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リスト部分改訂旧5F146(R7)
| 5F246 | 半導体の露光処理 | 応用物理 |
| H10P76/00 ;76/00,561-76/40 | ||
| H10P76/00,600 | AA | AA00 半導体の露光の共通事項 |
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| AA28 | ||||||||||||
| ・その他* | ||||||||||||
| AA31 | AA32 | AA33 | AA34 | |||||||||
| ・ナノインプリント | ・・転写原版となる型 | ・・転写対象となる硬化性組成物 | ・・離型性の向上 | |||||||||
| H10P76/00,563 | HA | HA00 レジスト塗布以前のウェハの表面処理 |
HA01 | HA02 | HA03 | HA04 | HA05 | HA07 | ||||
| ・レジストの接着強化膜の形成* | ・・そのための装置* | ・洗浄 | ・エッチング | ・エッチング以外のプラズマ処理 | ・その他* | |||||||
| H10P76/00,564@C-76/00,564@Z | JA | JA00 レジスト塗布 |
JA01 | JA02 | JA03 | JA04 | JA05 | JA06 | JA07 | JA08 | JA09 | JA10 |
| ・レジスト液の供給,及びその制御,調整 | ・・供給ノズル | ・・供給配管 | ・回転塗布 | ・・処理容器,又は処理容器の洗浄,清浄 | ・・レジストの再付着防止 | ・・気体の導入 | ・・排気,排液系 | ・・溶媒の供給 | ・・回転チャック本体 | |||
| JA11 | JA12 | JA13 | JA14 | JA15 | JA16 | JA19 | JA20 | |||||
| ・・回転機構の特殊化 | ・・レジスト液にウェハを浸すもの | ・・回転,回転数の調整 | ・・ウェハ表面を下向きにして塗布,又は乾燥 | ・・塗布中のウェハ裏面又は端面の洗浄,清浄 | ・・JA05~15以外の回転塗布方法 | ・ロールコート | ・ウェハ表面へのレジストの堆積 | |||||
| JA21 | JA22 | JA24 | JA25 | JA27 | ||||||||
| ・レジスト膜の特性検知,膜厚検知 | ・他のプロセス処理との組合せ* | ・温度調整 | ・静電気除去 | ・その他* | ||||||||
| H10P76/00,567 | KA | KA00 ベーキング装置 |
KA01 | KA02 | KA03 | KA04 | KA05 | KA07 | KA08 | KA09 | KA10 | |
| ・加熱手段 | ・・赤外線ランプ | ・・マグネトロン,マイクロ波 | ・・ヒーター,熱板 | ・・加熱気体 | ・ウェハの搬送を伴うもの | ・・ベルトコンベア | ・・ウォーキングビーム | ・その他* | ||||
| H10P76/00,569@A-76/00,569@Z | LA | LA00 湿式現像,リンス |
LA01 | LA02 | LA03 | LA04 | LA05 | LA06 | LA07 | LA08 | LA09 | |
| ・回転処理 | ・・処理中のウェハ裏面,端面の清浄 | ・・処理液の供給,及びその調整 | ・・供給ノズル | ・・回転チャック | ・・処理容器 | ・・吸気,排気,排液系 | ・・LA02~07以外の回転処理方法 | ・現像槽(浸漬) | ||||
| LA11 | LA12 | LA13 | LA14 | LA15 | LA17 | LA18 | LA19 | |||||
| ・ウェハの搬送を伴うもの | ・現像液,リンス液* | ・温度調整 | ・現像,リンス方法 | ・現像終点の検知 | ・ドライ現像との組合せ | ・他のプロセス処理との組合せ* | ・その他* | |||||
| H10P76/00,569@H | LB | LB00 ドライ現像 |
LB01 | LB02 | LB03 | LB06 | LB07 | LB09 | LB10 | |||
| ・プラズマ処理 | ・露光によるレジストの直接除去 | ・・紫外線,光露光による | ・紫外線処理 | ・加熱処理 | ・他の処理との組合せ* | ・その他* | ||||||
| H10P76/00,572@A-76/00,572@Z | MA | MA00 レジスト膜の剥離 |
MA01 | MA02 | MA03 | MA04 | MA05 | MA06 | MA07 | MA10 | ||
| ・湿式剥離 | ・・剥離液,剥離剤* | ・・加熱,煮沸 | ・・紫外線処理との組合せ | ・・気体の供給 | ・・制御,調整,検知,表示 | ・・MA02~06以外の湿式剥離方法 | ・・湿式剥離装置 | |||||
| MA11 | MA12 | MA13 | MA17 | MA18 | MA19 | |||||||
| ・ドライ剥離 | ・・プラズマ処理 | ・・紫外線,酸素,オゾン処理 | ・2以上の剥離処理の組合せ | ・他のプロセス処理との組合せ* | ・その他* | |||||||
| H10P76/00,573 | NA | NA00 多層レジスト膜及びその処理 |
NA01 | NA02 | NA03 | NA04 | NA05 | NA06 | NA07 | NA08 | NA09 | |
| ・2層レジスト膜 | ・・下層がネガ形,上層がポジ形* | ・・下層がネガ形,上層もネガ形* | ・・下層がポジ形,上層がネガ形* | ・・下層がポジ形,上層もポジ形* | ・3層以上のレジスト膜 | ・2層のレジスト間にレジスト以外の中間層* | ・下層のレジストが露光済 | ・同一レジストによる多層膜 | ||||
| NA11 | NA12 | NA13 | NA14 | NA15 | NA16 | NA17 | NA18 | NA19 | ||||
| ・処理方法 | ・・塗布,ベーキング | ・・現像 | ・・・上層レジストの | ・・・下層レジストの | ・・レジストのエッチング除去 | ・・・ドライエッチング | ・・・下層レジストの | ・その他* | ||||
| H10P76/00,574 | PA | PA00 光の吸収膜,反射膜 |
PA01 | PA02 | PA03 | PA04 | PA05 | PA06 | PA07 | PA08 | PA09 | PA10 |
| ・吸収膜 | ・・シリコン(ポリ,アモルファスを含む) | ・・酸化膜 | ・・窒化膜 | ・・金属* | ・・粗面化 | ・・有機,高分子膜* | ・・・レジスト | ・・染料,光吸収剤 | ・・黒色化 | |||
| PA11 | PA12 | PA13 | PA17 | PA18 | PA19 | |||||||
| ・・炭素,炭化物の膜 | ・・屈折率の調整 | ・・・多層膜 | ・反射膜 | ・・金属* | ・その他* |