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Fタームリスト

５Ｃ１２７、５Ｃ１３５統合、リスト再作成（Ｈ２６）、解析要否の変更（Ｒ０２）
5C227 冷陰極及びその製造 応用物理　　　　　　
H01J1/30 -1/316;9/02@B-9/02@D
H01J1/30-1/316 AA AA00
解決課題 		AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08
・放出電流 ・・電流量、密度 ・・安定 ・・均一 ・・集束 ・・低電圧 ・・長寿命 ・・効率
AA11 AA12 AA13 AA14 AA15 AA16 AA17 AA18 AA20
・エミッタ ・・短絡・破壊防止 ・・応答性 ・・大面積、薄型、軽量 ・・低コスト、製造容易 ・・機械的強度 ・・再現性、信頼性 ・環境対策 ・その他
AB AB00
電界放出型のエミッタ形状 		AB01 AB02 AB03 AB04 AB05 AB06 AB07 AB08 AB09 AB10
・巨視的形状 ・・錐状 ・・・円錐状 ・・・エミッタに沿う絶縁層を有するもの ・・タワー状、針状（ＡＢ１０優先） ・・柱状 ・・ライン状、尾根状 ・・横型 ・・薄膜 ・・針状（基板上に形成されないもの）
AB11 AB12 AB13 AB14 AB15 AB20
・微視的形状 ・・微粒子 ・・繊維、ファイバー ・・ウイスカ ・・ナノ構造 ・その他
AC AC00
電界放出型のエミッタ材料に特徴のあるもの 		AC01 AC02 AC03 AC05 AC06 AC07 AC08 AC09
・金属 ・・金属単体 ・・合金、金属間化合物 ・炭素単体 ・・ダイヤモンド ・・カーボンナノチューブ ・・グラファイト ・・フラーレン
AC11 AC12 AC13 AC15 AC16 AC17 AC18 AC19 AC20
・半導体 ・・単体 ・・化合物 ・炭化物 ・窒化物 ・硼化物 ・酸化物 ・有機物 ・その他
AD AD00
電界放出型の細部 		AD01 AD02 AD03 AD04 AD05 AD06 AD07 AD08 AD09 AD10
・エミッタ（材料に特徴のあるものＡＣ００） ・・エミッタの製造方法（ＡＤ０３－０５，１５優先） ・・・スピント法によるもの ・・・グレイ法によるもの ・・・転写モールド法によるもの ・・形状に特徴のあるもの ・・・断面形状 ・・・・先端部曲率半径 ・・・平面形状 ・・・開口内に複数の放出部を有するもの
AD11 AD12 AD14 AD15
・・表面状態 ・・・粗面化 ・・表面被覆 ・・・表面被覆の製造方法
AD21 AD22 AD23 AD24 AD25 AD26 AD27 AD28 AD29 AD30
・ゲート電極 ・・ゲート電極の製造方法 ・・材料に特徴のあるもの ・・形状に特徴のあるもの ・・・平面形状 ・・・・ゲート孔の形状、開口径 ・・・・ゲート孔の配置 ・・・断面形状 ・・多層化 ・・エミッタとの相対位置
AD31 AD32 AD33 AD34 AD35 AD36 AD37 AD38 AD39 AD40
・ゲート絶縁膜 ・・ゲート絶縁膜の製造方法 ・・材料に特徴のあるもの ・・形状に特徴のあるもの ・・・平面形状、開口径 ・・・断面形状 ・・多層化 ・カソード電極 ・・カソード電極の製造方法 ・・材料に特徴のあるもの
AD49 AD50
・その他の細部 ・・その他の細部の製造方法
BB BB00
表面伝導型の細部 		BB01 BB02 BB03 BB04 BB05 BB06 BB07 BB08
・導電性薄膜 ・・導電性薄膜の製造方法 ・・材料に特徴のあるもの ・・形状に特徴のあるもの ・・積層膜 ・・・活性化膜 ・・表面状態 ・・電子放出部、その制御に特徴のあるもの
BB11 BB12 BB13 BB14 BB15 BB16 BB17 BB18 BB19
