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5J056 論理回路ＩＩ 電話・伝送回路
H03K19/00 -19/00,250;19/01-19/082;19/094-19/096,250
H03K19/00-19/00,240;19/01-19/02;19/08-19/082;19/094-19/096,250 AA AA00
回路の種類 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA05
・入力回路 ・・接点信号の入力 ・論理演算回路 ・出力回路 ・・駆動回路（負荷の）
AA11 AA12 AA13 AA14 AA15 AA16 AA17 AA19
・インターフェース，レベルシフト，レベル変換 ・・ＥＣＬから ・・ＴＴＬ，ＤＴＬから ・・Ｉ２Ｌから ・・ＭＯＳから ・・・ＣＭＯＳから ・・ＭＥＳ，ショットキーＦＥＴから ・・その他から
AA22 AA23 AA24 AA25 AA26 AA27 AA28 AA29
・・ＥＣＬへ ・・ＴＴＬ，ＤＴＬへ ・・Ｉ２Ｌへ ・・ＭＯＳへ ・・・ＣＭＯＳへ ・・ＭＥＳ，ショットキーＦＥＴへ ・・信号線 ・・その他へ
AA32 AA33 AA34 AA35 AA36 AA37 AA38 AA39 AA40
・・振幅拡大 ・・振幅縮小 ・・正電位の振幅→負電位の振幅 ・・負電位の振幅→正電位の振幅 ・・一方の電位の振幅←→正負の電位の振幅 ・・直流レベルのシフト ・・信号幅の変換 ・・タイミングの調整，遅延，同期 ・・整合
BB BB00
目的，効果 		BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB06 BB07 BB08 BB09 BB10
・性能の向上 ・・速度の向上，高速化 ・・・大電流化による高速化 ・・・大電圧化による高速化 ・・・蓄積電荷対策 ・・・プリチャージによる高速化 ・・・しきい値の設定による高速化 ・・・フィードバックによる高速化，ＥＥ０７付与 ・・低速化 ・・入力しきい値の可変，制御
BB12 BB13 BB14 BB15 BB16 BB17 BB18 BB19
・・駆動能力の改善 ・・・大電流駆動 ・・・大電圧駆動 ・・・小電流駆動 ・・・小電圧駆動 ・・消費電力の低減 ・・動作電圧の低電圧化 ・・貫通電流の除去・低減
BB21 BB22 BB23 BB24 BB25 BB26 BB27 BB28 BB29
・信頼性の向上 ・・雑音発生の防止 ・・・入力線へ発生する雑音の防止 ・・・出力線へ発生する雑音の防止 ・・・電源線へ発生する雑音の防止 ・・・空間へ発生する雑音の防止 ・・使用環境に対するもの ・・・温度 ・・・放射線
BB32 BB33 BB34 BB35 BB36 BB37 BB38 BB39 BB40
・・雑音入力による誤動作防止 ・・・入力線からの雑音対策 ・・・出力線からの雑音対策 ・・・電源線からの雑音対策 ・・・空間からの雑音対策 ・・入力しきい値の安定化、変動の防止 ・・製造時のばらつきの補償 ・・経年変化の補償 ・・電源変動対策
BB42 BB43 BB44 BB45 BB46 BB47 BB48 BB49 BB50
・・保護 ・・・入力部の保護 ・・・出力部の保護 ・・・過電流に対する保護 ・・・過電圧に対する保護 ・・・・静電気に対する保護 ・・・ＣＭＯＳラッチアップ対策 ・・リーク対策 ・・電荷再分配の対策
BB51 BB52 BB53 BB54 BB55 BB56 BB57 BB58 BB59 BB60
・簡素化、小型化 ・・素子数の低減 ・・入出力数，ピン数の低減 ・・・入出力端子の共用 ・・電源の簡素化 ・・クロック数の低減 ・・チップサイズの小型化 ・汎用性の向上 ・製造容易化、生産性の向上 ・試験，調整，測定
CC CC00
構成要素（回路） 		CC01 CC02 CC03 CC04 CC05 CC06 CC07 CC08 CC09 CC10
・定電流源 ・ミラー回路、カレントミラー回路 ・電源回路 ・・基準電位（定電位）発生回路 ・遅延回路 ・フィルタ回路 ・積分回路 ・微分回路 ・比較器 ・オペアンプ
CC11 CC12 CC13 CC14 CC15 CC16 CC17 CC18 CC19 CC20
・シュミット回路 ・クランプ回路 ・リミッタ回路 ・双安定回路（フリップフロップ，ラッチ） ・単安定回路 ・非安定回路，発振回路 ・カウンタ ・シフトレジスタ ・プリチャージ回路 ・ディスチャージ回路
CC21 CC22 CC23 CC24 CC25 CC26 CC27 CC28 CC29 CC30
・レベルシフト回路 ・ダーリントン ・エミッタホロワ ・オープンコレクタ ・ソースホロワ ・オープンドレイン ・ドット論理，ワイヤード論理 ・表示回路 ・昇圧回路（ブートストラップ） ・ポンプ回路
