０１Ｌ２１／２８，Ｈ１０Ｄ６４／０１）［５］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・・・・後処理［５］ | CC | ||
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| ・・・・・・・・層の物理的または化学的エッチング，例．プレデポジションした広い層からパターニング層を生ずるため［６］ | CC | ||
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| ・・・・・・・・層のドーピング［５］ | |||
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| ・・・・・半導体本体の内部性質の改変，例．内部不完全性の形成［２］ | CC | ||
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| ・・・・・半導体本体の性質を改変するための熱処理，例．アニーリング，シンタリング（Ｈ０１Ｌ２１／２０～Ｈ０１Ｌ２１／２８８，Ｈ０１Ｌ２１／３０２～Ｈ０１Ｌ２１／３２２が優先）［２］ | CC | ||
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| ・・・・・電流または電界の付加，例．エレクトロフォーミング用（Ｈ０１Ｌ２１／２０～Ｈ０１Ｌ２１／２８８，Ｈ０１Ｌ２１／３０２～Ｈ０１Ｌ２１／３２４が優先）［２］ | CC | ||
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| ・・・不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない，グループＨ１０Ｄ４８／０４，Ｈ１０Ｄ４８／０７およびＨ０１Ｌ２１／１８に分類されない半導体本体を有する装置［２０２５．０１］ | CC | ||
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| ・・・・基板上への半導体材料の析出，例．エピタキシャル成長［２］ | CC | ||
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| ・・・・・物理的析出を用いるもの，例．真空蒸着，スパッタリング［２］ | CC | ||
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| ・・・・・固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの，すなわち化学的析出を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・・液相成長を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料，例．ドーピング材料，電極材料，の拡散［２］ | CC | ||
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| ・・・・・気相から固体へのまたは固体から気相への拡散を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・・固相，例．ドープされた酸化物層，から固体へのまたは固体から固相への拡散を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・・液相から固体へのまたは固体から液相への拡散を用いるもの，例．合金拡散法［２］ | CC | ||
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| ・・・・半導体本体と不純物材料，例．ドーピング材料，電極材料，の合金［２］ | CC | ||
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| ・・・・輻射線の照射［２］ | CC | ||
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| ・・・・・高エネルギーの輻射線を有するもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・イオン注入法［２］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・・・・マスクを用いるもの［５］ | |||
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| ・・・・・・電磁波，例．レーザ光線，を用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・グループＨ０１Ｌ２１／３６～Ｈ０１Ｌ２１／４２８に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造［２０２５．０１］ | CC | ||
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| ・・・・・電極用の導電または絶縁材料の析出［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・気体または蒸気からの析出，例．凝結［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・液体からの析出，例．電解液からの析出［２］ | CC | ||
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| ・・・・・圧力の適用を含むもの，例．熱圧着法（Ｈ０１Ｌ２１／６０７が優先）［２］ | CC | ||
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| ・・・・・機械的振動，例．超音波振動，の適用を含むもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・Ｈ０１Ｌ２１／３６～Ｈ０１Ｌ２１／４２８に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理（半導体本体上への電極の製造Ｈ０１Ｌ２１／４４，Ｈ１０Ｄ６４／０１）［２］ | CC | ||
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| ・・・・・表面の物理的性質または形状の変換，例．エッチング，ポリシング，切断［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・機械的処理，例．研摩，超音波処理［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・化学的または電気的処理，例．電解エッチング（絶縁層の形成Ｈ０１Ｌ２１／４６９）［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・・マスクを用いるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・半導体本体上への絶縁層の形成，例，マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの（封緘層Ｈ０１Ｌ２１／５６）；これらの層の後処理［２００６．０１］ | 定義 | CC | |
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| ・・・・・・・有機物層，例．フォトレジスト（Ｈ０１Ｌ２１／４７５，Ｈ０１Ｌ２１／４７５７が優先）［２，５］ | CC | ||
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| ・・・・・・・無機物層（Ｈ０１Ｌ２１／４７５，Ｈ０１Ｌ２１／４７５７が優先）［２，５］ | CC | ||
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| ・・・・・・・・酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの［２］ | CC | ||
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| ・・・・・・・マスクを用いるもの［２，５］ | CC | ||
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| ・・・・・・・後処理［５］ | |||