・素子電極 ・・素子電極の製造方法 ・・材料に特徴のあるもの ・・形状に特徴のあるもの ・・・断面形状 ・・・平面形状 ・・電極配置 ・・・電極間隔 ・・・同一平面上にないもの（縦型）
BB29 BB30
・その他の細部 ・・その他の細部の製造方法
CC CC00
ＭＩＭ型の細部 		CC01 CC02 CC03 CC04 CC06 CC07 CC08
・上部電極 ・・上部電極の製造方法 ・・材料に特徴のあるもの ・・多層化 ・下部電極 ・・下部電極の製造方法 ・・材料に特徴のあるもの
CC11 CC12 CC13 CC19 CC20
・絶縁層 ・・絶縁層の製造方法 ・・材料に特徴のあるもの ・その他の細部 ・・その他の細部の製造方法
DD DD00
他の冷陰極の細部 		DD01 DD02 DD03 DD04 DD05 DD06
・強誘電体型 ・・強誘電体型の製造方法（ＤＤ０６優先） ・・上部電極 ・・下部電極 ・・強誘電体層 ・・・強誘電体層の製造方法
DD11 DD12 DD13 DD14 DD15 DD16
・弾道電子型 ・・弾道電子型の製造方法（ＤＤ１６優先） ・・上部電極 ・・下部電極 ・・ドリフト層 ・・・ドリフト層の製造方法
DD21 DD22 DD23 DD24 DD25 DD27 DD28 DD29 DD30
・ＰＮ接合逆バイアス半導体型 ・・ＰＮ接合逆バイアス半導体型の製造方法（ＤＤ２５優先） ・・Ｐ層 ・・Ｎ層 ・・・Ｎ層の製造方法 ・ショットキー接合型 ・・ショットキー接合型の製造方法 ・・Ｐ層 ・・ショットキー電極
DD31 DD32 DD33 DD34 DD35 DD39 DD40
・ＰＮ接合順バイアス半導体型 ・・ＰＮ接合順バイアス半導体型の製造方法（ＤＤ３４優先） ・・Ｐ層 ・・・Ｐ層の製造方法 ・・Ｎ層 ・その他の細部 ・・その他の細部の製造方法
EE EE00
陰極以外の電極 		EE01 EE02 EE03 EE04 EE06 EE07 EE08 EE09
・変調電極 ・・変調電極の製造方法 ・・素子背面 ・・素子上部に積層 ・偏向電極 ・・偏向電極の製造方法 ・・放出部、ゲートと同一平面 ・・素子上部に積層
EE11 EE12 EE13 EE14 EE16 EE17
・集束電極 ・・集束電極の製造方法 ・・放出部、ゲートと同一平面 ・・素子上部に積層 ・遮蔽電極 ・・遮蔽電極の製造方法
EE21 EE22 EE24 EE25 EE29 EE30
・電圧印加用電極、端子 ・・電圧印加用電極、端子の製造方法 ・陽極 ・・陽極の製造方法 ・その他の細部 ・・その他の細部の製造方法
FF FF00
電極以外の細部 		FF01 FF02 FF03 FF04 FF05 FF06 FF08 FF09 FF10
・電流制限素子 ・・電流制限素子の製造方法（ＦＦ０４、０９、１２、１７優先） ・・抵抗体 ・・・抵抗体の製造方法 ・・・材料に特徴のあるもの ・・定電流源 ・・ダイオード ・・・ダイオードの製造方法 ・・・ＰＮ接合
FF11 FF12 FF13 FF14 FF16 FF17
・・トランジスタ ・・・トランジスタの製造方法 ・・・ＭＯＳ ・・・バイポーラ ・・トレンチ溝 ・・・トレンチ溝の製造方法
FF21 FF22 FF23 FF24 FF25 FF27 FF28 FF30
・配線（電界放出型のカソード電極はＡＤ３８） ・・その製造方法（ＦＦ２５、２８優先） ・・材料に特徴のあるもの ・・配線間絶縁層 ・・・配線間絶縁層の製造方法 ・・配線と電極との接続 ・・・配線と電極との接続の製造方法 ・素子配列、素子配置、相互配置
FF31 FF32 FF33 FF34 FF36 FF37 FF39 FF40
・支持基板 ・・支持基板の製造方法（ＦＦ３３、３７、４０優先） ・・基板を加工し、放出素子などを形成するもの ・・材料に特徴のあるもの ・・絶縁基板 ・・・絶縁基板の製造方法 ・・導体、半導体基板 ・・・導体、半導体基板の製造方法