DD DD00
構成要素（素子） 		DD01 DD02 DD03 DD04 DD05 DD06 DD07 DD08 DD09
・トランジスタ（ＵＪＴ，ＩＧＢＴ他） ・・バイポーラＴｒ． ・・・マルチエミッタＴｒ． ・・・マルチコレクタＴｒ． ・・・ラテラルＴｒ． ・・・バーティカルＴｒ． ・・・逆方向動作Ｔｒ． ・・・寄生トランジスタ ・・ＳＩＴ
DD12 DD13 DD14 DD15 DD16 DD17 DD18 DD19
・・ＦＥＴ ・・・ＭＩＳＦＥＴ，ＭＯＳＦＥＴ，ＩＧＦＥＴ ・・・ＧａＡｓＦＥＴ，ショットキーＦＥＴ ・・・ゲート，ソース，ドレインが２以上のもの ・・・しきい値に特徴があるもの ・・・・デプレッション，ノーマリオン ・・・・エンハンスメント，ノーマリオフ ・・・・約０Ｖ
DD22 DD23 DD24 DD25 DD26 DD27 DD28 DD29
・・トランジスタの組合せ ・・・ｎＰｎＴｒ．のみ ・・・ＰｎＰＴｒ．のみ ・・・ｎＰｎＴｒ．とＰｎＰＴｒ．の組合せ ・・・Ｐ型ＦＥＴのみ ・・・Ｎ型ＦＥＴのみ ・・・Ｐ型ＦＥＴとＮ型ＦＥＴの組合せ ・・・・相補動作するもの，ＣＭＯＳ
DD33 DD34 DD35 DD36 DD37 DD38 DD39 DD40
・・・バイポーラＴｒ．とＦＥＴの組合せ ・・・・バイポーラはＰｎＰＴｒ．のみ ・・・・バイポーラはｎＰｎＴｒ．のみ ・・・・バイポーラはＰｎＰとｎＰｎの組合せ ・・・・ＦＥＴはＰ型のみ ・・・・ＦＥＴはＮ型のみ ・・・・ＦＥＴはＰ型とＮ型の組合せ ・・・・・ＦＥＴは相補動作するもの，ＣＯＭＳ
DD43 DD44 DD45 DD46
・・・しきい値の異なる同種トランジスタの組合せ ・・・・２種類のしきい値の組合せ（ＤＤ４６優先） ・・・・３種類以上のしきい値の組合せ ・・・エンハンスメントとデプレッションの組合せ
DD51 DD52 DD53 DD54 DD55 DD56 DD57 DD58 DD59 DD60
・容量，コンデンサ ・・浮遊容量，寄生容量 ・インダクタンス ・・配線のインダクタンス ・ダイオード（Ｔｒ．のダイオード接続も含む） ・・ツェナーダイオード ・・ＳＢＤ，ショットキーバリアダイオード ・フォトカップラー，発光素子，受光素子 ・特殊な抵抗 ・ヒューズ
EE EE00
接続構成 		EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EE06 EE07 EE08
・Ｔｒ．への信号入力に特徴があるもの ・・エミッタ，コレクタから入力 ・・ソース，ドレインから入力 ・・基板（バックゲート）から入力 ・・ベースに定電圧を入力 ・・ゲートに定電圧を入力 ・フィードバック接続 ・フィードフォワード接続
EE11 EE12 EE13 EE14 EE15
・２個の能動素子の直列接続を介して出力 ・３個以上の能動素子の直列接続を介して出力 ・２個の能動素子の並列接続を介して出力 ・３個以上の能動素子の並列接続を介して出力 ・複数の出力回路を並列接続するもの
FF FF00
入力信号の種類・数 		FF01 FF02 FF03 FF04 FF05 FF06 FF07 FF08 FF09 FF10
・クロック信号 ・・２相 ・・３相 ・・４相以上 ・・相補クロック ・基準電位（Ｖｒｅｆ） ・制御信号 ・入力信号数１（クロックは除く） ・入力信号数２（クロックは除く） ・入力信号数３以上（クロックは除く）
GG GG00
制御対象，制御態様 		GG01 GG02 GG03 GG04 GG05 GG06 GG07 GG08 GG09 GG10
・出力電流を制御するもの ・・段階的に制御するもの ・・・時間遅延を利用するもの ・・・あるノードの電位を利用するもの ・・・あるノードの電流を利用するもの ・出力電圧を制御するもの ・・段階的に制御するもの ・・・時間遅延を利用するもの ・・・あるノードの電位を利用するもの ・・・あるノードの電流を利用するもの
GG11 GG12 GG13 GG14
・出力レベルを固定するもの ・・高インピーダンス状態にするもの ・複数の出力回路の動作を制御するもの ・論理機能の制御
HH HH00
基板構造、製造時の特徴 		HH01 HH02 HH03 HH04
・チャネル（ゲート）幅 ・チャネル（ゲート）長 ・配線の位置、幅、長さ ・マスタースライス，ＰＬＡ
JJ JJ00
特徴的物理現象 		JJ01 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05
・ピンチ効果 ・トンネル効果 ・アバランシェ効果 ・パンチスルー ・ホットエレクトロン
KK KK00
図面情報（フローチャート他） 		KK01 KK02 KK03
・波形図 ・基板構造 ・特性図
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