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| ・・・・・・絶縁層へ非絶縁層，例．導電層，抵抗層，の付着；これらの層の後処理（電極の製造Ｈ０１Ｌ２１／２８，Ｈ１０Ｄ６４／０１）［５］ | |||
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| ・・・・・半導体本体の性質の改変のための熱処理，例．アニーリング，シンタリング（Ｈ０１Ｌ２１／３６～Ｈ０１Ｌ２１／４４９，Ｈ０１Ｌ２１／４６１～Ｈ０１Ｌ２１／４７５が優先）［２］ | CC | ||
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| ・・・・・電流または電界の付加，例．エレクトロフォーミング用（Ｈ０１Ｌ２１／３６～Ｈ０１Ｌ２１／４４９，Ｈ０１Ｌ２１／４６１～Ｈ０１Ｌ２１／４７７が優先）［２］ | CC | ||
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| ・・・装置の組立に先立つ，部品，例．容器，の製造または処理であって，サブグループＨ０１Ｌ２１／１８－Ｈ０１Ｌ２１／３２６またはＨ１０Ｄ４８／０４～Ｈ１０Ｄ４８／０７の一つに分類されない方法を用いるもの［２］ | 定義 | CC | |
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| ・・・サブグループＨ０１Ｌ２１／１８－Ｈ０１Ｌ２１／３２６またはＨ１０Ｄ４８／０４～Ｈ１０Ｄ４８／０７の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立［２］ | CC | ||
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| ・・・・容器中への半導体本体のマウント［２］ | CC | ||
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| ・・・・容器中への充填，例．ガス充填［２］ | CC | ||
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| ・・・・封緘，例．封緘層，被覆［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・・・・支持体上への半導体装置のマウント［２］ | CC | ||
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| ・・・・動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け［２］ | CC | ||
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| ・・・・・圧力の適用を含むもの，例．熱圧着結合（Ｈ０１Ｌ２１／６０７が優先）［２］ | CC | ||
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| ・・・・・機械振動，例．超音波振動，の適用を含むもの［２］ | CC | ||
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| ・・電位障壁を有しない装置［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・半導体装置以外の固体装置またはその部品の製造または処理であって，グループＨ０１Ｌ３１／００～Ｈ０１Ｌ３３／００またはサブクラスＨ１０Ｆ，Ｈ１０Ｈ，Ｈ１０Ｋ，Ｈ１０Ｎに分類されている一つの型の装置に特に適していないもの［２００６．０１］ | CC | ||
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| ・製造または処理中の試験または測定［２］ | 定義 | CC | |
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| ・製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置；半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置［８］ | CC | ||
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| ・・特に適合するキャリアを使用するもの［８］ | CC | ||
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| ・・移送のためのもの，例．異なるワ―クステーション間での移送［８］ | CC | ||
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| ・・位置決め，方向決め，または整列のためのもの［２，８］ | 定義 | CC | |
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| ・・支持または把持のためのもの（位置決め，方向決め，または整列のためのものＨ０１Ｌ２１／６８）［８］ | 定義 | CC | |
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| ・・・機械的手段を使用するもの，例．チャック，クランプ，またはピンチ［８］ | CC | ||
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| ・１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理；集積回路装置またはその特定部品の製造（予め形成された電気的構成部品からなる組立体の製造Ｈ０５Ｋ３／００，Ｈ０５Ｋ１３／００）［２］ | CC | ||
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| ・・グループＨ０１Ｌ２１／７０で限定された装置の特定部品の製造（Ｈ０１Ｌ２１／２８，Ｈ０１Ｌ２１／４４，Ｈ０１Ｌ２１／４８，Ｈ１０Ｄ６４／０１が優先）［６］ | |||
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| ・・・高い不純物濃度の埋込み領域，例．埋込みコレクター層，内部の相互接続，の形成［２］ | CC | ||
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| ・・・構成部品間の分離領域の形成［２］ | CC | ||
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| ・・・・ＰＮ接合［６］ | CC | ||
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| ・・・・誘電体領域［６］ | CC | ||
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| ・・・・多結晶半導体領域［６］ | CC | ||
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| ・・・・空隙［６］ | CC | ||
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| ・・・・電界効果によるもの［６］ | |||
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| ・・・装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの［６］ | CC | ||
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| ・・１つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理（電子記憶装置の製造または処理Ｈ１０Ｂ）［２０１７．０１］ | |||
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| ・・・複数の別個の装置に基板を分割することによるもの（半導体本体の表面の物理的特性または形状を変える切断Ｈ０１Ｌ２１／３０４）［２，６］ | CC | ||
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| ・・１つの共通基板内または上に形成された固体構成部品からなる装置の組立；集積回路装置の組立（Ｈ０１Ｌ２１／５０が優先）［２，５］ | 定義 | CC |