FF41 FF42 FF44 FF45 FF47 FF48
・支持基板と放出素子との間の被膜 ・・その製造方法（ＦＦ４５、４８優先） ・・絶縁膜 ・・・絶縁膜の製造方法 ・・導電・半導電膜 ・・・導電・半導電膜の製造方法
FF51 FF52 FF53 FF54 FF59 FF60
・駆動方法、駆動回路 ・・電位の大きさに特徴のあるもの ・・駆動タイミングに特徴があるもの ・駆動を安定させるための回路（ＦＦ０１優先） ・その他の細部 ・・その他の細部の製造方法
GG GG00
他の特徴点 		GG01 GG02 GG03 GG04 GG05 GG06 GG07 GG08 GG09 GG10
・電位分布 ・電界強度 ・電子親和力 ・真空度 ・抵抗値／率 ・導電率 ・電流値 ・しきい値電圧 ・バンドギャップ ・不純物濃度
GG11 GG12 GG13 GG14 GG16 GG18 GG20
・結晶構造 ・・単結晶 ・・多結晶 ・・非晶質、アモルファス ・界面、接合部 ・製造方法全体（工程順序などに特徴） ・その他
HH HH00
特徴のある製造対象（ＡＤ００－ＧＧ００）の製造方法 		HH01 HH02 HH03 HH04 HH05 HH06 HH07 HH08 HH09 HH10
・成膜方法 ・・真空蒸着 ・・・イオンプレーティング ・・・レーザアブレーション ・・・パターン蒸着 ・・・・回転蒸着 ・・スパッタリング ・・ＣＶＤ ・・・プラズマアシストＣＶＤ ・・・ＭＯＣＶＤ
HH12 HH13 HH14 HH15 HH16 HH17 HH18 HH19 HH20
・・・熱ＣＶＤ ・・塗布 ・・・スプレー ・・・スピンコート ・・・パターン塗布 ・・・・インクジェット ・・印刷 ・・・パターン印刷 ・・ディッピング
HH22 HH23 HH24 HH25 HH26 HH27 HH28
・・材料の埋め込み（モールド） ・・転写 ・・ＬＢ法 ・・めっき ・・・電解めっき ・・・無電解めっき ・・電着
HH32 HH33 HH34 HH35 HH38 HH39 HH40
・・結晶成長 ・・・単結晶 ・・・多結晶 ・・・非晶質、アモルファス ・・製造工程で使用する材料に特徴のあるもの ・・成膜前の前処理 ・・・保護膜、犠牲層の形成
HH41 HH42 HH43 HH45
・被膜のパターニング、成形 ・・パターンマスク、レジスト形成 ・・露光 ・・レーザー加工
HH52 HH53 HH54 HH55 HH56 HH57 HH58 HH59
・・エッチング ・・・ドライエッチング ・・・・プラズマエッチング ・・・・イオンビームエッチング ・・・・・ＲＩＥ ・・・ウェットエッチング ・・・異方性エッチング ・・・リフトオフ
HH61 HH62 HH63 HH64 HH65 HH66 HH67 HH68 HH69 HH70
・被膜やパターンの後処理 ・・加熱、冷却 ・・・乾燥 ・・・焼成 ・・イオン注入 ・・電子線照射 ・・プラズマ処理（プラズマエッチング→ＨＨ７２） ・・光（レーザ）、マイクロ波の照射 ・・機械的加工 ・・電界印加
HH72 HH76 HH77 HH78 HH79 HH80
・・エッチング（プラズマエッチングを含む） ・・酸化・還元処理 ・・・熱酸化 ・・・陽極酸化 ・・・気相酸化 ・・窒化処理
HH82 HH83 HH84 HH85 HH87 HH88 HH90
・・フォーミング ・・・フォーミング電圧に特徴があるもの ・・活性化 ・・安定化 ・・平坦化 ・・粗面化 ・・材料膜・塊に内包される放出材料の露出工程
HH92 HH93 HH94 HH99
・エージング、予備駆動 ・脱ガス、フラッシング、クリーニング ・工程制御のための測定 ・その他
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