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５Ｂ０１８から分割（Ｈ３）、５Ｌ２０６へ変更（Ｈ２８）
5L106 半導体メモリの信頼性技術 福祉システム　　　　
G11C29/00 -29/00,675@Z
G11C29/00-29/00,675@Z AA AA00
メモリの種類 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA07 AA08 AA09 AA10
・ＤＲＡＭ ・ＳＲＡＭ ・メモリセルの種類 ・・バイポーラ ・・ＣＭＯＳ ・ＲＯＭ ・・切断型 ・・書換え型 ・・・ＥＡＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ
AA11 AA12 AA14 AA15 AA16
・シーケンシャルメモリ ・・シフトレジスタ ・２ポートメモリ、マルチポートメモリ ・多ビット出力メモリ ・１チップマイコン
BB BB00
エラーの検出、訂正 		BB01 BB02 BB03
・エラー検出 ・・パリティ ・・チェックサム
BB11 BB12 BB13 BB14
・エラー訂正 ・・訂正符号（ＥＣＣ） ・・複数パリティ ・・多重化
CC CC00
冗長手段 		CC01 CC02 CC03 CC04 CC05 CC07 CC08 CC09
・不良アドレス設定手段 ・・冗長デコーダ ・・・プリチャージ型 ・・・溶断型 ・・・書換え型 ・・ＲＯＭ ・・・溶断型 ・・・書換え型
CC11 CC12 CC13 CC14 CC16 CC17
・アドレス、経路切換え手法 ・・レーザで溶断 ・・電気的に溶断又は設定 ・・・内部試験回路で不良個所検出 ・ブロック単位で切換えるもの ・行又は列単位を切り換えるもの
CC21 CC22 CC24 CC26
・不良部のアクセス禁止 ・・冗長部能動化信号を用いるもの ・冗長機能の使用検出 ・電源供給の停止又は切換え
CC31 CC32 CC34 CC36 CC37 CC38
・不良部の不使用 ・・アドレス変換を用いるもの ・ＲＯＭの修正、ＲＯＭパッチ ・寿命 ・・使用の均一化 ・・寿命がきたら順次切換えていくもの
DD DD00
試験 		DD01 DD02 DD03 DD04 DD06 DD08
・並列的に試験 ・・分割されたアレイ毎の出力を比較 ・・基準信号と比較 ・・複数同時出力 ・テストデータを並列に書き込むもの ・スキャンパス
DD11 DD12 DD14
・試験モードへの切換え ・・試験個所の特定 ・機密保護と関連するもの
DD21 DD22 DD23 DD24 DD25 DD26
・試験装置 ・・試験用データの作成 ・・試験アドレスのスクランブル ・・試験結果の記憶 ・・試験結果の解析、後処理 ・・試験結果の表示
DD31 DD32 DD33 DD35 DD36 DD37
・しきい値の測定 ・アクセスタイムの測定 ・テスト列（行）をもつもの ・加速試験、ストレス ・・電源電圧を変化させるもの ・・周波数を変化させるもの
EE EE00
障害・試験個所 		EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EE06 EE07 EE08
・デコーダ ・行ライン、列ライン ・入出力回路 ・・書込み回路 ・チェック回路 ・リフレッシュ回路 ・冗長部 ・電源
FF FF00
時期 		FF01 FF02 FF04 FF05 FF07 FF08
・空き時間 ・・リフレッシュ時 ・書込み時 ・読出し時 ・電源異常時 ・電源投入時
GG GG00
改良手段 		GG01 GG02 GG03 GG04 GG05 GG06 GG07
・共通化 ・・端子の共用 ・タイミング ・時分割 ・機能選択 ・レイアウト ・定数設定
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