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This page displays all 「IPC」 in main group H01L33/00. |
CC:Concordance |
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| 光の放出に特に適用される電位障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部（Ｈ１０Ｋ５０／００が優先；１つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品からなる装置で，光の放出に特に適用される電位障壁を有する半導体装置を含むものＨ０１Ｌ２７／１５；半導体レーザＨ０１Ｓ５／００）［２０１０．０１］ | Definition | CC | |
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| ・半導体素子本体に特徴のあるもの［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・量子効果を奏する構造または超格子を有するもの，例．トンネル接合［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・・発光領域内にあるもの，例．量子閉じ込め構造，トンネル障壁［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・複数の発光領域を有するもの，例．横方向に不連続な発光層，フォトルミネセント領域が半導体素子本体に集積化されているもの（Ｈ０１Ｌ２７／１５が優先）［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・反射構造を有するもの，例．半導体ブラッグ反射鏡［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・応力緩和構造を有するもの，例．バッファ層［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・電流制御構造を有するもの，例．高濃度ドープ半導体層，電流ブロック構造［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・特定の結晶構造や結晶方位を有するもの，例．多結晶，アモルファス，ポーラス［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・・発光領域内にあるもの［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・特定の形状を有するもの，例．湾曲または面取りされた基板［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・・粗面，凹凸面，例．エピタキシャル層の界面にあるもの［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・・発光領域にあるもの，例．非プレーナー接合［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・発光領域の材料［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・・ＩＩ族およびＶＩ族元素のみを有するもの［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・・ＩＩＩ族およびＶ族元素のみを有するもの［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・・・窒素を含むもの［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・・ＩＶ族元素のみを有するもの［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・電極に特徴があるもの［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・特定の形状［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・材料［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・・透明材料［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・コーティングに特徴があるもの，例．パシベーション層，反射防止コーティング［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・反射コーティング，例．誘電体ブラッグ反射鏡［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・波長変換要素［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・封止［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・・特定の形状を有するもの［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・・材料，例．エポキシ樹脂，シリコン樹脂［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・光の形状を形成する要素［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・・反射要素［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・半導体素子本体へまたは半導体本体から電流を流す部品，例．リードフレーム，ワイヤボンドまたはハンダ［２０１０．０１］ | CC | ||
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| ・・放熱または冷却要素［２０１０．０１］ | CC |